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          基于MOS開關(guān)的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問題研究

          作者: 時間:2011-04-14 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:本文固態(tài)源中的,通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑,制定了以屏蔽和濾波為主的方案,最終實現(xiàn)了重復頻率80kHz,4kV源,實驗驗證了措施的有效性。
          關(guān)鍵詞:電磁兼容;源;屏蔽;濾波

          0 引言
          隨著FET技術(shù)的發(fā)展,模塊的在耐受電壓為10kV情況下,工作重復頻率極限已經(jīng)達到了100kHz左右,大大提高了脈沖源的工作重復頻率,為脈沖源進一步的廣泛應用打下基礎(chǔ)。本文設(shè)計了一種以高速開關(guān)模塊為基礎(chǔ),脈沖形成線原理的,工作電壓為4.5kV,重復頻率為80kHz的高壓脈沖源。如此高重復頻率的高壓脈沖源中開關(guān)及電路中高電壓和大電流源的劇烈變化會導致嚴重的電磁干擾,同時本文中MOS開關(guān)模塊的控制電路對穩(wěn)定度的要求十分高,必然會受到電磁干擾的影響,導致不能正常工作。因此脈沖源中電磁兼容十分重要,為此本文展開了高壓高重復頻率脈沖源中電磁兼容,在分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑的基礎(chǔ)上制定了以屏蔽、濾波為主的電磁兼容方案,最終通過對電路的測試驗證了本電磁兼容方案的有效性。

          1 理論分析
          1.1 脈沖信號頻譜分析
          對于本文而言,脈沖源的輸出可以視為一個矩形周期信號,脈寬110ns,重復周期80kHz,波形如圖1所示。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/179243.htm

          d.JPG


          e.JPG
          其中T為信號周期,τ為脈沖寬度。對其做傅里葉變換得到:
          g.JPG


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