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          電源完整性設(shè)計(jì)2

          作者: 時(shí)間:2012-02-07 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          你可能會(huì)說,只用一個(gè)容值,只要并聯(lián)電容數(shù)量足夠多,也能達(dá)到同樣低的阻抗。的確如此,但是在實(shí)際應(yīng)用中你可以算一下,多數(shù)時(shí)候,所需要的電容數(shù)量很大。真要這樣做的話,可能你的電路板上密密麻麻的全是電容。既不專業(yè),也沒必要。

          選擇電容組合,要考慮的問題很多,比如選什么封裝、什么材質(zhì)、多大的容值、容值的間隔多大、主時(shí)鐘頻率及其各次諧波頻率是多少、信號上升時(shí)間等等,這需要根據(jù)具體的來專門。

          通常,用鉭電容或電解電容來進(jìn)行板級低頻段去耦。電容量的計(jì)算方法前面講過了,需要提醒一點(diǎn)的是,最好用幾個(gè)或多個(gè)電容并聯(lián)以減小等效串聯(lián)電感。這兩種電容的Q值很低,頻率選擇性不強(qiáng),非常適合板級濾波。

          高頻小電容的選擇有些麻煩,需要分頻段計(jì)算??梢园研枰ヱ畹念l率范圍分成幾段,每一段單獨(dú)計(jì)算,用多個(gè)相同容值電容并聯(lián)達(dá)到阻抗要求,不同頻段選擇的不同的電容值。但這種方法中,頻率段的劃分要根據(jù)計(jì)算的結(jié)果不斷調(diào)整。

          一般劃分3到4個(gè)頻段就可以了,這樣需要3到4個(gè)容值等級。實(shí)際上,選擇的容值等級越多,阻抗特性越平坦,但是沒必要用非常多的容值等級,阻抗的平坦當(dāng)然好,但是我們的最終目標(biāo)是總阻抗小于目標(biāo)阻抗,只要能滿足這個(gè)要求就行。

          在某個(gè)等級中到底選擇那個(gè)容值,還要看系統(tǒng)時(shí)鐘頻率。前面講過,電容的并聯(lián)存在反諧振,時(shí)要注意,盡量不要讓時(shí)鐘頻率的各次諧波落在反諧振頻率附近。比如在零點(diǎn)幾微法等級上選擇0.47、0.22、0.1還是其他值,要計(jì)算以下安裝后的諧振頻率再來定。

          還有一點(diǎn)要注意,容值的等級不要超過10倍。比如你可以選類似0.1、0.01 、0.001這樣的組合。因?yàn)檫@樣可以有效控制反諧振點(diǎn)阻抗的幅度,間隔太大,會(huì)使反諧振點(diǎn)阻抗很大。當(dāng)然這不是絕對的,最好用軟件看一下,最終目標(biāo)是反諧振點(diǎn)阻抗能滿足要求。

          高頻小電容的選擇,要想得到最優(yōu)組合,是一個(gè)反復(fù)迭代尋找最優(yōu)解的過程。最好的辦法就是先粗略計(jì)算一下大致的組合,然后用仿真軟件做仿真,再做局部調(diào)整,能滿足目標(biāo)阻抗要求即可,這樣直觀方便,而且控制反諧振點(diǎn)比較容易。而且可以把平面的電容也加進(jìn)來,聯(lián)合設(shè)計(jì)。

          圖13是一個(gè)電容組合的例子。這個(gè)組合中使用的電容為:2個(gè)680uF鉭電容,7個(gè)2.2uF陶瓷電容(0805封裝),13個(gè)0.22uF陶瓷電容(0603封裝),26個(gè)0.022uF陶瓷電容(0402封裝)。圖中,上部平坦的曲線是680uF電容的阻抗曲線,其他三個(gè)容值的曲線為圖中的三個(gè)V字型曲線,從左到右一次為2.2uF、0.22uF、0.022uF??偟淖杩骨€為圖中底部的粗包絡(luò)線。

          這個(gè)組合實(shí)現(xiàn)了在500kHz到150MHz范圍內(nèi)保持阻抗在33毫歐以下。到500MHz頻率點(diǎn)處,阻抗上升到110毫歐。從圖中可見,反諧振點(diǎn)的阻抗控制得很低。

          2.gif

          圖13 設(shè)計(jì)實(shí)例

          小電容的介質(zhì)一般常規(guī)設(shè)計(jì)中都選則陶瓷電容。NP0介質(zhì)電容的ESR要低得多,對于有更嚴(yán)格阻抗控制的局部可以使用,但是注意這種電容的Q值很高,可能引起嚴(yán)重的高頻振鈴,使用時(shí)要注意。



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