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          10kW全橋移相ZVSPWM整流模塊的設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2011-04-27 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          介紹了直流主電路和控制電路的,給出了主變壓器和諧振電感的參數(shù)計(jì)算,最后給出了實(shí)驗(yàn)波形。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/179167.htm

          關(guān)鍵詞:相;零電壓開關(guān);降頻

          0 引言

          在大型發(fā)電廠中,由于需要的直流負(fù)荷比較大,蓄電池的容量通常都在2000A·h以上。若采用常規(guī)的10A或20A的開關(guān),一般需要20個(gè)或10個(gè)以上的并聯(lián),并聯(lián)數(shù)過多,對(duì)模塊之間的均流會(huì)帶來一定的影響,而且可靠性并不隨著模塊并聯(lián)數(shù)的增加而增加,一般并聯(lián)數(shù)最好在10個(gè)以下。目前,在電廠中大容量的直流充電電源采用相控電源的比較多,因此,很有必要開發(fā)針對(duì)電廠用戶的大容量開關(guān)充電電源。本文介紹的整流模塊正是考慮了這種要求,它采用了加鉗位二極管的ZVS-FBPWM直流變換技術(shù),控制電路采用UC3879專用全橋移相控制芯片,同時(shí)在輕載時(shí)采用了降低開關(guān)頻率等技術(shù),具有重量輕,效率高等優(yōu)點(diǎn)。

          1整流模塊主電路與參數(shù)計(jì)算

          整流模塊的主電路原理框圖如圖1所示,由輸入EMI濾波器,整流濾波,ZVS全橋變換器,輸出整流濾波和輸出EMI濾波器等組成。

          圖1 主電路原理框圖

          圖1中由開關(guān)管S1~S4,鉗位二極管D1及D2,諧振電感Lr,隔直電容Cb,主變壓器T1以及吸收電阻和電容等組成全橋移相ZVS變換器,其中S1及S3為超前管,S2及S4為滯后管。S1(S3)超前S4(S2)一定的角度,即移相角。S1~S4采用IGBT單管并聯(lián)組成,開關(guān)頻率為25kHz左右。

          1.1 變壓器參數(shù)的

          由于設(shè)計(jì)的全橋移相整流模塊的最大輸出功率接近,若采用常規(guī)的鐵氧體磁芯,由于功率比較大,磁芯不太好選擇,實(shí)際設(shè)計(jì)中磁芯采用了超微晶磁環(huán)。和鐵氧體相比,超微晶材質(zhì)具有較高的飽和磁密(可達(dá)1.2~1.6T)和較低損耗和優(yōu)良的溫度穩(wěn)定性等優(yōu)點(diǎn),非常適宜用作大功率開關(guān)電源的主變壓器的磁芯。

          本模塊的輸入輸出指標(biāo)為輸入304~456V,輸出198~286V/35A。

          1)直流母線的最低電壓Vdmin

          Vdmin≈Vinmin×1.35=410.4V(1)

          式中:Vinmin為三相輸入電壓最低值304V。

          2)變壓器副邊的最低電壓V2min

          V2min=(Vomax+VD+Vr)/Dmax=(286+3+2)/0.95=306.3V(2)

          式中:Vomax為模塊輸出電壓最高值,取為286V;

          VD為整流二極管的壓降,取為3V;

          Vr為變壓器副邊繞組內(nèi)阻壓降和線路壓降,取為2V;

          Dmax為最大占空比,取為0.95。

          3)變壓器的變比n

          n=Vdmin/V2min=410.4/306.3=1.33

          實(shí)際變壓器原邊取為21匝,副邊為16匝,變比為21/16=1.3125。

          1.2 諧振電感Lr參數(shù)的設(shè)計(jì)

          在全橋移相ZVS變換器中,在超前管S1(S3)的開關(guān)過程中,由于輸出濾波電感L1與諧振電感Lr是串聯(lián)的,而L1和諧振電感相比一般比較大,因此超前管很容易實(shí)現(xiàn)ZVS;而在滯后管S2(S4)的開關(guān)過程中,由于變壓器副邊是短路的,此時(shí)依靠諧振電感Lr的能量來實(shí)現(xiàn)ZVS,因此滯后管實(shí)現(xiàn)ZVS比較困難,一般設(shè)計(jì)在1/3滿載負(fù)載以上實(shí)現(xiàn)零電壓開關(guān)。

          Lr=8CmosVdmax2/3I12[2](3)

          式中:Cmos為開關(guān)管漏源極電容(包括外并電容),實(shí)際中取為3300pF;

          Vdmax為直流母線電壓的最大值,取為

          1.35×456=615.6V;

          I1為滯后臂開關(guān)管關(guān)斷時(shí)原邊電流。

          I1=(Iomax/3+ΔI1f/2)/n(4)

          式中:Iomax為輸出電流最大值,取為35A;

          ΔI1f為允許輸出電感電流的脈動(dòng)值,取為0.2×35=7.0A。

          由以上數(shù)據(jù)計(jì)算可得Lr=24.7μH。


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