基于反相SEPIC的高效率降壓/升壓轉換器的實現(xiàn)

下框中的補償元件值可以通過下式計算：

	(7)
	(8)
	(9)

轉換器的跨導GCS利用下式計算：

(10)

COUT 是轉換器的輸出電容。ESR是該輸出電容的等效串聯(lián)電阻。RLOAD是最小輸出負載電阻。ACS是電流檢測增益，對于ADP1877，它可以在3 V/V至24 V/V范圍內(nèi)以離散步進選擇。Gm是誤差放大器的跨導，ADP1877為550 μs。VREF 是與誤差放大器的正輸入端相連的基準電壓，ADP1877為0.6 V。

GCS 是與頻率無關的增益項，隨增強后的次級開關電阻RDS(ON)而變化。最高交越頻率預期出現(xiàn)在此電阻和占空比D最低時。

為確保在最大輸出電流時不會達到補償箝位電壓，所選的電流檢測增益(ACS)最高值應滿足以下條件：

(11)

其中IL 為峰峰值電感紋波電流。

(12)

如果斜率補償過多，此處的方程式精確度將會下降：直流增益將降低，輸出濾波器將引起主極點的頻率位置提高。

斜率補償
對于利用ADP1877實現(xiàn)的同步反相SEPIC，必須考慮電流模式控制器2中的次諧波振蕩現(xiàn)象。

按照下式設置RRAMP ，可以將采樣極點的品質(zhì)因素設為1，從而防止發(fā)生次諧波振蕩3 （假設 fUNITY 設置適當）。

(13)

值得注意的是，隨著增強后的次級開關電阻RDS(ON)降低，采樣極點的Q也會下降。如果這一因素與其它相關容差一起導致Q小于0.25，則應進行仿真，確保在考慮容差的情況下，轉換器不會有過多斜率補償，并且不是太偏向于電壓模式。RRAMP 的值必須使得ADP1877 RAMP引腳的電流在6 μA至200 μA范圍內(nèi)，其計算公式14如下：

(14)

功率器件應力
從圖2和圖3的電流流向圖可以看出，功率MOSFET在接通后要承載電感電流總和。因此，流經(jīng)兩個開關的電流直流分量為：

(15)

如果電感的耦合比為1:1，則流經(jīng)兩個開關的電流交流分量為：

(16)

知道這些值后，可以很快算出流經(jīng)各開關的電流均方根值。這些值與所選MOSFET的RDS(ON)MAX共同確保MOSFET具有熱穩(wěn)定性，同時功耗足夠低，以滿足效率要求。

圖7. 同步反相SEPIC的理想電流波形（忽略死區(qū)）