<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 降低開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)損耗的原理

          降低開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)損耗的原理

          作者: 時(shí)間:2012-02-08 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          EGATE=0.76nC×4.5V=3.4nJ

          ET(rising)=((12V-5V)×0.5A×7ns)/2=12.25nJ

          ET(falling)=((12V-5V)×0.5A×2.5ns)/2=4.3nJ

          ECON=(0.5)2×300mW×1/(2×1MHz)=37.5nJ.

          導(dǎo)通電阻的仍然占主要地位,但是每周的總功耗僅57.45nJ。這就是說(shuō),高RDSON(超過(guò)4倍)的MOSFET使總功耗減少了7%以上。如上所述,可以通過(guò)選擇導(dǎo)通電阻及其它MOSFET參數(shù)來(lái)提高SMPS的效率。

          到目前為止,對(duì)低導(dǎo)通電阻MOSFET的需求并沒(méi)有改變。大功率的SMPS傾向于使用低頻率,所以MOSFET的低導(dǎo)通電阻對(duì)提高效率非常關(guān)鍵。但對(duì)便攜設(shè)備,需要使用小體積的SMPS,此時(shí)的SMPS工作在較高的頻率,可以用更小的電感和電容。延長(zhǎng)電池壽命必須提高SMPS效率,在高頻率下,低導(dǎo)通電阻MOSFET未必是最佳選擇,需要在導(dǎo)通電阻、柵極電荷、柵極上升/下降時(shí)間等參數(shù)上進(jìn)行折中考慮。



          上一頁(yè) 1 2 3 下一頁(yè)

          評(píng)論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();