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          EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 當(dāng)今電源產(chǎn)業(yè)及電源技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)

          當(dāng)今電源產(chǎn)業(yè)及電源技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)

          作者: 時(shí)間:2011-03-25 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          2.1.4 齊全的保護(hù)功能

          目前,中所使用的功率器件價(jià)格較貴,其控制電路也比較復(fù)雜,另外,的負(fù)載中一般都含有大量的集成化程度很高的器件,這些器件一般耐受電、熱、沖擊能力都較差,因此,的保護(hù)應(yīng)兼顧本身和負(fù)載的安全。目前保護(hù)的種類很多,如:極性保護(hù)、程序保護(hù)、過(guò)流保護(hù)、過(guò)壓保護(hù)、欠壓保護(hù)、過(guò)熱保護(hù)等。由于電源的種類很多,用途各異,所以,對(duì)保護(hù)的要求也各有側(cè)重,具體保護(hù)的設(shè)置應(yīng)按具體要求而定。電源中加了保護(hù)電路后,勢(shì)必增加元器件,反過(guò)來(lái)又會(huì)影響系統(tǒng)的可靠性,為此要求保護(hù)電路本身的可靠性一定要高,以提高整個(gè)系統(tǒng)的可靠性,進(jìn)而提高電源本身的MTBF,這就要求保護(hù)的邏輯嚴(yán)密,電路簡(jiǎn)單,元器件最少,除此而外還要考慮所保護(hù)電路本身出現(xiàn)故障的維修度,確保電源的正常工作和高可靠性。

          2.2 降低成本的主要途徑

          降低成本的主要途徑如下:

          ——采用先進(jìn)的產(chǎn)品設(shè)計(jì)管理模式,盡力縮短產(chǎn)品研發(fā)周期;

          ——加強(qiáng)全員質(zhì)量意識(shí),把產(chǎn)品質(zhì)量貫穿于設(shè)計(jì)和生產(chǎn)的全過(guò)程,力爭(zhēng)產(chǎn)品一次合格率100%,確保合同履行率100%與顧客滿意度100%;

          ——電源產(chǎn)品的性能以滿足用戶為宜,不須過(guò)分地追求高指標(biāo)并合理地選擇元器件、原材料,盡可能地降低成本;

          ——重視人才資源管理,走以人為本的路子,不但要培養(yǎng)、尊重和愛護(hù)人才,還要合理地安排和使用,有效地發(fā)揮其作用,絕不浪費(fèi)人才資源;

          ——以最大的信息量和信譽(yù)度加大市場(chǎng)占有率和資金回收率。

          3 高頻、高效、低壓大電流化、標(biāo)準(zhǔn)化是開關(guān)電源的

          3.1 在封裝結(jié)構(gòu)上正朝著薄型和超薄型方向

          以前標(biāo)準(zhǔn)??斓母叨仁?2.7mm(0.5英寸),最近已下降到9.53mm(0.375英寸),一般客戶要求薄型封裝尺寸為7.5mm(0.295英寸),8.5mm(0.335英寸),10mm(0.394英寸)。外形尺寸趨于國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化尺寸,多為1/8、1/4、1/2、3/4和全磚式結(jié)構(gòu),輸出端子相互兼容的設(shè)計(jì)日趨明顯。模塊內(nèi)部控制電路傾向于采用數(shù)字控制方式,非隔離式DC/DC變換器比隔離式增長(zhǎng)速度快,分布式電源比集中式電源快。

          3.2 低電壓大電流化

          隨著半導(dǎo)體工藝等級(jí)未來(lái)十年將從0.18μm向50nm邁進(jìn),芯片所需最低電壓最終將變?yōu)?.6V,但輸出電流將朝著大電流方向發(fā)展。據(jù)市場(chǎng)調(diào)查,隨著半導(dǎo)體工藝的發(fā)展,電源對(duì)各種電壓的需求百分率走勢(shì)如表1所列。

          表1 電源對(duì)各種電壓的需求

          時(shí)間電壓值/V
          52.51.50.8~1
          2005年39%35%15%2%
          2010年21%32%30%12%
          由表1可以看出未來(lái)用戶所需電源電壓有下降,估計(jì)不久將來(lái)1V及1V以下的電源需求量將會(huì)有明顯增加。

          3.3 高效化

          應(yīng)用各種軟開關(guān)技術(shù),包括無(wú)源無(wú)損軟開關(guān)技術(shù)、有源軟開關(guān)技術(shù)(如ZVS/ZCS諧振、準(zhǔn)諧振)、恒頻零開關(guān)技術(shù)、零電壓、零電流轉(zhuǎn)換技術(shù)及目前同步整流用MOSFET代替整流二極管都能大大地提高模塊在低輸出電壓時(shí)的效率,而效率的提高使得敞開式無(wú)散熱器的電源模塊有了實(shí)現(xiàn)的可能。這類模塊是世界模塊發(fā)展的潮流,必將得到廣泛應(yīng)用。隨著器件性能的改變,電源效率即將達(dá)到92%(5V)、90%(3.3V)、87.5%(2V)。

          3.4 大電流和高密度化

          1991年高功率密度定義為每立方英寸輸出功率25W,以后逐年增加,1994年為每立方英寸36W,1999年為每立方英寸52W,到2001年為每立方英寸96W,現(xiàn)在每立方英寸達(dá)數(shù)百W。在全球范圍內(nèi)高功率密度直流轉(zhuǎn)換模塊市場(chǎng)以每年16.8%的增長(zhǎng)速度向前發(fā)展。輸出電流將增長(zhǎng)到半磚80A、1/4磚50A。目前,日本TDK公司推出新一代分布式隔離型DC/DC轉(zhuǎn)換器,其參數(shù)為1/4磚輸入電壓42V~58V、輸出電壓12V、輸出電流27A、效率為95%,功率密度已達(dá)每立方英寸236W;1/8磚輸入電壓42V~58V、輸出電壓12V、輸出電流13.5A、效率為95%,功率密度已達(dá)每立方英寸214W。

          3.5 高頻化

          為了縮小開關(guān)電源的體積,提高電源的功率密度并改善動(dòng)態(tài)響應(yīng),小功率DC/DC變換器的開關(guān)頻率已由現(xiàn)在的200kHz~500kHz提高到1MHz以上,但高頻化又會(huì)產(chǎn)生新的問(wèn)題,如開關(guān)損耗以及無(wú)源元件的損耗增大,高頻寄生參數(shù)的影響以及高頻電磁干擾增大等。



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