缺陷對石墨烯電子結(jié)構(gòu)的影響
在計算中,以石墨烯原胞擴展后含50個碳原子的超晶胞為基礎(chǔ)分別建立了Stone-Wales缺陷模型和單、雙空位缺陷模型,進行幾何優(yōu)化后分別如圖3所示。建立缺陷模型大小的依據(jù)是盡量減小由于缺陷引入而引起的超胞周圍的形變。本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/177883.htm
在計算所有模型的電學(xué)性質(zhì)時采取的積分路徑如圖1所示,首先由Γ出發(fā)到達X點,再由X點出發(fā)到達K點,最后再由K點回到出發(fā)點Γ點,從而完成在布里淵內(nèi)的積分計算。
2 計算結(jié)果和討論
2.1 石墨烯及其缺陷體系能帶結(jié)構(gòu)
為便于分析缺陷對石墨烯電子結(jié)構(gòu)及導(dǎo)電性的影響,文中首先計算了如圖3(a)所示的含50個碳原子的本征石墨烯超胞模型的能帶結(jié)構(gòu),如圖4(a)所示,其中黑色虛線表示體系的費米能級。在能帶結(jié)構(gòu)中,只關(guān)心費米能級處附近的能帶,因此只在計算結(jié)果中選取費米能級附近20條能帶進行分析
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