提升電源系統(tǒng)可靠性的有效選擇

對于LLC 電路來說死區(qū)時間的初始電流為

而LLC能夠?qū)崿F(xiàn)ZVS必須滿足

而最小勵磁電感為

根據(jù)以上3個等式，我們可以通過以下三種方式讓LLC實現(xiàn)ZVS.

第一， 增加Ipk.

第二， 增加死區(qū)時間。

第三， 減小等效電容Ceq即Coss.

從以上幾種狀況，我們不難分析出。增加Ipk會增加電感尺寸以及成本，增加死區(qū)時間會降低正常工作時的電壓，而最好的選擇無疑是減小Coss,因為減小無須對電路做任何調(diào)整，只需要換上一個Coss相對較小MOSFET即可。

5. Infineon CoolMOS CFD系列

Infineon CoolMOS CFD2是Infineon CoolMOS CFD系列的第二代產(chǎn)品也是目前市場上第一顆650V并且?guī)Э旎謴?fù)二極管的650V高壓MOSFET.

極低的Qrr和trr使得該MOSFET可以輕松的應(yīng)對LLC硬關(guān)斷時各種現(xiàn)象。圖8中是CoolMOS CFD2 Qrr和其他系列的MOS的對比，可以明顯的看見Cool CFD2 (IPW65R080CFD)的Qrr要遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于其他系列。圖9是LLC 電路發(fā)生硬關(guān)斷的波形比較，此時由于二極管反向恢復(fù)所產(chǎn)生的峰值電壓要遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于其他型號MOSFET. 因此CoolMOS CFD2在LLC拓?fù)?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/電源">電源系統(tǒng)發(fā)生啟機，動態(tài)負(fù)載，過載，短路等異常情況下表現(xiàn)出更高的可靠性。

圖8 CoolMOS CFD2 Qrr和其他系列的MOS的對比

同時我們在圖9中比較了CoolMOS CFD2(IPW65R080CFD)和其他型號同類型的MOSFET的Coss.

圖9 CoolMOS CFD2(IPW65R080CFD)和其他型號同類型的MOSFET的Coss

在Vds電壓高于100V時，CoolMOS CFD2的Coss要比其他的MOSFET小一半左右。

更低的Coss使得LLC更容易實現(xiàn)ZVS,從而進一步提升電源系統(tǒng)效率。

圖10 對比結(jié)果

6. 結(jié)論

LLC 拓?fù)鋸V泛的應(yīng)用于各種開關(guān)電源當(dāng)中，而這種拓?fù)湓?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/提升">提升效率的同時也對MOSFET提出了新的要求。不同于硬開關(guān)拓?fù)洌涢_關(guān)LLC諧振拓?fù)?，不僅僅對MOSFET的導(dǎo)通電阻(導(dǎo)通損耗)，Qg(開關(guān)損耗)有要求，同時對于如何能夠有效的實現(xiàn)軟開關(guān)，如何降低失效率，提升系統(tǒng)可靠性，降低系統(tǒng)的成本有更高的要求。英飛凌CoolMOS CFD2系列，具有快速的體二極管，低Coss,高達(dá)650V的擊穿電壓，使LLC拓?fù)溟_關(guān)電源具有更高的效率和可靠性。