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          薄膜電容替代電解電容在DC-Link電容中的運用分析

          作者: 時間:2013-08-26 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          0 引言

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/174785.htm

          隨著各國出臺新能源相關(guān)政策以及新能源產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,該領(lǐng)域的相關(guān)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也帶來了新機遇,電容器作為必不可少的上游相關(guān)產(chǎn)品行業(yè)也獲得了新的發(fā)展機遇。在新能源及新能源汽車運用中,電容器在能源、管理、逆變以及交流變換等系統(tǒng)中是決定變流器壽命的關(guān)鍵元器件。變流技術(shù)在上述系統(tǒng)中普遍得到運用,然而在逆變器中電作為輸入,需通過母線與逆變器連接,該方式叫作DC-Link或直流支撐。因逆變器在從DC-Link得到有效值和峰值很高的脈沖電流的同時,會在DC-Link上產(chǎn)生很高的脈沖電壓使得逆變器難以承受。所以需要選擇DC-Link電容器來連接,一方面以吸收逆變器從DC-Link端的高脈沖電流,防止在DC-Link的阻抗上產(chǎn)生高脈沖電壓,使逆變器端的電壓波動處在可接受范圍內(nèi);另一方面也防止逆變器受到DC-Link端的電壓過沖和瞬時過電壓的影響。

          為新能源(含風(fēng)力發(fā)電和光伏發(fā)電)以及新能源汽車電機驅(qū)動系統(tǒng)中DC-Link電容器的運用示意圖圖1、2.

          圖1為風(fēng)力發(fā)電變流器電路拓?fù)鋱D,其中C1為DC-Link(一般整合到模塊上),C2為IGBT吸收,C3為LC濾波(網(wǎng)側(cè)),C4轉(zhuǎn)子側(cè)DV/DT濾波。圖2為光伏發(fā)電變流器電路拓?fù)鋱D,其中C1為DC濾波,C2為EMI濾波,C4為DC-Link,C6為LC濾波(網(wǎng)側(cè)),C3為DC濾波,C5為IPM/IGBT吸收。圖3為新能源汽車系統(tǒng)中主電機驅(qū)動系統(tǒng),其中C3為DCLink,C4為IGBT吸收電容。

          在上述提到的新能源領(lǐng)域運用中,DCLink電容作為一個關(guān)鍵器件,不管是在風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)、光伏發(fā)電系統(tǒng)還是在新能源汽車系統(tǒng)中都要求高可靠性及長壽命,其選型顯得尤為重要。下面介紹薄膜電容與電解電容的特性對比及在DC-Link電容運用中兩者的分析對比:

          1.特性對比

          1.1 薄膜電容

          首先介紹薄膜金屬化的原理,薄膜金屬化技術(shù)的原理:在薄膜介質(zhì)表面蒸鍍上足夠薄的金屬層,在介質(zhì)存在缺陷的情況下,該鍍層能夠蒸發(fā)并因此隔離該缺陷點起到保護作用,這種現(xiàn)象被稱作自愈。圖4為金屬化鍍膜的原理圖,蒸鍍前薄膜介質(zhì)先進行前期處理(電暈或其他方式)以便金屬分子能夠附著在上面。金屬通過在真空狀態(tài)下高溫溶化蒸發(fā)(鋁的蒸發(fā)溫度1400攝氏度~1600攝氏度,鋅的蒸發(fā)溫度400攝氏度~600攝氏度),當(dāng)金屬蒸氣遇被冷卻的薄膜后凝結(jié)在薄膜表面(薄膜冷卻溫度-25攝氏度~-35攝氏度),從而形成金屬鍍層。金屬化技術(shù)的發(fā)展提高了單位厚度的薄膜介質(zhì)的介電強度,干式技術(shù)脈沖或放電運用電容設(shè)計可以達到500V/μm,直流濾波運用電容設(shè)計可以達到250V/μm.DC-Link電容屬于后者,根據(jù)IEC61071對于電力電子運用電容的要求可以承受較為苛刻的電壓沖擊,可以達到2倍的額定電壓。因此使用者只需考慮其設(shè)計所需的額定工作電壓就可以了。金屬化薄膜電容器具有較低的ESR,使其能承受較大的紋波電流;較低的ESL滿足逆變器的低電感設(shè)計要求,減少了開關(guān)頻率下的震蕩效應(yīng)。

          薄膜介質(zhì)的質(zhì)量、金屬化鍍層質(zhì)量、電容器設(shè)計及制造過程工藝決定了金屬化電容器自愈特性的好壞。Faratronic生產(chǎn)的DC-Link電容用的薄膜介質(zhì)主要為OPP薄膜。

          1.2 電解電容

          電解電容使用的介質(zhì)為鋁經(jīng)過腐蝕形成的氧化鋁,介電常數(shù)為8~8.5,工作的介電強度約為0.07V/A(1μm=10000A),按照計算對于900Vdc的電解電容需要的厚度為12000A.然而要達到這樣的厚度是不可能的,因為為了獲得好的儲能特性所用鋁箔要進行腐蝕形成氧化鋁膜,表面會形成許多凹凸不平的曲面,鋁層厚度會降低電解電容的容量系數(shù)(比容)。另一方面,低電壓的電解液電阻率為150Ωcm,高電壓(500V)的電解液的電阻率則達到5kΩcm.

          電解液較高的電阻率限制了電解電容所能承受的有效值電流,一般為20mA/μF.

          基于上述原因電解電容的設(shè)計最高電壓典型值為450V(有個別廠家設(shè)計600V)。

          因此,為了獲得更高的電壓必須用電容器串聯(lián)實現(xiàn),然而因各個電解電容的絕緣電阻存在差異,為了平衡各串聯(lián)電容的電壓,各電容必須連接一個電阻。此外,電解電容為有極性器件,當(dāng)施加反向電壓超過1.5倍Un時,會發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)。當(dāng)施加的反向電壓時間足夠長,電容將發(fā)生爆炸,或冒頂電解液將外溢。為了避免該現(xiàn)象發(fā)生,使用的時候要在每個電容旁并上一個二極管。除此之外,電解電容的耐電壓沖擊特性,一般為1.15倍Un,好的可以達到1.2倍Un.這樣設(shè)計師在使用時就不但要考慮穩(wěn)態(tài)工作電壓大小,而且還要考慮其沖擊電壓大小。

          綜上所述,可以得出薄膜電容與電解電容如下特性對比表,見表1.

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