為量產(chǎn)10nm制程鋪路　ASML攜手IMEC建置APC

　　艾司摩爾(ASML)與比利時(shí)微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設(shè)立先進(jìn)曝光中心(Advanced Patterning Center, APC)，助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)突破10奈米(nm)以下先進(jìn)奈米曝光制程技術(shù)關(guān)卡，讓微影(Lithography)技術(shù)及其設(shè)備更臻成熟，加速制程微縮技術(shù)的商用化。

　　ASML總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)Martin van den Brink表示，長(zhǎng)期以來(lái)，該公司與IMEC的合作，已促成半導(dǎo)體制程發(fā)展不斷突破;而此次的合作案，預(yù)期將進(jìn)一步加快先進(jìn)奈米制程技術(shù)及其相關(guān)設(shè)備的進(jìn)展。

　　據(jù)了解，ASML和IMEC為確保未來(lái)10奈米以下制程中，關(guān)鍵晶圓尺寸的一致性和曝光重疊(Overlay)控制符合要求，將聯(lián)手研究在曝光制程中不同步驟的相互影響性;并將于先進(jìn)曝光中心導(dǎo)入實(shí)際的元件，藉此分析和最佳化制程步驟，以及材料和元件結(jié)構(gòu)的選擇。

　　IMEC總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)Luc Van den hove強(qiáng)調(diào)，雙方的合作將加快擴(kuò)充10奈米制程的微影技術(shù)知識(shí)庫(kù)(Knowledge Base)，并獲取最先進(jìn)的10奈米以下曝光制程技術(shù)，其將成為日后解決制程微縮和基礎(chǔ)建設(shè)(Infrastructure)窒礙的關(guān)鍵。

　　據(jù)悉，先進(jìn)曝光中心將集結(jié)ASML和IMEC的專長(zhǎng)、工程能力及曝光基礎(chǔ)建設(shè)，以因應(yīng)投入研發(fā)過程中面臨的窒礙、基礎(chǔ)建設(shè)投資及所需的曝光知識(shí)。其中，ASML將支援先進(jìn)曝光中心的先進(jìn)掃描機(jī)、量測(cè)系統(tǒng)(Metrology System)及全面微影(Holistic Lithography)方案。

　　至于IMEC則將偕同材料和設(shè)備供應(yīng)商、整合元件制造商(IDM)、晶圓代工廠和無(wú)晶圓(Fabless)廠等合作夥伴網(wǎng)絡(luò)，協(xié)助打造全球領(lǐng)先的潔凈室基礎(chǔ)設(shè)備(完整的300毫米晶圓試產(chǎn)線，并可延伸至450毫米晶圓)。

　　該中心將設(shè)在位于比利時(shí)魯汶(Leuven)的IMEC園區(qū)內(nèi)，預(yù)計(jì)未來(lái)幾年工程師數(shù)量將擴(kuò)增至近一百位。