基于單片機(jī)和PSD設(shè)計(jì)的數(shù)制化電源

隨著現(xiàn)代工業(yè)的發(fā)展和社會(huì)進(jìn)步，人類對(duì)電能種類的需求不斷增加，如要求電能有多種制式：直流穩(wěn)壓電源、交流工頻電源、中高頻感應(yīng)加熱電源、高壓電解電源等，而且需求的數(shù)量也在不斷增加。要提供這些制式的電能，就要有許多不同的電源變換裝置。此外，為滿足各種電氣設(shè)備對(duì)電源的特殊要求，也需要一些裝置對(duì)電源進(jìn)行變換和控制。這些裝置品種繁多，其原理和構(gòu)造各不相同，且一般只有有限的功能，難以相互替代。因此，設(shè)計(jì)出一種通用的電源裝置，使它在原理和結(jié)構(gòu)上不作改動(dòng)即能提供多制式的電源，具有重要的現(xiàn)實(shí)意義。然而，利用60年代的晶閘管以及70年代的自關(guān)斷器件（如GTR、GTO）構(gòu)成的電氣裝置，由于器件的工作頻率低下，難以逾越20kHz這一大關(guān)，因而效率較低，原材料消耗較大，并且系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)性能不夠理想，易引起所謂的“電力公害”。80年代急速興起的場(chǎng)控自關(guān)斷器件（如IGBT、VDMOS、SITH、SIT、MCT等）都是集高頻、高壓、大電流于一身的性能優(yōu)越的電壓控制器件，它們的出現(xiàn)使得設(shè)計(jì)和制造出一種通用的電源裝置成為可能。

本文以數(shù)制化電壓?jiǎn)卧獮榛A(chǔ)構(gòu)成電壓合成器（VS），再由單片機(jī)按波形重組合技術(shù)（WRT）控制VS中各單元的電子開關(guān)（IGBT），使導(dǎo)通單元的電壓迭加得到所需的波形，從而實(shí)現(xiàn)所要求的功能。

１ 系統(tǒng)組成和原理

1.1 數(shù)制化電壓?jiǎn)卧倪x取

系統(tǒng)的數(shù)制化電壓?jiǎn)卧慈缦乱?guī)律選取：

先確定最小的電壓?jiǎn)挝唬ㄈ?V），并取Eo=1V作為基本單元，其次選作為高一位的單元，再次選作為更高一位的單元，……依次類推，如圖１所示。若共有Ｎ位單元，則最高位單元的電壓為：

需要指出的是，這些單元可以是恒定的直流電壓，也可以是等寬的單向脈沖電壓，甚至可以是同頻同相的交流電壓。這里只討論恒定直流電壓的情況。

1.2 電壓波形重組合

先將擬要產(chǎn)生的波形分成若干個(gè)垂直條塊，這些條塊的寬度遠(yuǎn)小于波形的周期，可看作為具有固定幅值的矩形條塊。這樣給定的電壓波形就可用上述的數(shù)制化單元迭加得到，如圖２所示。使用二進(jìn)制的單元系列不僅可減少單元數(shù)目，簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)，而且極易利用單片機(jī)來(lái)進(jìn)行控制。

1.3 主電路部分

由以上電壓迭加分析可知，各數(shù)制化電壓?jiǎn)卧獞?yīng)串聯(lián)起來(lái)，并且每個(gè)單元應(yīng)串聯(lián)一個(gè)可控制其導(dǎo)通或關(guān)斷的電子開關(guān)，構(gòu)成電壓合成器VS。綜合考慮目前電力電子器件的性能，這里選用絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）作電子開關(guān)。這是一種電壓控制型器件，其輸入阻抗高、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單、驅(qū)動(dòng)功率小、開關(guān)速度高、開關(guān)損耗?。凰耐☉B(tài)壓降比VKMOS還低，特別是在大電流區(qū)段；且在1/2或1/3額定電流以下區(qū)段具有負(fù)溫度系數(shù)，而在以上區(qū)段則具有正溫度系數(shù)，因此在并聯(lián)使用時(shí)具有自動(dòng)調(diào)節(jié)電流的能力。另外，IGBT的安全工作區(qū)比GTR寬，而且還具有耐脈沖電流沖擊的性能，特別適于作高頻開關(guān)使用。

為了使某位數(shù)制化電壓?jiǎn)卧陉P(guān)斷時(shí)能給其它單元提供電流通路，每位單元在與其控制開關(guān)串聯(lián)后，應(yīng)再與一快速恢復(fù)二極管反向并聯(lián)，如圖３所示。用＝１表示第ｉ位單元被選通，＝０表示關(guān)斷，則AO端的電壓為：

為了使裝置能提供交變電壓，在輸出到負(fù)載之前須再加裝一開關(guān)換向橋，這四個(gè)換向開關(guān)也選用IGBT，以便于控制和得到與上述一致的性能。這樣當(dāng)導(dǎo)通、關(guān)斷時(shí)，輸出端U點(diǎn)的電位高于V點(diǎn)電位；反之，當(dāng)關(guān)斷、導(dǎo)通時(shí)，V點(diǎn)的電位高于Ｕ點(diǎn)的電位。

1.4 單片機(jī)監(jiān)控電路部分

為了簡(jiǎn)化電路、降低消耗、增強(qiáng)性能，本系統(tǒng)的監(jiān)控部分主芯片擬采用80C196KC單片機(jī)和現(xiàn)場(chǎng)可編程系統(tǒng)器件PSD302。80C196KC是Intel公司的第二代CHMOS型真16位單片機(jī)，它在與外部設(shè)備進(jìn)行數(shù)據(jù)交換和內(nèi)部運(yùn)算時(shí)均可采用１６位操作方式，時(shí)鐘頻率可達(dá)16MHz以上，其控制IGBT開關(guān)的時(shí)間精度可達(dá)微秒級(jí)，速度比８位單片機(jī)快得多。它的指令系統(tǒng)也更加豐富，效率更高。另外，80C196KC還新增了一個(gè)外設(shè)事務(wù)服務(wù)器(Peripheral Transaction Server即PTS)，大大提高了響應(yīng)外設(shè)中斷的速度，增強(qiáng)了A/D轉(zhuǎn)換器的性能（10位/8位）。因此，它特別適合于要求實(shí)時(shí)處理、實(shí)時(shí)控制的系統(tǒng)。