創(chuàng)新的低待機(jī)損耗解決方案應(yīng)用于反激式轉(zhuǎn)換器

節(jié)能技術(shù)在當(dāng)今電子行業(yè)中，已成為一個(gè)熱點(diǎn)，其中最受關(guān)注的是待機(jī)功耗。相當(dāng)一部分產(chǎn)品有一定比例的時(shí)間處于輕載或待機(jī)(空載)工作模式，而“能源之星”等規(guī)范標(biāo)準(zhǔn)在致力于提升電子設(shè)備所用電源適配器工作效能的同時(shí)，也注重提升輕載效能及降低待機(jī)功耗。為了降低待機(jī)功耗，來滿足最新的“能源之星”規(guī) 范，飛兆半導(dǎo)體已將許多全新省電技術(shù)與功能應(yīng)用于反激式轉(zhuǎn)換器 (flyback converter)。根據(jù)實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，在交流輸入電源為230V情況下，將可以實(shí)現(xiàn)30mW極低的待機(jī)功耗。

本篇文章將探討一些創(chuàng)新技術(shù)，包括：內(nèi)建高壓啟動(dòng)電路、待機(jī)時(shí)的極端脈沖降頻模式(Deep Burst Mode)、極低的工作電流以及高壓組件放電 X電容技術(shù) (Ax-CAP™)，以便節(jié)省放電電阻的功耗與使用，以上這些省電方法將使電源設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)向低成本、省電和高效率的最佳電源解決方案。

簡介

美國能源之星(ENERGY STAR) 從2009 年1 月起，針對(duì)無載的電源消耗訂定了嚴(yán)格的規(guī)范，表一所列是在不同的額定瓦數(shù)下的詳細(xì)規(guī)定。

表一、 EPS v2.0 無載時(shí)能源損耗標(biāo)準(zhǔn)

當(dāng)前，能源之星規(guī)范已不足以作為新一代電子產(chǎn)品對(duì)節(jié)能的要求，世界大廠如蘋果、惠普和戴爾等響應(yīng)環(huán)保議題，已經(jīng)積極提出更為嚴(yán)苛的規(guī)范，對(duì)此，飛兆半導(dǎo)體已將無載損耗門檻降低至30mW。

圖一中為典型的反激式轉(zhuǎn)換器，下面分析電源轉(zhuǎn)換器在無載下的損耗。主要的損耗 (不含變壓器損耗) 包括了開關(guān)損耗(Switching loss) 以及由控制電路組件所造成的損耗。表二分別對(duì)這些主要損耗列出損耗估算式和一般的改進(jìn)對(duì)策。

圖一、典型的反激式轉(zhuǎn)換器電路

表二、無載的主要損耗分析表(不含變壓器損耗)

這些主要的無載或極輕載損耗，如圖一所示將被劃分A、B和C三個(gè)區(qū)域來討論，應(yīng)用飛兆半導(dǎo)體的創(chuàng)新技術(shù)，可分別降低這三部分的損耗。

首先為A區(qū)域，A區(qū)域里有消除電磁干擾的X電容器與并聯(lián)的安規(guī)放電電阻，基本上這器件的選用必須符合安規(guī)等式(1)，其中安規(guī)規(guī)定的放電時(shí)間須滿足于1秒 內(nèi);并聯(lián)接線方式勢必于安規(guī)電阻上會(huì)有電能的功耗，且與輸入電源電壓的平方成正比增加，這個(gè)功耗可利用等式(2)得知，例如當(dāng)輸入電源為264V且放電電 阻為2MΩ時(shí)，將會(huì)有可觀的35mW在此區(qū)域消耗。

FAN6756使用創(chuàng)新的內(nèi)部高壓器件對(duì) X電容放電技術(shù)(Ax-CAP™)，消去放電電阻的功耗并不需此電阻的使用仍可通過安規(guī)認(rèn)證。

在圖二中，當(dāng)于無載或極輕載時(shí)拔去輸入電源插頭時(shí)，交流電壓(VAC)會(huì)保持在一個(gè)近似穩(wěn)定的電壓加在X電容器兩端，F(xiàn)AN6756通過HV引腳的取樣邏輯去得知VAC 的電壓變化，這個(gè)邏輯電路內(nèi)部設(shè)置有一個(gè)比較電壓 (VThreshold)去檢測是否VAC電壓值在芯片設(shè)定的延時(shí)時(shí)間(debouncing)內(nèi)始終高于這個(gè)比較電壓 (VThreshold)，如果確認(rèn)此時(shí)為拔插頭的狀況，F(xiàn)AN6756 將HV腳通過內(nèi)部開關(guān)管連接至VDD，利用高壓啟動(dòng)電流將X電容上的電荷釋放;此功能只在無載或極輕載條件下有效，而取樣邏輯的判斷時(shí)間約為40ms。

圖二 、拔去輸入插頭的相關(guān)電壓行為

從圖三中可得知HV引腳功能包括高壓啟動(dòng)、輸入電壓取樣電路和X電容放電機(jī)制， M1開關(guān)是連接高壓和VDD之間的橋梁，由UVLO來控制。M1開關(guān)和R2路徑用來實(shí)現(xiàn)高壓啟動(dòng)功能， M3開關(guān)是通過一個(gè)頻率信號(hào)控制來做輸入電壓取樣控制，R2和R1分壓形成一個(gè)輸入電壓 (VINAC)的取樣到比較器的反相輸入端;VINAC是用來偵測輸入電源的電壓值;VREF是用來做為放電判斷的參考電壓。假如VINAC總是高于 VREF，M2開關(guān)將被閉合，VDD電位將被放電到VDD_OFF，使得UVLO保護(hù)觸發(fā)，UVLO保護(hù)將打開 M1開關(guān)并關(guān)閉M2，HV引腳將從X電容汲取所需的啟動(dòng)電流對(duì)VDD的電容重新充電，以達(dá)到放電功能。

圖三、HV引腳的邏輯電路圖

接下來介紹如何改進(jìn)B區(qū)域的損耗，于B區(qū)域致力的目標(biāo)是降低功率晶體管和 IC的功耗。功率晶體管主要功耗因素有VDD電壓、Burst的時(shí)間長短和開關(guān)頻率(FSW) 如等式(3)所示，在一般工作模式中(非保護(hù)模式)，F(xiàn)AN6756使用創(chuàng)新技術(shù)去產(chǎn)生極低的UVLO電壓約為6.5V，所以輔助繞組電壓設(shè)定將可大幅降低;其次將Burst時(shí)間延長，降低在無載或極輕載時(shí)的工作頻率與脈沖頻率(fBurst)使FAN6756進(jìn)入極端脈沖降頻模式，進(jìn)而降低開關(guān)損耗;另一方面在柵極無輸出的情況下讓IC的工作電流(IOP_Gate-off) 降低，以減少如等式(4)所示的IC靜態(tài)損耗。圖四為于高壓無載條件下的實(shí)際量測波形，輔助繞組電壓平均值大約為12V而柵極與柵極驅(qū)動(dòng) 之間的距離大約為1.12秒，此種方法可以降低 B 區(qū)域**率晶體管和 PWM IC 的功耗。圖五定義出等式 (3) 與等式 (4) 中的相關(guān)參數(shù)。