Flash Memory作為數(shù)據(jù)存儲器在E5中的應用

在實際應用中，F(xiàn)astChip自動將E5 CSL數(shù)據(jù)存放在FLASH的SA12，如果這部分數(shù)據(jù)需要占用的空間超過64KByte，則向后繼續(xù)占用SA13，并依此類推；其余SA0~SA11作為程序代碼存放區(qū)。實際上程序代碼所需要的存儲空間并不是總需要那么大，多數(shù)情況下甚至少于64KByte。因此我們可以將FLASH中的部分區(qū)域劃做數(shù)據(jù)存儲，用于保存需要在掉電或硬件復位后可再恢復的數(shù)據(jù)。

3． FLASH 做DATA MEMORY的說明
使用FLASH中的部分區(qū)域作數(shù)據(jù)存儲，必然涉及到數(shù)據(jù)的改寫。對FLASH而言，在進行數(shù)據(jù)改寫時，必須先將該數(shù)據(jù)所在的SECTOR完全擦除（ERASE），然后再執(zhí)行寫（WRITE）操作。受FLASH操作的限制，在對FLASH進行EREASE、WRITE操作時，相應部分功能程序代碼不可能從FLASH內(nèi)取得，所以必須預先將它們轉(zhuǎn)移到適當?shù)奈恢?SRAM)，以保證讀、寫FLASH的程序正常運轉(zhuǎn)，完成這一部分操作完成后，可以恢復從FLASH內(nèi)取得程序代碼繼續(xù)執(zhí)行其他功能。
在這些應用中,內(nèi)部SRAM由CODE與XDATA地址空間共享。E5內(nèi)部有一定容量（64K）的SRAM，故可以從SRAM取得程序代碼完成規(guī)定的操作。但是這個RAM的容量有限（具體：E502-8KByte，E505-16KByte，E512-32KByte，E520-40KByte），而且SRAM本身還必須預留足夠的空間作為中間數(shù)據(jù)的存放，所以轉(zhuǎn)移到RAM的程序代碼應該盡可能精簡。
要E5完成對FLASH中部分區(qū)間的數(shù)據(jù)改寫，最少必須具有以下兩個功能：將程序代碼區(qū)的內(nèi)容轉(zhuǎn)移到內(nèi)部RAM區(qū)；完成對FLASH的ERASE、WRITE。
3.1 程序代碼轉(zhuǎn)移
按照設(shè)計要求，被轉(zhuǎn)移的程序代碼所完成的功能是操作FLASH。為保證該部分代碼轉(zhuǎn)移至E5內(nèi)部RAM后能正確運行，代碼的絕對起始地址應該為0。
這部分代碼應該利用FastChip的CODE BANK存放在單獨的BANK內(nèi)。如一般功能應用程序占用BANK0~N，則這部分代碼存放在BANKN+1。
進行程序代碼轉(zhuǎn)移時，需要確定的參數(shù)包括：被轉(zhuǎn)移程序代碼的首地址、被轉(zhuǎn)移程序代碼的長度、被轉(zhuǎn)入?yún)^(qū)間的首地址。在進行該項工作之前，確認改變地址映射器的設(shè)置不會導致程序運行的混亂。
3.2 Internal RAM區(qū)塊說明
改寫FLASH的功能代碼必須在Internal RAM運行，而且起始地址必須是0000，因此，在設(shè)計時，Internal RAM的低段區(qū)域不要用來保存數(shù)據(jù)，我們設(shè)定該區(qū)域長度為4KByte，地址范圍0001_0000~0001_0FFF。即其它數(shù)據(jù)的存取在0001_1000H之上。
3.3 地址映射
為將FLASH區(qū)域內(nèi)的功能代碼轉(zhuǎn)移到Internal RAM指定的位置，我們設(shè)置地址映射器來分別指向：
設(shè)置地址映射器DMAP2，使保存有改寫FLASH的功能代碼的FLASH之SECTOR的地址映射至XDATA區(qū)的0000~0FFF。映射器DMAP2各寄存器設(shè)置如下：
DMAP2_TAR_00x00 ；源映射區(qū)的起始地址
DMAP2_TAR_10x（80+BANK_No） ；源映射區(qū)的起始地址
DMAP2_TAR_20x00 ；源映射區(qū)的起始地址
DMAP2_ SRC0x00 ；目的映射區(qū)的起始地址
DMAP2_ CTL0x2C ；代碼長度
設(shè)置地址映射器DMAP4，將Internal RAM低4KByte的地址映射至XDATA區(qū)的1000~1FFF。映射器DMAP4各寄存器設(shè)置如下：
DMAP4_TAR_00x00 ；源映射區(qū)的起始地址
DMAP4_TAR_10x01 ；源映射區(qū)的起始地址
DMAP4_TAR_20x00 ；源映射區(qū)的起始地址
DMAP4_ SRC0x10 ；目的映射區(qū)的起始地址
DMAP4_ CTL0x2C ；代碼長度
完成上述存儲器映射后，就可以將FLASM MEMORY的程序按BYTE TO BYTE的方式COPY到INTERNAL SRAM內(nèi)執(zhí)行。當然，這些都是在XDATA中處理的。

4．對FLASH的操作
在這個設(shè)計中，感興趣的是FLASH作數(shù)據(jù)存儲區(qū)使用，而不是作為程序存儲區(qū)使用時的操作，所以，下面的描述是針對FLASH作數(shù)據(jù)存儲區(qū)使用時的關(guān)注事項。
在進行操作前，要事先進行地址映射器的配置，使DPTR能正確指向。
讀（READ）--類似于標準的RAM?？稍谌我鈺r候進行。
寫（WRITE）--FLASH片內(nèi)任一位都只能從1寫為0，要從0寫為1，必須使用擦除操作。
擦除（ERASE）--擦除操作不能針對特定的字節(jié)，最少必須以扇區(qū)為單位進行，也可以選擇將整個器件內(nèi)的字節(jié)全部擦除。
對FLASH的讀、擦除操作，必須按照其Datasheet給定的步驟進行。如：
擦除： xxAAA/AA-xx555/55-xxAAA/80-xxAAA/AA-xx555/55-xxAAA/10（整片擦除）； xxAAA/AA-xx555/55-xxAAA/80-xxAAA/AA-xx555/55-ADDR/30（按扇區(qū)擦除）
很顯然，在我們的應用中，不能使用整片擦除操作，只能按需要將要改寫的扇區(qū)進行擦除以保存我們的數(shù)據(jù)。
寫：xxAAA/AA-xx555/55-xxAAA/A0-PA/PD
寫FLASH時，每個命令序列只能寫一個字節(jié)。其中PA是所要改寫的字節(jié)的地址，PD是將要寫入的內(nèi)容。

5．總結(jié)
在很多場合，如何將數(shù)據(jù)保護而不受掉電的影響是很重要的。本文作者創(chuàng)新點：說明了在E5微處理器中如何將FALSH MEMORY用與存取、保護數(shù)據(jù)，提供了FLASH與SRAM在XDATA空間中映射的方法，希望對使用E5 CPU的研發(fā)人員能有所幫助。