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          基于MC33067的LLC諧振全橋變換器的應(yīng)用設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2012-05-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:以其卓越的性能迅速成為DC/DC的首選拓?fù)?,而目前該拓?fù)浯蠖?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/應(yīng)用">應(yīng)用在小功率半橋,而在大功率變換器中的還較少。在此提出了一種高性能控制器變換器方案,該拓?fù)洳捎昧斯潭ㄋ绤^(qū)的互補(bǔ)調(diào)頻控制方式,巧妙利用了變壓器的勵(lì)磁電感和外置電感與諧振電容發(fā)生諧振,實(shí)現(xiàn)了初級(jí)零電壓(ZVS)開通以及次級(jí)零電流(ZCS)關(guān)斷,并給出了輸出直流電壓48 V,滿載功率2 kW的試驗(yàn)結(jié)果。試驗(yàn)結(jié)果表明,諧振變換器具有高頻、高效率等優(yōu)點(diǎn),符合電源高功率密度、高效的發(fā)展要求。
          關(guān)鍵詞:變換器;軟開關(guān);諧振

          1 引言
          隨著電力電子技術(shù)的高速發(fā)展,對(duì)開關(guān)電源提出了更加高頻化、高效率、高功率密度以及低噪聲等要求。目前比較成熟的軟開關(guān)技術(shù),如移相全橋也很難做到真正理想狀態(tài)的軟開關(guān)(包含主開關(guān)管和次級(jí)整流二極管),并且隨著開關(guān)頻率的升高,其損耗也不斷增加,因此尋求一種更加高效、高開關(guān)頻率以及高功率密度的拓?fù)涑蔀楫?dāng)前研究的重點(diǎn)。LLC諧振全橋變換器作為全橋拓?fù)渲行阅茌^為突出的一種,具備以下優(yōu)點(diǎn):初級(jí)MOSFETZVS開通,次級(jí)整流二極管ZCS關(guān)斷;電路結(jié)構(gòu)簡單,轉(zhuǎn)換效率高;初、次級(jí)的電壓應(yīng)力較低;容易實(shí)現(xiàn)高頻化,故容易實(shí)現(xiàn)高功率密度,并且當(dāng)其工作在所設(shè)定的諧振頻率時(shí),初、次級(jí)電流都接近正弦,高次諧波小,有利于EMI。
          目前,LLC諧振全橋變換器的方法較復(fù)雜,大多都是在LLC諧振半橋變換器設(shè)計(jì)方法的基礎(chǔ)上進(jìn)行試探,通過不斷調(diào)試和修正獲得合適的參數(shù)。在此提出了一種高性能諧振控制器的LLC諧振全橋變換器設(shè)計(jì)方法,在設(shè)計(jì)合理的前提下,變換器可以輕易實(shí)現(xiàn)初級(jí)MOSFET ZVS開通,次級(jí)整流二極管ZCS關(guān)斷,體現(xiàn)了變換器的高頻高效化。

          2 LLC諧振全橋變換器拓?fù)浼肮ぷ鳈C(jī)理
          全橋變換器由于具有較高功率密度而廣泛于中、大功率場(chǎng)合,其主電路拓?fù)淙鐖D1所示。該電路主要包括初級(jí)4個(gè)功率MOSFET、諧振電感Lr、諧振電容Cr、勵(lì)磁電感Lm,次級(jí)則由整流二極管VD5和VD6以及輸出濾波電容Co組成。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/177345.htm

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          可見,拓?fù)渲写渭?jí)沒有濾波電感,整流二極管無需緩沖吸收網(wǎng)絡(luò),與傳統(tǒng)的全橋拓?fù)湎啾?,其元件大為減少,且變換器的磁性元件能很容易集成到一個(gè)磁芯,主變壓器的漏感和Lm也能被利用。
          LLC諧振全橋變換器包括如圖2所示的3個(gè)工作區(qū)域:其中區(qū)域1,2的主開關(guān)管工作在ZVS狀態(tài),而區(qū)域3的主開關(guān)管工作在ZCS狀態(tài)。對(duì)于選用MOSFET作為主開關(guān)管的高頻LLC變換器而言,工作在ZVS條件下其開關(guān)損耗最小,工作狀態(tài)較佳,故其所需的工作區(qū)域?yàn)樵鲆媲€的右側(cè)(其中負(fù)斜率表示初級(jí)MOSFET工作在ZVS模式)。當(dāng)LLC變換器工作在如圖2所示的ωs=ωr狀態(tài)下時(shí),其增益由變壓器的匝比決定,從效率和EMI的角度而言,在這個(gè)工作點(diǎn)狀態(tài)下由于正弦初級(jí)電流、MOSFET和次級(jí)整流二極管都得到最優(yōu)化利用,故為最佳工作點(diǎn),但是這只能在特定的工作電壓以及負(fù)載條件下得到。

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