以較高的開關(guān)頻率在負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用中工作
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
熱性能
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/170366.htmPower Clip 33 的熱性能表現(xiàn)在一系列板設(shè)計(jì)上。 FDPC8011S 擁有從結(jié)到外殼/電路板的非常有效的熱傳遞。 板熱阻是限定封裝溫度上升以及相應(yīng)的電流能力的主導(dǎo)因數(shù)。 HS 漏極朝下和 LS 源極朝下的 Power Clip 在典型的板設(shè)計(jì)中提供到兩個大銅箔的良好熱連接，V+ 和 GND。 為了實(shí)現(xiàn)最佳性能，使用 vias 增強(qiáng)到板 Vcc和 PGND 板架的熱互連。 有關(guān)最佳設(shè)計(jì)實(shí)踐的一個更詳細(xì)的討論，請參見FDPC8011S 數(shù)據(jù)手冊的“應(yīng)用信息”部分。
圖16和圖17顯示分立式Mosfet和 Power Clip 封裝的相關(guān)溫度性能。 這一特性描述在一個可與服務(wù)器類產(chǎn)品設(shè)計(jì)相媲美的厚銅電路板上完成。 額定電流的一個常見性能指標(biāo)是高于環(huán)境溫度 40 °C 的 Tj上升。 在 65 °C 環(huán)境溫度下，將產(chǎn)生 105 °C 的 Tj。如圖16所示，對于這一評測板，更小占位面積的 FDPC8011S 在分立Mosfet電流能力的 10% 內(nèi)。 鑒于分立Mosfet的較大占位面積，這是一項(xiàng)卓越的性能。
設(shè)計(jì)的額定溫度基于 HS 和 LS MOSFET 溫度的最大值。 對于該設(shè)計(jì)，圖17顯示，HS MOSFET 溫度上升對于分立設(shè)計(jì)和 Power Clip 設(shè)計(jì)來說都是限制性參數(shù)。
三個備用設(shè)計(jì)的熱阻數(shù)據(jù)表值如表4所示。 為標(biāo)準(zhǔn)的 1 平方英寸測試板上描繪的部件指定 RΘJA 的額定值。 一個典型的電源 PCB 擁有比測試板更低的熱阻。表5顯示在厚銅和薄銅評測板上測量的 RΘJA值。 分立Mosfet和 Power Clip 的最大額定電流在薄型銅板上較低，因?yàn)榫哂懈叩臒嶙琛?表5所示的熱阻值同時描繪了結(jié)到環(huán)境和晶圓之間的耦合。 參考資料Error! Reference source not found.詳細(xì)介紹如何執(zhí)行這些測量，以及如何使用產(chǎn)生的熱矩陣預(yù)測給定功率損耗的 HS 和 LS TJ。
結(jié)論
結(jié)合先進(jìn)硅和 Power Clip 封裝技術(shù)，F(xiàn)DPC8011S Power Clip 33 MOSFET 大大減少了封裝寄生參數(shù)并超越了之前的分立式 Power 33 / Power 56 或 Power Stage 56 Dual 組合的 A/mm2性能。 在同步整流降壓應(yīng)用中，Power Clip 33 MOSFET 能夠以比分立Mosfet更高的頻率和效率在 20 A 負(fù)載下運(yùn)行。
功率損耗降低，使得操作頻率和效率更高。 因此，與傳統(tǒng)的分立式 MOSFET 解決方案相比，Power Clip 33 MOSFET 可以節(jié)省 42% 的總面積。
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