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          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 缺陷

          考慮缺陷可能性,將車(chē)用IC DPPM降至零

          • 半導(dǎo)體公司需要思考如何應(yīng)對(duì)所有設(shè)計(jì)流程中的新挑戰(zhàn),方能在快速成長(zhǎng)的車(chē)用 IC市場(chǎng)中提升競(jìng)爭(zhēng)力。為了符合ISO 26262國(guó)際安全規(guī)范中零百萬(wàn)缺陷率(DPPM)的目標(biāo),可測(cè)試性設(shè)計(jì)(DFT)工程師采用了新的測(cè)試模式類(lèi)型,包括單元識(shí)別(cell-aware)、互連和單元間橋接(單元鄰域);但是在選擇應(yīng)用模式類(lèi)型和設(shè)置覆蓋率目標(biāo)時(shí),傳統(tǒng)方式不管在質(zhì)量、測(cè)試時(shí)間還是測(cè)試成本上都存在著改善空間。 圖一 : 半導(dǎo)體公司需要思考如何應(yīng)對(duì)所有設(shè)計(jì)流程中的新挑戰(zhàn),方能在快速成長(zhǎng)的車(chē)用IC市場(chǎng)中提升競(jìng)爭(zhēng)力。(sou
          • 關(guān)鍵字: 缺陷  車(chē)用IC  DPPM  Siemens EDA  

          基于DM642的橋梁纜索表面缺陷圖像采集及傳輸系統(tǒng)設(shè)計(jì)

          • 針對(duì)目前國(guó)內(nèi)橋梁纜索表面缺陷檢測(cè)的不足,提出一種基于DM642的纜索表面缺陷圖像采集及傳輸系統(tǒng)。介紹了該系統(tǒng)的硬件平臺(tái)以及軟件設(shè)計(jì)。系統(tǒng)的硬件平臺(tái)
          • 關(guān)鍵字: 642  DM  表面  缺陷  

          使用SPI找到無(wú)鉛制造缺陷的根本原因

          • 錫膏印刷在無(wú)鉛制造質(zhì)量中發(fā)揮著關(guān)鍵作用,為印刷過(guò)程SMT組裝流程的后續(xù)環(huán)節(jié)部分提供了關(guān)鍵的基礎(chǔ)。為使制造商能夠處理回流焊后焊點(diǎn)的相關(guān)問(wèn)題,根據(jù)錫膏沉積特定的根本原因,對(duì)無(wú)鉛對(duì)生產(chǎn)線(xiàn)最終質(zhì)量的影響是至關(guān)重要
          • 關(guān)鍵字: SPI  無(wú)鉛  缺陷  制造    

          船體結(jié)構(gòu)焊縫超聲波探傷智能化方法

          • 摘要:通過(guò)使用計(jì)算機(jī)控制的陣列式超聲波探頭簡(jiǎn)化超聲波探傷過(guò)程中探頭的運(yùn)動(dòng)方式,實(shí)現(xiàn)超聲波探傷的自動(dòng)化和...
          • 關(guān)鍵字: 超聲波  探傷  焊接  缺陷  

          數(shù)據(jù)采集硬件:如何避免缺陷與誤差

          • 誤差在日常生活中,我們對(duì)顯示在各種屏幕或計(jì)算機(jī)上的測(cè)量數(shù)據(jù)向來(lái)是深信不疑的。例如:汽車(chē)儀表盤(pán)上...
          • 關(guān)鍵字: 數(shù)據(jù)采集  缺陷  誤差  

          電源設(shè)計(jì)小貼士 50:鋁電解電容器常見(jiàn)缺陷的規(guī)避方法

          • 因其低成本的特點(diǎn),鋁電解電容器一直都是電源的常用選擇。但是,它們壽命有限,且易受高溫和低溫極端條件的影響。鋁電解電容器在浸透電解液的紙片兩面放置金屬薄片。這種電解液會(huì)在電容器壽命期間蒸發(fā),從而改變其電
          • 關(guān)鍵字: 規(guī)避  方法  缺陷  常見(jiàn)  設(shè)計(jì)  電解電容  電源  

          針對(duì)FPGA內(nèi)缺陷成團(tuán)的電路可靠性設(shè)計(jì)研究

          • 引 言微小衛(wèi)星促進(jìn)了專(zhuān)用集成電路(ASIC—ApplicatiON Spceific Integrated Circuit)在航天領(lǐng)域的應(yīng)用?,F(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA —Field Programable Gate Array)作為ASIC的特殊實(shí)現(xiàn)形式,是中國(guó)航天目前集成
          • 關(guān)鍵字: FPGA  缺陷  電路  可靠性設(shè)計(jì)    

          LED燈具的致命缺陷―浪涌電壓

          • 所有的LED燈具都有這種致命的缺陷,而且至今為止,沒(méi)有人提出過(guò)好的解決辦法。所有搞LED電源的,或是搞LED成品燈具的,都對(duì)這個(gè)問(wèn)題避而不談,裝作不知道,然而實(shí)際量產(chǎn),這個(gè)問(wèn)題更是層出不窮,當(dāng)然還有更多不怎么懂
          • 關(guān)鍵字: LED  燈具  缺陷  浪涌電壓    

