一種新型的蓄電池充電技術(shù)研究
要實(shí)現(xiàn)不對稱半橋的軟開關(guān),不對稱半橋的參數(shù)設(shè)計(jì)需要滿足以下2個(gè)條件,即:
式中:Zn為特性阻抗,;D為開關(guān)管Q1的占空比;C為開關(guān)管Q1和Q2的寄生電容;ωk為諧振角頻率;Lk為變壓器初級漏感;I0為負(fù)載總電流;td為死區(qū)時(shí)間;n為變壓器初、次級匝比。
2.2 驅(qū)動電路
不對稱半橋驅(qū)動電路,如圖3所示。驅(qū)動集成芯片采用IR公司的IR2103,其輸出級作為推挽驅(qū)動輸出,以直接耦合的方式與主電路的開關(guān)管相連接,由HO和LO的輸出分別作為驅(qū)動橋式電路的上、下橋臂。為了實(shí)現(xiàn)上橋臂驅(qū)動電路的地電位與主電路的同步浮動,采用由DB和CB組成的外接自舉電路。本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/178826.htm
二極管DB的耐壓決定式為:
式中:Uc為驅(qū)動電源的電壓;Ud為不控整流輸出的電壓。DB的電流容量,JDm的決定式為:
式中:fs為器件開關(guān)頻率;Qg為MOSFET柵荷。
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