通用的集成電路RF噪聲抑制能力測量技術
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典型蜂窩電話附近的RF場強近似為60V/m(距離手機天線4cm處)，遠離手機后場強降低。在距離手機10cm處，場強降至25V/m。因此在電波暗室內產(chǎn)生一個均勻的60V/m場強，以模擬DUT所處的RF環(huán)境(60V/m的輻射強度可以保證被測器件不至于發(fā)生電平鉗位，避免測量誤差)。所采用的射頻信號是在800MHz至1GHz蜂窩電話頻率范圍內變化的RF正弦波，使用1kHz的音頻頻率進行調制，調制深度為100%。用217Hz頻率調制時可以得到相似的結果，但1kHz是更常用的音頻頻率，為便于*估，這里選擇了1kHz。通過電波暗室的接入端口為DUT提供電源，并通過接入端口連接電壓表，讀取dBV值(相對于1V的dB)。通過調整DUT在電波暗室內的位置，并使用場強檢測儀可以精確校準RF場。
圖3.使用圖2測量裝置得到的兩個雙運放的 RF噪聲抑制測試結果
兩個雙運放(MAX4232和X)的測試結果如圖3所示，測量值為輸出的平均dBV。RF頻率在800MHz至1GHz范圍內變化時，在均勻的60V/m電場中，MAX4232的平均輸出大約為-66dBV(500(V RMS相對于1V)；器件X的平均輸出大約為(18dBV(125mV RMS相對于1V)。沒有RF信號時，電壓表的讀數(shù)為-86dBV。
因此MAX4232輸出的變化量只有-20dB(-86dBV 到(66dBV)，即RF干擾導致MAX4232輸出從50(V RMS變化到500(V RMS，在RF干擾環(huán)境下，MAX4232的變化因子是10。因此可以推斷出MAX4232具有出色的RF抑制能力(-66dBV)，不會產(chǎn)生明顯的輸出失真。而器件X的噪聲抑制平均讀數(shù)僅有-18dBV，這意味著在RF影響下輸出變化為125mV RMS(相對于1V)。這個增加值很大，是正常值50(V RMS的2500倍。因此，器件X的RF噪聲抑制能力很差(-18dBV)，當靠近手機或其它RF源時可能無法正常工作。顯然，對于音頻處理應用(如耳機放大器和話筒放大器)，MAX4232是一個更好的選擇。
為了保證產(chǎn)品在RF環(huán)境下的工作質量，RF噪聲抑制能力的測量是電路板和IC制造商必須考慮的步驟。RF電波暗室測量裝置提供了一個既經(jīng)濟、靈活，又精確的RF抑制能力測量方法。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/178051.htm
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