利用C8051F310內(nèi)置比較器0實(shí)現(xiàn)掉電模式

　　掉電標(biāo)志位必須使用RAM中的可尋址位（位于20H～2FH單元），因?yàn)?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/單片機(jī)">單片機(jī)復(fù)位時(shí)，特殊功能寄存器中的通用標(biāo)志位被復(fù)位。在停機(jī)方式，內(nèi)部振蕩器、CPU和所有的數(shù)字外設(shè)都停止工作，但外部振蕩器電路的狀態(tài)不受影響。因此在進(jìn)行低功耗系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)建議使用內(nèi)部振蕩器；或者使用外部振蕩器，在掉電中斷服務(wù)程序中切換到內(nèi)部振蕩器，達(dá)到在掉電模式進(jìn)一步降低電池消耗的目的。根據(jù)圖1，內(nèi)置比較器0配置為下降沿中斷。正向和負(fù)向回差電壓配置0，響應(yīng)時(shí)間配置為方式0為佳。比較器0中斷服務(wù)子程序流程如圖2所示。

圖2 比較器0中斷服務(wù)程序流程

圖3 主程序流程

　　主程序流程如圖3所示。

　　使用C8051F310單片機(jī)的掉電模式應(yīng)注意以下3點(diǎn)：

　?、?禁止WDT（電源監(jiān)視器）：防止進(jìn)入掉電模式后電池電壓大于RAM數(shù)據(jù)保持電壓而小于Vrst（單片機(jī)VDD監(jiān)視器門限電壓）時(shí)復(fù)位單片機(jī)，致使單片機(jī)不能從斷點(diǎn)處繼續(xù)執(zhí)行程序。
　?、?對(duì)于在掉電模式電池電壓大于Vrst的情況，應(yīng)禁止時(shí)鐘丟失檢測(cè)器。這樣，當(dāng)發(fā)生電源丟失時(shí)使單片機(jī)長(zhǎng)期處于掉電模式，延長(zhǎng)電池使用壽命。如果現(xiàn)場(chǎng)必須使用時(shí)鐘丟失檢測(cè)器，時(shí)鐘可選用片外振蕩器，即使在掉電模式，時(shí)鐘也不丟失。
　　③ 禁止比較器0復(fù)位。