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          簡(jiǎn)化電源測(cè)試的SPST雙極性功率開(kāi)關(guān)

          作者: 時(shí)間:2011-04-14 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏


          室溫下切換一個(gè)未經(jīng)箝位的電感時(shí),電路能夠吸收的能量是280mJ (單個(gè)脈沖,不重復(fù)出現(xiàn))或200mJ (最大占空比為1%的脈沖)。

          耦合變壓器設(shè)計(jì)要求小尺寸、低繞線電容:原邊一匝、副邊兩匝,繞制在Fair-Rite 7.5 x 7.5m的鐵氧體磁珠。變壓器結(jié)構(gòu)決定了負(fù)載和控制電路兩側(cè)的最大壓差。使用普通的漆包線絕緣架構(gòu)時(shí),可以提供1kV隔離,如果使用聚四氟乙烯或質(zhì)量更好的絕緣材料,則可提供1kV以上的隔離。對(duì)于要求更高隔離電壓的設(shè)計(jì),還需考慮封裝。

          T1的鐵氧體磁芯為導(dǎo)體,不能在同一時(shí)刻連接到兩側(cè),開(kāi)關(guān)內(nèi)部沒(méi)有閉鎖保護(hù),操作之前必須檢驗(yàn)鋰電池的狀態(tài)。上電后沒(méi)有電路能夠保證開(kāi)關(guān)處于確定的狀態(tài)(通或斷)。因此,在接通其它之前必須先打開(kāi)開(kāi)關(guān)。開(kāi)關(guān)狀態(tài)由最先作用到輸入端的瞬態(tài)決定,在給其它部分供電時(shí)至少使開(kāi)關(guān)通、斷一次。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/179222.htm

          電路

          圖3–圖5中頂部波形為數(shù)字輸入,底部波形是通過(guò)一個(gè)0.25Ω電阻負(fù)載觀察到的5µs脈沖波形,負(fù)載通過(guò)開(kāi)關(guān)接50V。因?yàn)殡妷翰ㄐ巫饔迷谝粋€(gè)低電感薄膜電阻,可近似表示開(kāi)關(guān)的電流波形。圖3所示近似200A的脈沖波形給出了過(guò)沖和上升時(shí)間(60ns至80ns),上升時(shí)間受高邊電流通道寄生電感、電容的影響。圖4給出了該脈沖的上升時(shí)間和導(dǎo)通延時(shí);圖5給出了下降時(shí)間和斷開(kāi)時(shí)的傳輸延時(shí)。圖6–圖8給出了同樣的波形,負(fù)載為5Ω,10A脈沖,電源電壓為50V。上升時(shí)延接近于MOSFET固有的30ns至40ns的上升時(shí)延,受封裝和源阻抗的限制。

          圖3. 圖1測(cè)試結(jié)果,(1) 控制信號(hào),(2) 在0.25Ω電阻兩端測(cè)試的5µs脈沖,電源電壓為50V。
          圖3. 圖1結(jié)果,(1) 控制信號(hào),(2) 在0.25Ω電阻兩端的5µs脈沖,電源電壓為50V。

          圖4. 基于圖2的上升時(shí)間和導(dǎo)通傳輸延時(shí),掃描速率為40ns/cm。
          圖4. 基于圖2的上升時(shí)間和導(dǎo)通傳輸延時(shí),掃描速率為40ns/cm。

          圖5. 基于圖2的下降時(shí)間和關(guān)斷傳輸延時(shí),掃描速率為40ns/cm。
          圖5. 基于圖2的下降時(shí)間和關(guān)斷傳輸延時(shí),掃描速率為40ns/cm。



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