集成電源模塊的電子技術(shù)
IGBT剛出現(xiàn)時,電壓、電流額定值只有600V、25A。很長一段時間內(nèi),耐壓水平限于1200V~1700V,經(jīng)過長時間的探索研究和改進(jìn),現(xiàn)在IGBT的電壓、電流額定值已分別達(dá)到3300V/1200A和4500V/1800A,高壓IGBT單片耐壓已達(dá)到6500V,一般IGBT的工作頻率上限為20kHz~40kHz,基于穿通(PT)型結(jié)構(gòu)應(yīng)用新技術(shù)制造的IGBT,可工作于150kHz(硬開關(guān))和300kHz(軟開關(guān))。
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/177971.htm其共同點(diǎn)是,二 者集成的對象都是電子電路。因此,集成電路中的許多技術(shù)都為電力電子集成技術(shù)所借鑒。例如,單片電力電子集成技術(shù)就和集成電路十分相似。起源于集成電路封 裝技術(shù)的多芯片模塊(Multi Chip Module-MCM)技術(shù)就對電力電子集成技術(shù)有很大的借鑒意義。共同點(diǎn)主要是:信息電力技術(shù)特別容易在單 個芯片上實(shí)現(xiàn),甚至出了片上系統(tǒng)(System on Chip-SOC)的概念和技術(shù)。而在電力電子集成中,單片集成就要困難很多。因?yàn)殡娏﹄娮又兄麟?路通常電壓較高、功率較大、發(fā)熱嚴(yán)重、電磁干擾也嚴(yán)重,而控制電路通常電壓較低、本身功耗不大也難于承受高壓,抗電磁干擾性能也較弱。因此,電壓隔離、熱隔離、抗電磁干擾就成為電力電子集成技術(shù)的三大問題。
碳化硅SiC是功率半導(dǎo)體器件晶片的理想材料,其優(yōu)點(diǎn)是:禁帶寬、工作溫度高(可達(dá)600℃)、熱穩(wěn)定性好、通態(tài)電阻小、導(dǎo)熱性能好、漏電流極小、PN結(jié)耐壓高等,有利于制造出耐高溫的高頻大功率半導(dǎo)體器件。
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