以較高的開關(guān)頻率在負(fù)載點 (POL) 應(yīng)用中工作

　　圖 14 中所示的開關(guān)波形比較展示了分立Mosfet和 Power Clip 33 封裝之間的開關(guān)速度差異。 波形比較中的若干因數(shù)凸顯了寄生參數(shù)的差異。 在 HS 開啟時，Vsw波形(黃色)中的初始步驟是由于 LS 源極電感創(chuàng)建了 Ls*dID/dt 電壓階躍。 請注意，分立Mosfet的的顯著階躍與 Power Clip 33 的幾乎無階躍。階躍的差別是 Power Clip 33 的 LS 源極電感更低的一個直接跡象。這驗證了表3中的預(yù)測。

　　除了開關(guān)速度考慮，低 LS 源極電感也最大限度地減少了 Vsw負(fù)脈沖信號，這發(fā)生在 HS 關(guān)閉時。 在圖15中，注意 Power Clip 33 封裝的Vsw負(fù)脈沖信號減少了 50%。 過大的 Vsw負(fù)脈沖信號會對驅(qū)動器造成壓力，或者導(dǎo)致不穩(wěn)定的驅(qū)動器行為和潛在的電路故障。 這在高負(fù)載電流瞬變期間尤其讓人憂心。 HS 開關(guān)損耗往往由關(guān)損耗主導(dǎo)，這受到 HS 源極電感的強烈影響。

　　如表3所示，Power Clip HS 源極電感比備用設(shè)計少 1/3。 HS 源極電感似乎難于從開關(guān)波形直接確定。 源極電感的一個指示是 HS 開啟時在 HS 柵極 (G) 波形中發(fā)生的電壓瞬變。 這一瞬變歸因于在 HS V_GS 測量的 LS*dID/dt。在圖 14 中，對于 Power Clip 封裝 Vsw上升地較快，表明 dID/dt 更快。 兩個設(shè)計都在 HS V_GS 中顯示出 4.8 V 的下降。如果在 dID/dt 更快時具有同等的下降，則表示 HS 源極電感更低。

　　如圖10所示，由于其增強的封裝設(shè)計、更小的尺寸和增強的引腳配置，Power Clip 33 預(yù)期因環(huán)路面積減小而擁有更低的總高頻 (HF) 開關(guān)環(huán)路電感。

　　總高頻環(huán)路電感可以通過 HS 和 LS MOSFET 波形共振實驗測量計算得出，使用 MOSFET Coss從 LC 共振中為 L 求解。 對于圖 14 的測量，分立Mosfet的總 AC 環(huán)路電感是 1.3 nH，而 Power Clip 的是 0.70 nH，降低了幾乎 50%。 Vsw上升時間更快和振鈴頻率更高都是因為 Power Clip 33 的總 AC 環(huán)路電感更低。

　　寄生的高頻開關(guān)環(huán)路電感在整個 HS MOSFET 中對根據(jù) Vds測量的振鈴有顯著影響。 請注意在圖15中，Power Clip 封裝的過沖減少了 33%。

　　圖 14 和圖15中的所有數(shù)據(jù)均使用差分探頭進行測量。 強烈建議使用高帶寬 (BW) 差分探頭準(zhǔn)確地測量 HS FET 波形。