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          一種實用型的ATX電源設(shè)計

          作者: 時間:2011-11-15 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          3V磁放大器穩(wěn)壓電路的#e#

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/178402.htm

            3 3.3V磁放大器穩(wěn)壓電路的

            PC開關(guān)中的3.3V磁放大器穩(wěn)壓電路如圖3所示。磁放大器由取樣電路(R24和R26)、可調(diào)式精密并聯(lián)穩(wěn)壓器(TL43 1)、磁復(fù)位控制電路(3A/40V的PNP功率管TIP32)、可控磁飽和電感器(L4)等構(gòu)成。3.3V電壓經(jīng)過R24和R26分壓后獲得取樣電壓UO,接至TL431的輸出電壓設(shè)定端(UREF),與TL43 1中的2.5V帶隙基準電壓進行比較后獲得誤差電壓Ur,經(jīng)R27加到VT2的基極上,VT2的集電極電流經(jīng)過超快恢復(fù)二極管VD9(UF4002)流到L4的右端。輸出整流管和續(xù)流二極管公用一只由安森美公司生產(chǎn)的MBR2045型20A/45V肖特基對管VD7,內(nèi)含整流管VD7a和續(xù)流二極管VD7b。C14為輸出濾波電容器。由L6、C15構(gòu)成后置濾波器。

          3.3V磁放大器穩(wěn)壓電路

            現(xiàn)對磁放大器的工作原理分析如下:當(dāng)單片開關(guān)內(nèi)部的MOSFET導(dǎo)通時,輸出整流管VD7a截止,VD7b導(dǎo)通,由儲存在C14、C15上的電能繼續(xù)給負載供電。此時L4對高頻開關(guān)電流呈高阻抗。當(dāng)MOSFET關(guān)斷時,VD7a并不立即導(dǎo)通,而是經(jīng)過一段延遲時間才能導(dǎo)通。由于磁復(fù)位電流的存在,二次繞組的正向電流必須先將磁復(fù)位電流抵消掉,L2上才能流過正向電流,使L2進入磁飽和狀態(tài)并呈現(xiàn)低阻抗,進而VD7a導(dǎo)通。磁復(fù)位的持續(xù)時間即阻斷輸出的延遲時間。此后輸出被接通,除給負載供電之外,還有一部分能量儲存在輸出濾波電容器C14、C15中,以便在VD7a截止時能維持輸出電壓不變。

            舉例說明,當(dāng)負載突然變輕而導(dǎo)致UO1(3.3V)輸出電壓升高時,取樣電壓UQ也隨之升高,進而使誤差電壓Ur升高。Ur經(jīng)過VT2、VD9輸出的磁復(fù)位電流增大,使磁復(fù)位時間延長,輸出脈沖寬度減小,使UO1又降至3.3V。反之亦然。因此,磁放大器可等效于一個脈寬調(diào)制器,通過精細調(diào)節(jié)脈沖寬度,可達到精密穩(wěn)壓目的。這就是磁放大器的穩(wěn)壓原理。

            傳統(tǒng)的鐵氧體磁心采用晶態(tài)結(jié)構(gòu)的材料,其原子在三維空間內(nèi)做有序排列而形成點陣結(jié)構(gòu)。而非晶態(tài)合金是指物質(zhì)從液態(tài)(或氣態(tài))急速冷卻時,因來不及結(jié)晶而在常溫下原子呈無序排列狀態(tài)。非晶態(tài)合金的制造工序簡單,節(jié)能效果顯著,它屬于新型綠色環(huán)保材料。非晶態(tài)合金具有高磁導(dǎo)率、高矩形比、磁心損耗低、高溫穩(wěn)定性好等優(yōu)點,這種材料適合制作可控磁飽和電感器,用于計算機的中。

            L4采用美國Metglas公司生產(chǎn)的MP1305P4AS型高性能非晶態(tài)合金磁環(huán),用φ0.10mm漆包線均勻繞制7匝。常用非晶態(tài)磁環(huán)典型產(chǎn)品的主要參數(shù)見附表。MP1 305P4AS型號中的“13”代表外徑為1 3mm(標(biāo)稱值), “5”代表高度為5mm(標(biāo)稱值)。其磁路長度為3.46cm,有效橫截面積為0.057cm2,質(zhì)量為1.50g,飽和磁通密度為0.57T,矩形比為0.86,電阻率為0.142μΩ·cm,磁心損耗為318mW,長期工作溫度120℃,居里點溫度為225℃(超過此溫度時磁滯現(xiàn)象會消失)。

            MP1 305P4AS的B-H曲線(亦稱磁滯回線)如圖4所示,B代表磁通密度(單位是T),H代表磁場強度(單位是A/m),圖中的實線和虛線分別對應(yīng)于100kHz、200kHz開關(guān)頻率。



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