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          雙管正激參數(shù)及控制環(huán)路的SABER仿真設(shè)計

          作者: 時間:2011-09-19 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          (2)濾波電容

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/178627.htm

            濾波電容的容量分以下兩種情況討論:

            ①采用普通的鋁電解電容,根據(jù)文獻[3],此類電容在開關(guān)頻率低于500kHz,且RoCo大于開關(guān)管的關(guān)斷和導通時間的一半時,輸出紋波僅由ESR(Ro)決定。

            

            此方法隨技術(shù)的進步變得不合實際,最好從廠家或測試得到電容的ESR值。

           ?、跒V波電容采用零ESR或低ESR電容,自身阻容形成的零點(1/2πRest×C)較高,但對的影響不大;若低ESR值的電容采用大容量,其自身阻容形成的零點使得在帶寬附近的高頻衰減不夠,可能引起振蕩,增加補償器的難度。如圖3、圖4所示。

            

            考慮電容的發(fā)熱影響壽命,取22μF。

            電容的ESR值的最大值為

            ESR(max)=△U/△I=0.1/l=0.1 Ω

            ESR超過0.1Ω,紋波電壓會增加。

            

            4 使用對開環(huán)

            在中建立平均模式激的模型,如圖5所示。

            下表為圖5模型使用的主要模塊及

            

            

          SABER中建立平均模式雙管正激的模型

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