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高壓MOS/低壓MOS在單相離線式不間斷電源上的應用
- 單相離線式不間斷電源只是備援性質的UPS，市電直接供電給用電設備再為電池充電，一旦市電供電品質不穩或停電時，市電的回路會自動切斷，電池的直流電會被轉換成交流電接手供電的任務，直到市電恢復正常。UPS只有在市電停電了才會介入供電，不過從直流電轉換的交流電是方波，只限于供電給電容型負載，如電腦和監視器等。一、前言 單相離線式不間斷電源只是備援性質的UPS，市電直接供電給用電設備再為電池充電，一旦市電供電品質不穩或停電時，市電的回路會自動切斷，電池的直流電會被轉換成交流電接手供電的任務，直到市電恢復正
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如何在電源上選擇MOS管
- 在開關電源應用MOS管的時候，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。在開關電源應用MOS管的時候，在很多電源設計人員的都將采用一套公式，質量因數(柵極電荷QG ×導通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗證。那么柵極電荷和導通阻抗很重要，這都是對電源的效率有直接的影響，主要是傳導損耗和開關損耗。還有在電源中第二重要的是MOS管參數包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。用于針對N+1冗余拓撲的并行電源控制的MOS管在ORing F
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功率MOS管損壞的典型
- 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發生破壞的現象。第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V(BR)DSS （根據擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發生破壞的現象。在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓，或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發熱損壞由超出安全區域引
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世平基于安森美半導體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應用于小型化工業電源供應器方案
- 安森美GAN_Fet驅動方案(NCP51820)。 數十年來，硅來料一直統治著電晶體世界。但這個狀況在發現了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經逐漸開始改變。由開發了由兩種或三種材料制成的化合物半導體，它們具有獨特的優勢和優越的特性。但問題在于化合物半導體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優勢。作為解決方案出現的兩個化合物半導體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結MOSFET競爭。GaN和SiC器
- 關鍵字： NCP51820 安森美 半導體 電源供應器 GaN MOS Driver
基于英飛凌數位半橋返馳式(XDPS2201)+賽普拉斯通訊協議(CYPD3174) 之 65W PD充電器方案
- 隨著USB PD產品的廣泛應用與普及化，Infineon推出全新數位共振返馳式PWM電源控制芯片，此一架構除較現行客戶常使用之ACF架構更具競爭力，在電路設計上相對容易，還可減少元件數量，且數位化的設計界面可滿足不同輸出瓦數的產品應用，提高在設計上的靈活度與可靠性。同時搭配Cypress PD控制芯片，借由數位控制與參數設定功能來改變輸出電壓，藉以符合各種不同產品的應用。同時Infineon共振返馳式電源芯片在與Cypress PD控制芯片，可大幅度提高效率與功率密度的表現，更可以減少客戶的產品設計與開發
- 關鍵字： Infineon Mos Charger AdapterXDPS2201 CYPD3174
mos介紹
MOS
金屬氧化物半導體
MOS
metal-oxide semiconductor
以襯底材料氧化物為絕緣層的金屬-絕緣層-半導體結構。對于硅襯底來說，絕緣層是二氧化硅(SiO2)。場效應晶體管、電容器、電阻器和其他半導體設備都是用這種結構制造。MOS工藝包括CMOS,DMDS，NMOS，PMOS。
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