電壓基準(zhǔn)芯片參數(shù)以及應(yīng)用技巧分析

噪聲是衡量電壓基準(zhǔn)芯片的性能的另一個(gè)重要參數(shù)。通常在0.1Hz到10Hz和10Hz到10kHz兩個(gè)頻率范圍內(nèi)給出噪聲參數(shù)，以便設(shè)計(jì)者估算電壓基準(zhǔn)在所關(guān)注的頻率范圍內(nèi)的噪聲。輸出噪聲通常與輸出電壓成比例，以ppm為單位。0.1Hz到10Hz的噪聲主要是閃爍噪聲，或稱為公式2噪聲，其噪聲幅度與頻率成反比，一般會(huì)給出這一頻率范圍內(nèi)噪聲的峰峰值(P-P)。不同半導(dǎo)體器件的閃爍噪聲特性差別很大，例如MOSFET的閃爍噪聲比較大，而雙極型晶體管的閃爍噪聲則要小得多，次表面擊穿的穩(wěn)壓管閃爍噪聲也很小，因此采用不同工藝設(shè)計(jì)的電壓基準(zhǔn)芯片，低頻噪聲特性差別會(huì)比較大。

10Hz到10kHz頻率范圍以及高于這個(gè)頻率范圍的噪聲主要是熱噪聲，在有效帶寬內(nèi)頻率特性基本上是平坦的，通過(guò)給出的噪聲有效值(rms)可以很輕易估算出某一頻率范圍內(nèi)的熱噪聲。增大電流可以有效降低噪聲，因此優(yōu)良的噪聲特性往往是以犧牲功耗為代價(jià)的。用戶可以在電壓基準(zhǔn)輸出端添加濾波電容或其他濾波電路限制噪聲帶寬，以改善噪聲特性，從而達(dá)到設(shè)計(jì)要求。

ICN25XX系列電壓基準(zhǔn)芯片采用特殊的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，達(dá)到了CMOS工藝通常很難實(shí)現(xiàn)的低噪聲水平：0.1Hz到10Hz為13ppm(P-P);10Hz到10kHz為32ppm(rms);而且還保持了CMOS工藝的功耗上風(fēng)，靜態(tài)電流僅為75A。

某些應(yīng)用對(duì)電壓基準(zhǔn)芯片的瞬態(tài)特性會(huì)有要求。瞬態(tài)特性包括三個(gè)方面：上電建立時(shí)間、小信號(hào)輸出阻抗(高頻)、大信號(hào)恢復(fù)時(shí)間(動(dòng)態(tài)負(fù)載)。不同廠商推出的電壓基準(zhǔn)芯片的瞬態(tài)特性可能區(qū)別很大，良好的瞬態(tài)特性往往也是以犧牲功耗為代價(jià)的。ICN25XX系列電壓基準(zhǔn)內(nèi)部集成緩沖放大器，采用特殊結(jié)構(gòu)，能夠提供良好的瞬態(tài)特性、線性調(diào)整率及負(fù)載調(diào)整率，并能夠保證很大輸出濾波電容范圍內(nèi)的穩(wěn)定性。