<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          新聞中心

          EEPW首頁(yè) > 電源與新能源 > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 一種適合于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的新穎電流檢測(cè)方法

          一種適合于開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的新穎電流檢測(cè)方法

          作者: 時(shí)間:2010-10-26 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          0 引言
          隨著電子產(chǎn)品向小型化、便攜化的趨勢(shì)發(fā)展,單片集成的高效、低電源電壓DC-DC變換器被廣泛應(yīng)用。在許多電源管理IC中都用到了電路。在模式PWM控制DC-DC變換器中,模塊是組成電流環(huán)路的重要部分,用于流過(guò)功率管和電感上的電流,并通過(guò)將電流檢測(cè)結(jié)果和電壓環(huán)路的輸出做比較,實(shí)現(xiàn)脈寬調(diào)制的效果。在電壓模式PWM控制DC-DC變換器、LDO、Charge Pump等電路中,它還可以用
          作開(kāi)路、短路、過(guò)流等節(jié)能和保護(hù)性目的。
          傳統(tǒng)的電流檢測(cè)有3種:
          (1)利用功率管的RDS進(jìn)行檢測(cè);
          (2)使用檢測(cè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管檢測(cè);
          (3)場(chǎng)效應(yīng)晶體管與檢測(cè)電阻結(jié)合。
          針對(duì),不同于傳統(tǒng)的電流檢測(cè)方式,本文提出了一種的電流檢測(cè)。

          1 傳統(tǒng)的電流檢測(cè)
          1.1 利用功率管的RDS進(jìn)行檢測(cè)(RDS SENSING)

          當(dāng)功率管(MOSFET)打開(kāi)時(shí),它工作在可變電阻區(qū),可等效為一個(gè)小電阻。MOSFET工作在可變電阻區(qū)時(shí)等效電阻為:

          式中:μ為溝道載流子遷移率;Cox為單位面積的柵電容;VTH為MOSFET的開(kāi)啟電壓。
          如圖1所示,已知MOSFET的等效電阻,可以通過(guò)檢測(cè)MOSFET漏源之間的電壓來(lái)檢測(cè)電流。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/180358.htm


          這種技術(shù)理論上很完美,它沒(méi)有引入任何額外的功率損耗,不會(huì)影響芯片的效率,因而很實(shí)用。但是這種技術(shù)存在檢測(cè)精度太低的致命缺點(diǎn):
          (1)MOSFET的RDS本身就是非線性的。
          (2)無(wú)論是芯片內(nèi)部還是外部的MOSFET,其RDS受μ,Cox,VTH影響很大。
          (3)MOSFET的RDS隨溫度呈指數(shù)規(guī)律變化(27~100℃變化量為35%)。
          可看出,這種檢測(cè)技術(shù)受工藝、溫度的影響很大,其誤差在-50%~+100%。但是因?yàn)樵撾娏鳈z測(cè)電路簡(jiǎn)單,且沒(méi)有任何額外的功耗,故可以用在對(duì)電流檢測(cè)精度不高的情況下,如DC-DC的過(guò)流保護(hù)。
          1.2 使用檢測(cè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SENSEFET)
          這種電流檢測(cè)技術(shù)在實(shí)際的工程應(yīng)用中較為普遍。它的設(shè)計(jì)思想是:如圖2在功率MOSFET兩端并聯(lián)一個(gè)電流檢測(cè)FET,檢測(cè)FET的有效寬度W明顯比功率MOSFET要小很多。功率MOSFET的有效寬度W應(yīng)是檢測(cè)FET的100倍以上(假設(shè)兩者的有效長(zhǎng)度相等,下同),以此來(lái)保證檢測(cè)FET所帶來(lái)的額外功率損耗盡可能的小。節(jié)點(diǎn)S和M的電流應(yīng)該相等,以此來(lái)避免由于FET溝道長(zhǎng)度效應(yīng)所引起的電流鏡像不準(zhǔn)確。


          在節(jié)點(diǎn)S和M電位相等的情況下,流過(guò)檢測(cè)FET的電流,IS為功率MOSFET電流IM的1/N(N為功率FET和檢測(cè)FET的寬度之比),IS的值即可反映IM的大小。
          1.3 檢測(cè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管和檢測(cè)電阻相結(jié)合
          如圖3所示,這種檢測(cè)技術(shù)是上一種的改進(jìn)形式,只不過(guò)它的檢測(cè)器件不是FET而是小電阻。在這種檢測(cè)電路中檢測(cè)小電阻的阻值相對(duì)來(lái)說(shuō)比檢測(cè)FET的RDS要精確很多,其檢測(cè)精度也相對(duì)來(lái)說(shuō)要高些,而且無(wú)需專門電路來(lái)保證功率FET和檢測(cè)FET漏端的電壓相等,降低了設(shè)計(jì)難度,但是其代價(jià)就是檢測(cè)小電阻所帶來(lái)的額外功率損耗比第一種檢測(cè)技術(shù)的1/N2還要小(N為功率FET和檢測(cè)FET的寬度之比)。

          基爾霍夫電流相關(guān)文章:基爾霍夫電流定律



          上一頁(yè) 1 2 3 下一頁(yè)

          評(píng)論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專區(qū)

          關(guān)閉
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();