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          IGBT驅(qū)動芯片IXDN404應(yīng)用及改進(jìn)

          作者: 時間:2011-04-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          2.1 正常開通過程

          當(dāng)控制信號為高電平時,快速光耦6N137導(dǎo)通,經(jīng)過一級反相,輸入,輸出+15V脈沖,正常導(dǎo)通。同時,由于光耦輸出為反相,V4截止,V5導(dǎo)通,C1由電源充電,C1電壓不會超過9V,這是因?yàn)?a class="contentlabel" href="http://www.ex-cimer.com/news/listbylabel/label/IGBT">IGBT正常導(dǎo)通時Vces不高于3V,二極管D2導(dǎo)通,A點(diǎn)電位箝位在8V,加上電阻R10的壓降,C點(diǎn)電位接近9V。Z1截止,V2截止,V1導(dǎo)通,B點(diǎn)電位接近20V;Z2截止,V3截止,D點(diǎn)電位接近B點(diǎn)電位。C1充電時間常數(shù)τ1=R9×C1=2.42μs,C1充電到9V的時間為

          t1=τ1ln=1.45μs(1)

          2.2 正常關(guān)斷過程

          當(dāng)控制信號為低電平,光耦輸出高電平,反相輸出低電平,由于Z3箝位輸出脈沖為-5V,正常關(guān)斷。這時,V4導(dǎo)通,V5截止,C點(diǎn)電位保持在9V;Z1截止,V2截止,V1導(dǎo)通,B點(diǎn)電位接近20V;Z2截止,V3截止,D點(diǎn)電位接近B點(diǎn)電位。

          2.3 保護(hù)過程

          設(shè)IGBT已經(jīng)導(dǎo)通,各點(diǎn)電位如2.1所說。當(dāng)電路過流時,IGBT因承受大電流而退出電阻區(qū),Vces上升,二極管D2截止,A點(diǎn)對電容C1的箝位作用消失;C點(diǎn)電位從9V上升,同時Z1反向擊穿,V2導(dǎo)通,V1截止,B點(diǎn)電位由R1和Rc以及內(nèi)阻分壓決定,箝位在15V,柵壓降為10V。柵壓的下降可有效地抑制故障電流并增加短路允許時間。降柵壓運(yùn)行時間為

          t2=τ1ln=1.09μs(2)

          如果在這段時間內(nèi),電路恢復(fù)正常,D2導(dǎo)通,A點(diǎn)繼續(xù)箝位,V2截止,V1導(dǎo)通,電路恢復(fù)2.1所說狀態(tài)。如果D2仍處于斷態(tài),也就是故障電流仍然存在,C點(diǎn)電壓繼續(xù)上升,經(jīng)過t2時間上升到13V,Z2反向擊穿,V3導(dǎo)通,電容C2通過電阻R12放電,D點(diǎn)與B點(diǎn)電位同時下降,IGBT柵壓逐漸下降,實(shí)現(xiàn)慢關(guān)斷過程,避免了正常關(guān)斷大電流時所引起的過電壓。慢關(guān)斷過程時間為t3,由C2和R12決定。由IXDN404工作電壓范圍為4.5~25V,τ2=R12×C2=4.84μs,可知

          t3=τ2ln=5.83μs(3)

          另外,在IGBT開通過程中,如果二極管D2不能及時導(dǎo)通,將造成保護(hù)電路的誤動作,因此D2要選擇快速二極管,也可通過適當(dāng)增加Z1穩(wěn)壓值和增大電阻R9以增大C1充電時間常數(shù)延長保護(hù)電路動作時間。但這與保護(hù)動作的快速性相矛盾,具體時要根據(jù)實(shí)際電路要求和功率器件的特性作出折中的選擇。

          2.4 幾點(diǎn)說明

          1)為使功率達(dá)到最大,本電路將兩路輸入輸出并聯(lián)使用,最大峰值電流可達(dá)8A,這個峰值電流是由電容Cc瞬間放電產(chǎn)生;

          2)光耦6N137輸出為輸入反相,IXDN404為同相輸入輸出,為保證控制邏輯正確,中間需加一級反相器,也可采用帶反相的IXDI404;

          3)圖2中可在E點(diǎn)處加入一個光耦,其輸出可作為短路保護(hù)信號送給控制邏輯,以封鎖本路及其它各路的PWM信號,確保主電路安全;

          4)IXDN404電路對脈沖信號非常敏感,實(shí)際操作時要保證連線盡量短,輸出要用雙絞線接IGBT,電路所用元器件也可采用貼片式,既縮小驅(qū)動電路體積,也提高了工作穩(wěn)定度。

          圖3為實(shí)測IGBT的門極驅(qū)動信號,其中通道1為輸入控制信號,通道2為輸出驅(qū)動信號。所用IGBT為仙童公司HGTG18N120BND。從圖中可以看出驅(qū)動電路延遲時間僅為100ns。其中圖3(d)為模擬IGBT過流時的保護(hù)波形,首先降柵壓運(yùn)行,然后慢關(guān)斷,最后由于低電壓供電,IXDN404輸出驅(qū)動電壓封鎖在-2V左右。

          (a)100kHz時的驅(qū)動波形

          (b)100kHz時的上升過程

          (c)100kHz時的下降過程

          (d)20kHz時保護(hù)波形

          圖3 電路實(shí)測驅(qū)動波形

          3 結(jié)語

          由IXDN404組成的IGBT驅(qū)動與保護(hù)電路可滿足IGBT驅(qū)動要求,其特點(diǎn)可歸納如下:

          ——驅(qū)動電源+20V單路供電,驅(qū)動?xùn)艍海?5V~-5V;

          ——最大驅(qū)動峰值電流可達(dá)8A,滿足大功率IGBT驅(qū)動要求;

          ——電路信號延遲時間短,工作頻率可以達(dá)到100kHz或者更高,可適應(yīng)大多數(shù)電路需要;

          ——可實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)及降柵壓慢關(guān)斷功能;

          ——電路成本相對較低。

          綜上所述,這種驅(qū)動保護(hù)電路是一種低成本、高性能的IGBT驅(qū)動電路。

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