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          便攜式B超電源整體設計方案

          作者: 時間:2010-11-26 來源:網(wǎng)絡 收藏


          TPS5430的輸出電壓值是由其4腳的分壓電壓值決定的,輸出電壓Vout=(1.221+ (R1×1.221)/R2)V。其中,R1是分壓上電阻,R2是分壓下電阻。對于TPS5430的設計,R1可以取10kΩ,R2則能根據(jù)要獲得的輸出電壓來計算。根據(jù)圖4給出的R206(1.11K)、R208(3.07K)、R210(5.36K),我們可以計算出輸出電壓分別是12.2V、 5.2V、3.5V,比設計值略高0.2V,負載比較重,帶載的時候電壓正好合適。

          N208(LM2576-12)是美國國家半導體的產(chǎn)品,1腳是供電端,接POWER+;2腳是輸出端,外接續(xù)流二極管和電感;3腳是接地端,5腳是ON/OFF控制端,由于要輸出負電壓,因此 3、5腳沒有接地而是接-12V上了;4腳是電壓反饋端,我們使用固定12V輸出的LM2576-12,故4腳接地,不需要接反饋電阻分壓。
          高壓電源電路的設計

          便攜B超高壓電源電路如圖5所示,使用變換器。UA3843是專門用于變換器應用的高性能、固定頻率、電流模式控制器,為設計者提供使用最少外部元件的高性價比的解決方案。其分PWM控制、周波電流限制、電壓控制等幾部分。




          圖5 ±48V電源電路

          1 PWM控制

          POWER+經(jīng)過電阻R34為N1(UA3843)的7腳提供電壓,N1的4腳外接R36、C33與內(nèi)部電路形成的鋸齒波振蕩器開始工作。PWM脈沖由 N1的6腳輸出,控制MOSFET V9的導通時間,決定輸出電壓的高低。R37用于抑制寄生振蕩,通常串聯(lián)在靠近MOSFET柵極處。柵極電阻R37不能太大,它直接影響PWM驅(qū)動信號對 MOSFET輸入電容的充放電,即影響MOSFET的開關速度。開關變壓器的次級第9、10腳輸出的感應電動勢經(jīng)VD14整流,C35、L7、C36濾波,形成+48V直流輸出電壓為B超探頭供電。開關變壓器的次級第7、6腳輸出的感應電動勢經(jīng)VD13整流、C39、L8、C37濾波,形成-48V直流輸出電壓為B超探頭供電。VD12、C34、R38組成尖峰脈沖吸收電路,用于在開關管從導通轉(zhuǎn)為截止的瞬間抑制V9的漏極所產(chǎn)生的幅值極高的尖峰脈沖。其原理是:在V9截止的瞬間,其漏極產(chǎn)生的尖峰脈沖經(jīng)VD12、C34構(gòu)成充電回路,充電電流將尖峰脈沖抑制在一定的范圍內(nèi),避免了V9被尖峰脈沖擊穿。當C34充電結(jié)束后,C34通過R38放電,為下個周期再次吸收尖峰脈沖作準備

          2 周波電流限制

          2腳FEED BACK是反饋電壓輸入端,此腳與內(nèi)部誤差同相輸入端的基準電壓(一般為+2.5V)進行比較,產(chǎn)生控制電壓,控制脈沖的寬度,本電路將其接地,由內(nèi)部誤差的輸出端1腳進行控制。3腳的周波電流限制信號決定了PWM脈沖的寬度,即決定了輸出電壓的高低。N1(UA3843)3腳外接的R47、 R48、R14、C32組成周波電流限制電路,在每一個振蕩周期中,當開關電源脈沖變壓器L6初級的3~5繞組電感電流峰值達到設定值時就關閉PWM脈沖,設定值由N1(UA3843)的1腳COMP端電壓決定(1腳COMP是內(nèi)部誤差的輸出端),通常此腳與2腳之間接有反饋網(wǎng)絡,以確定誤差放大器的增益和頻響。周波電流限制控制過程如下:開關管導通,電感電流上升,取樣電壓V3上升,當3腳電壓大于1V時,內(nèi)部電流檢測比較器翻轉(zhuǎn),內(nèi)部PWM鎖存器復位,關閉PWM脈沖,準備進入下周期。為消除電流限制電路尖波脈沖干擾,由R14、C32組成尖波濾波電路,以確保周波電流限制功能在每一個振蕩周期中都有效。R47、R48為限流取樣電阻,決定了整個開關變換器的最大輸出電流值,改變其阻值可以調(diào)整最大輸出電流。

          3 電壓控制

          N1(UA3843)是電流型脈寬調(diào)制器,有兩個閉環(huán)控制。電流取樣信號送到電流檢測比較器同相輸入端3腳,構(gòu)成電流閉環(huán)控制,誤差電壓送到內(nèi)部誤差放大器的輸出端1腳,其輸出送到電流檢測比較器反相輸入端作為比較基準,構(gòu)成電壓閉環(huán)控制。由此看出,電壓閉環(huán)與電流閉環(huán)是相互作用的,兩者最后都通過電流檢測比較器來控制PWM鎖存器,即控制PWM脈沖的寬度。電壓閉環(huán)控制電路由電壓基準N2(TL431A)、光電耦合器B4(TLP521)及電阻 R31、VR7、R12、R32等元件組成。光電耦合器B4(TLP521)輸出的電流信號轉(zhuǎn)化成電壓信號,送到內(nèi)部誤差放大器的輸出端1腳。 N2(TL431A)誤差放大器內(nèi)部比較基準為2.5V。電壓閉環(huán)穩(wěn)壓控制過程是:輸出電壓上升,TL431A基準端VR上升,TL431導通上升,光電耦合器B4(TLP521)導通上升,1腳電壓下降,內(nèi)部電流檢測比較器翻轉(zhuǎn)提前,內(nèi)部PWM鎖存器復位提前,PWM脈沖變窄,輸出電壓變低,從而穩(wěn)定了輸出電壓。高壓輸出電壓值VOUT=(1+R31/(R12+VR7))Vref,通過調(diào)節(jié)電位器VR7的值,可以使輸出調(diào)整在±48V,調(diào)節(jié)范圍是 31×2.5=77.5V~(1+15)×2.5=32V。

          結(jié)語

          本文介紹了便攜式B超電源的設計,包括電源切換電路的設計、單鍵觸摸開關機電路的設計、低壓電源電路的設計及高壓電源電路的設計。在我們的便攜設備中很好的完成了設計指標的要求,可以應用到其他便攜設備中。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/180200.htm

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