LED驅動電源單極PFC反激式開關電源的設計（二）
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5.2.4 MOS管的選取
本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/175115.htm開關管MOSFET最大漏極電流IDMAX應大于開關管所流過的峰值電流IPKP至少1.5倍，MOSFET的漏源擊穿電壓(參考圖四)BVDSS應大于最大輸入電壓，VOR以及漏感引起的尖峰之和，一般應留至少90%的余量。
5.2.5 次級整流管的選取
考慮一定的裕量，次級整流管D最大反向電壓VRM需滿足：
因為反激式開關電源次級整流二極管只有在電源Toff的時候才會導通，輸出在導通時必須能夠承受整個輸出電流的容許值。輸出二極管需要的最小正向導通峰值電流為：
Dmax為工作周期，如果設定Dmax為0.5則Ifps>4Iout
5.2.6 輸出電容的選取
輸出電容電壓通常呈現(xiàn)兩種紋波，一種是由高頻輸出電流引起，主要與輸出電容的等效竄連電阻(ESR)大小有關，另外一種是低頻紋波，為了獲得較高的PF值，環(huán)路帶寬通常較窄，因此輸出不可避免地出現(xiàn)較大的兩倍輸入電壓頻率紋波，其值與電容大小有關，一般說來低頻紋波滿足要求時，高頻紋波因為電容等效ESR夠小，可以忽視。電容的容量可以參考各個廠家的規(guī)格書(一般選用高頻低阻型)選用，根據(jù)產(chǎn)品的實際工作溫度，電壓和考慮產(chǎn)品的MTBF選取合適的電容系列型號。
5.2.7 IC主要外圍參數(shù)選取
5.2.7.1 最大導通時間典型參數(shù)選取
圖五
5.2.7.2 Cs Pin參數(shù)選取
R1與C1為用來濾除突波的濾波器
R1: 100?~300?
C1: 100PF~470PF
圖六
5.2.7.3 RZCD參數(shù)選取
圖七
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