          LED照明產(chǎn)品檢測(cè)方法中的缺陷和改善的對(duì)策

          • 傳統(tǒng)的LED 及其模塊光、色、電參數(shù)檢測(cè)方法有電脈沖驅(qū)動(dòng) ,CCD 快速光譜測(cè)量 法,也有在一定的條件下,熱平衡后的測(cè)量法,但這些方法的測(cè)量條件和結(jié)果與LED 進(jìn)入照明器具內(nèi)的實(shí)際工作情況都相差甚遠(yuǎn)。文章介紹了通過(guò)Vfm
          • 關(guān)鍵字: LED  照明產(chǎn)品  檢測(cè)方法  缺陷    

          嵌入式軟件技術(shù)的缺陷查找方法介紹

          • 嵌入式軟件技術(shù)的缺陷查找方法介紹,本文將介紹如何避免那些隱蔽然而常見(jiàn)的錯(cuò)誤,并介紹的幾個(gè)技巧幫助工程師發(fā)現(xiàn)軟件中隱藏的錯(cuò)誤。大部分軟件開(kāi)發(fā)項(xiàng)目依靠結(jié)合代碼檢查、結(jié)構(gòu)測(cè)試和功能測(cè)試來(lái)識(shí)別軟件缺陷。盡管這些傳統(tǒng)技術(shù)非常重要,而且能發(fā)現(xiàn)大多
          • 關(guān)鍵字: 方法  介紹  查找  缺陷  軟件技術(shù)  嵌入式  

          巧妙查找嵌入式軟件設(shè)計(jì)中的缺陷

          • 巧妙查找嵌入式軟件設(shè)計(jì)中的缺陷,本文將介紹如何避免那些隱蔽然而常見(jiàn)的錯(cuò)誤,并介紹的幾個(gè)技巧幫助工程師發(fā)現(xiàn)軟件中隱藏的錯(cuò)誤。大部分軟件開(kāi)發(fā)項(xiàng)目依靠結(jié)合代碼檢查、結(jié)構(gòu)測(cè)試和功能測(cè)試來(lái)識(shí)別軟件缺陷。盡管這些傳統(tǒng)技術(shù)非常重要,而且能發(fā)現(xiàn)大多
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  缺陷  軟件  嵌入式  查找  巧妙  

          LED芯片/器件封裝缺陷的非接觸檢測(cè)技術(shù)

          • 摘要:為了在大批量封裝生產(chǎn)線(xiàn)上對(duì)LED的封裝質(zhì)量進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè),利用LED具有與PD類(lèi)似的光伏效應(yīng)的特點(diǎn),導(dǎo)出了LED芯片/器件封裝質(zhì)量與光生電流之間的關(guān)系,并根據(jù)LED封裝工藝過(guò)程的特點(diǎn),研制了LED封裝質(zhì)量非接觸檢測(cè)
          • 關(guān)鍵字: 非接觸  檢測(cè)技術(shù)  缺陷  封裝  芯片  器件  LED  

          控制SMT焊接幾種缺陷方式的解析

          • 1、引言表面組裝技術(shù)在減小電子產(chǎn)品體積、重量和提高可靠性等方面的突出優(yōu)點(diǎn),迎合了未來(lái)制造技術(shù)的要求。但是,要制定和選擇適用于具體產(chǎn)品的表面組裝工藝不是簡(jiǎn)單的事情,因?yàn)镾MT技術(shù)是涉及了多項(xiàng)技術(shù)的復(fù)雜的系統(tǒng)
          • 關(guān)鍵字: 方式  解析  缺陷  焊接  SMT  控制  

          晶體硅電池組件EL缺陷分析

          • :EL檢測(cè)儀,又稱(chēng)太陽(yáng)能組件電致發(fā)光缺陷檢測(cè)儀,是跟據(jù)硅材料的電致發(fā)光原理對(duì)組件進(jìn)行缺陷檢測(cè)及生產(chǎn)工藝監(jiān)控的專(zhuān)用測(cè)試設(shè)備。給晶體硅電池組件正向通入1-1.5倍Isc的電流后硅片會(huì)發(fā)出1000-1100nm的紅外光,測(cè)試儀下
          • 關(guān)鍵字: 缺陷  分析  EL  組件  電池  晶體  

          LED照明產(chǎn)品檢測(cè)中的缺陷及改善

          • 一、 序言L(fǎng)ED 照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展到現(xiàn)在,我們對(duì)LED 照明產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)和檢測(cè)方法的回顧、小結(jié)的時(shí)候已經(jīng)基本到來(lái)。傳統(tǒng)的 LED 及其模塊光、色、電參數(shù)檢測(cè)方法有電脈沖驅(qū)動(dòng),CCD 快速光譜測(cè)量法,也有在一定的條件下,熱平衡后的測(cè)
          • 關(guān)鍵字: LED  照明產(chǎn)品  檢測(cè)  缺陷    
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