電壓基準芯片參數(shù)以及應用技巧分析

噪聲是衡量電壓基準芯片的性能的另一個重要參數(shù)。通常在0.1Hz到10Hz和10Hz到10kHz兩個頻率范圍內(nèi)給出噪聲參數(shù)，以便設計者估算電壓基準在所關注的頻率范圍內(nèi)的噪聲。輸出噪聲通常與輸出電壓成比例，以ppm為單位。0.1Hz到10Hz的噪聲主要是閃爍噪聲，或稱為公式2噪聲，其噪聲幅度與頻率成反比，一般會給出這一頻率范圍內(nèi)噪聲的峰峰值(P-P)。不同半導體器件的閃爍噪聲特性差別很大，例如MOSFET的閃爍噪聲比較大，而雙極型晶體管的閃爍噪聲則要小得多，次表面擊穿的穩(wěn)壓管閃爍噪聲也很小，因此采用不同工藝設計的電壓基準芯片，低頻噪聲特性差別會比較大。

10Hz到10kHz頻率范圍以及高于這個頻率范圍的噪聲主要是熱噪聲，在有效帶寬內(nèi)頻率特性基本上是平坦的，通過給出的噪聲有效值(rms)可以很輕易估算出某一頻率范圍內(nèi)的熱噪聲。增大電流可以有效降低噪聲，因此優(yōu)良的噪聲特性往往是以犧牲功耗為代價的。用戶可以在電壓基準輸出端添加濾波電容或其他濾波電路限制噪聲帶寬，以改善噪聲特性，從而達到設計要求。

ICN25XX系列電壓基準芯片采用特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，達到了CMOS工藝通常很難實現(xiàn)的低噪聲水平：0.1Hz到10Hz為13ppm(P-P);10Hz到10kHz為32ppm(rms);而且還保持了CMOS工藝的功耗上風，靜態(tài)電流僅為75A。

某些應用對電壓基準芯片的瞬態(tài)特性會有要求。瞬態(tài)特性包括三個方面：上電建立時間、小信號輸出阻抗(高頻)、大信號恢復時間(動態(tài)負載)。不同廠商推出的電壓基準芯片的瞬態(tài)特性可能區(qū)別很大，良好的瞬態(tài)特性往往也是以犧牲功耗為代價的。ICN25XX系列電壓基準內(nèi)部集成緩沖放大器，采用特殊結(jié)構(gòu)，能夠提供良好的瞬態(tài)特性、線性調(diào)整率及負載調(diào)整率，并能夠保證很大輸出濾波電容范圍內(nèi)的穩(wěn)定性。