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          基于鉑電阻的數(shù)字溫度測(cè)量系統(tǒng)設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2009-06-25 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          0 引言
          在某企業(yè)開(kāi)發(fā)的加工控制中, 范圍是-100℃~600℃,誤差小于1%。針對(duì)本所需的要求,選用了精度高的鉑作為傳感器,使用F149內(nèi)部的12位分辨率的ADC模塊。溫度具有低功耗、結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,使用方便,可以擴(kuò)展成多路溫度測(cè)量等優(yōu)點(diǎn)。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/173686.htm


          1 硬件
          根據(jù)測(cè)試系統(tǒng)所要求的測(cè)量范圍,選用的傳感器為鉑,的測(cè)量范圍是-200到850,從的分度表可以計(jì)算出線(xiàn)性度為,無(wú)法達(dá)到測(cè)量精度的要求,所以需要一個(gè)線(xiàn)性補(bǔ)償?shù)男盘?hào)調(diào)理電路,線(xiàn)性補(bǔ)償電路通過(guò)采用XTR105芯片,通過(guò)溫度測(cè)量范圍匹配,從而達(dá)到要求。AD轉(zhuǎn)換用F149內(nèi)部12位分辨率的ADC。LCD是2行×16列的字符型液晶顯示器。系統(tǒng)的電路框圖如圖1所示。

          1.1
          MSP430是德州公司新開(kāi)發(fā)的一類(lèi)具有16位總線(xiàn)的帶FLASH的,由于其性?xún)r(jià)比和集成度高,受到廣大技術(shù)開(kāi)發(fā)人員的青睞。它采用16位的總線(xiàn),外設(shè)和內(nèi)存統(tǒng)一編址,尋址范圍可達(dá)64K,還可以外擴(kuò)展存儲(chǔ)器。具有統(tǒng)一的中斷管理,具有豐富的片上外圍模塊,片內(nèi)有精密硬件乘法器、兩個(gè)16位定時(shí)器、一個(gè)12位的器、一個(gè)看門(mén)狗、6路I/O端口、兩路USART通信端口、一個(gè)比較器、一個(gè)DCO內(nèi)部振蕩器和兩個(gè)外部時(shí)鐘,支持8M的時(shí)鐘。對(duì)于FLASH型則有十分方便的開(kāi)發(fā)調(diào)試環(huán)境,因?yàn)槠骷瑑?nèi)有JTAG調(diào)試接口,還有可電擦寫(xiě)的FLASH存儲(chǔ)器,因此采用先通過(guò)JTAG接口下載程序到FLASH內(nèi),再由JTAG接口控制程序運(yùn)行、讀取片內(nèi)CPU狀態(tài),以及存儲(chǔ)器內(nèi)容信息供者調(diào)試,整個(gè)開(kāi)發(fā)都可以在同一個(gè)集成環(huán)境中進(jìn)行。這種方式只需要一臺(tái)PC機(jī)和一個(gè)JTAG調(diào)試器,而不需要專(zhuān)用仿真器和編程器。開(kāi)發(fā)語(yǔ)言有匯編語(yǔ)言和C語(yǔ)言。
          1.2 PT100溫度傳感器
          溫度是表征物體冷熱程度的物理量,它可以通過(guò)物體隨溫度變化的某些特性(如電阻、電壓變化等特性)來(lái)間接測(cè)量,金屬鉑(Pt)的電阻值隨溫度變化而變化,并且具有很好的重現(xiàn)性和穩(wěn)定性,利用鉑的此種物理特性制成的傳感器稱(chēng)為鉑電阻溫度傳感器,通常使用的鉑電阻溫度傳感器零度阻值為100Ω,電阻變化率為0.3851Ω/℃。鉑電阻溫度傳感器精度高,穩(wěn)定性好,應(yīng)用溫度范圍廣,是中低溫區(qū)(-200~650℃)最常用的一種溫度檢測(cè)器,不僅廣泛應(yīng)用于工業(yè)測(cè)溫,而且被制成各種標(biāo)準(zhǔn)溫度計(jì)供計(jì)量和校準(zhǔn)使用。PT100的溫度/電阻曲線(xiàn)如圖2所示。

          按IEC751國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),溫度系數(shù)TCR=O.003851,Pt100(R0=100Ω)、Pt1000(R0=1000Ω)為統(tǒng)一設(shè)計(jì)型鉑電阻。TCR=(R100一R0)/(R0×100)。PT100與PT1000的標(biāo)準(zhǔn)阻值如表1所示。

          溫度/電阻特性公式如下:
          -200t0℃ Rt=R0[1+At+Bt2+C(t-100)t3]
          0t850℃ Rt=R0(1+At+Bt2]
          其中Rt在t℃時(shí)的電阻值,R0在0℃時(shí)的電阻值

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