看LED電源拓撲如何提升LED照明效能
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圖1顯示三個基本電源拓撲的例子，第一張圖所顯示的降壓穩(wěn)壓器，可使用于輸出電壓永遠小于輸入電壓的情形。圖1中，降壓穩(wěn)壓器改變金屬氧化半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)的導(dǎo)通時間，以控制進入LED的電流?？稍竭^電阻測量電壓以進行電流偵測；電阻與LED為串聯(lián)狀態(tài)。驅(qū)動MOSFET是本方法在設(shè)計上的重大挑戰(zhàn)，如果從成本及效能的觀點來看，建議使用須要浮接閘極驅(qū)動的N信道FET。N信道FET須要使用驅(qū)動變壓器或是浮動驅(qū)動電路，兩者都可維持電壓高于輸入電壓。
圖1也顯示替代的降壓穩(wěn)壓器(Buck #2)。在此電路中，MOSFET的驅(qū)動與接地有關(guān)，大幅降低了驅(qū)動電路的需求。本電路偵測LED電流的方法為監(jiān)控FET電流，或是與LED串聯(lián)的電流偵測電阻。如果采用后者，則須要使用位準移位電路，將此信息送至接地電源，并將簡單的設(shè)計復(fù)雜化。同樣顯示于圖1中的升壓轉(zhuǎn)換器，則是在輸出電壓永遠大于輸入時使用。這種拓撲設(shè)計容易，因為MOSFET的驅(qū)動與接地有關(guān)，而電流偵測電阻也是屬于接地引用類型。此電路的缺點是在短路時，無法限制通過電感的電流，可以使用保險絲或電路斷路器，作為故障保護裝置。此外，還有一些較復(fù)雜的拓撲可提供這類保護。
圖2顯示兩種降壓升壓電路，可在輸入電壓可能大于或小于輸出電壓的情形下使用。這些電路與前述兩種降壓拓撲有相同的折沖特點，與電流偵測電阻與門極驅(qū)動的位置有關(guān)。圖2的降壓升壓拓撲，顯示接地參考的閘極驅(qū)動。此拓撲需要位準移位電流偵測訊號，不過反向的升壓降壓拓撲則具有接地參考的電流偵測及位準移位閘極驅(qū)動。如果控制IC與負輸出有關(guān)，且電流偵測電阻與LED進行交換，即可利用有效的方式配置反向升壓降壓拓撲。只要適當控制IC，即可直接測量輸出電流，也可以直接驅(qū)動MOSFET。
圖2 降壓升壓拓撲中的輸入電壓，可大于或小于輸出電壓
降壓升壓的拓撲方式電流相對較高，舉例來說，如果輸入及輸出電壓相同，電感及電源開關(guān)電流是輸出電流的兩倍以上，這對效能及功率消耗會造成負面影響。圖3的「升壓或降壓」拓撲可減輕這些問題，在此電路中會有一個升壓功率級，之后則有一個降壓功率級。如果輸入電壓高于輸出電壓，升壓功率級就會提供電壓調(diào)節(jié)，而降壓功率級則只傳遞功率。如果輸入電壓低于輸出電壓，則降壓功率級提供電壓調(diào)節(jié)，升壓功率級傳遞功率。通常降壓及升壓的運作，會有一些重迭的時間，因此在變換模式時不會出現(xiàn)死區(qū)(Dead-band)。
圖3 降壓或升壓及SEPIC拓撲提供較高的效能
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