Cortex-M4核Kinetis平臺的電容式觸摸鍵盤設(shè)計
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3．2 TSI模塊自校準
TSI模塊初始化之后，要實現(xiàn)電容式感應(yīng)觸摸的檢測，還需要對TSI模塊進行電容值的校準，采樣正常無手指觸摸情況下的電容量即內(nèi)部計數(shù)器的計數(shù)值，將其與自定義的死區(qū)值進行相加和相減之后分別存入閾值寄存器的高部分和低部分，以此作為標準檢測電極電容變化區(qū)間，當(dāng)電容量的變化處于死區(qū)區(qū)間內(nèi)時，不會觸發(fā)越界中斷，當(dāng)電容量超出閾值寄存器的范圍時(包括低于閾值寄存器的低部分或者高于閾值寄存器的高部分)自動觸發(fā)越界中斷，具體校準流程如圖7所示。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/176416.htm
3．3 TSI模塊中斷服務(wù)處理
由圖5所示TSI模塊的編程框圖可知，TSI模塊有多種中斷方式，包括錯誤中斷、超時中斷、掃描結(jié)束中斷和越界中斷，在K60 MCU內(nèi)部中斷機制里，它們共享99號中斷向量。本系統(tǒng)設(shè)計采用越界中斷，即正常情況下不占用CPU資源，只有當(dāng)手指觸摸造成電容量超出死區(qū)區(qū)間時才觸發(fā)越界中斷，進入相應(yīng)的中斷服務(wù)函數(shù)進行電容式觸摸按鍵響應(yīng)處理。根據(jù)表1所示通道組合識別出具體觸摸按鍵號，實現(xiàn)觸摸鍵盤的輸入，具體中斷服務(wù)流程如圖8所示。
另外，針對一些更加復(fù)雜的電容式觸摸動作，如旋轉(zhuǎn)、滑動等應(yīng)用，飛思卡爾公司免費提供了強大的觸摸感應(yīng)軟件庫(即TSS庫)和開發(fā)生態(tài)系統(tǒng)的支持，可以直接應(yīng)用在飛思卡爾Kinetis平臺上，不僅縮短了工程開發(fā)周期而且也增加了系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
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