電壓關(guān)斷型緩沖器（RCD Snubber）的基本類型及其工作原理

　　本文較深入地討論了兩種常用模式的RCD Snubber電路：抑制電壓上升率模式與電壓鉗位模式，詳細(xì)分析了其各自的工作原理，給出了相應(yīng)的計(jì)算公式，最后通過實(shí)驗(yàn)提出了電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法。

　　RCD Snubber電路的基本類型及其工作原理

　　RCD Snubber是一種能耗式電壓關(guān)斷型緩沖器，分為抑制電壓上升率模式和電壓鉗位模式兩種類型，習(xí)慣上前者稱為RCD Snubber電路，而后者則稱為RCD Clamp電路。

　　為了分析方便，以下的分析或舉例均針對反激電路拓?fù)?，開關(guān)器件為功率MOSFET。

　　圖1 常用的RCD Snubber電路

　　抑制電壓上升率模式

　　對于功率MOSFET來講，其電流下降的速度較GTR或IGBT快得多，其關(guān)斷損耗的數(shù)值要比GTR或IGBT小，但是這個損耗對整個小功率的電源系統(tǒng)也是不容忽視的。因此提出了抑制電壓上升率的RCD Snubber。

　　如圖1所示，在開關(guān)管關(guān)斷瞬間，反激變壓器的漏感電流需要按原初始方向繼續(xù)流動，該電流將分成兩路：一路在逐漸關(guān)斷的開關(guān)管繼續(xù)流動;另一路通過Snubber電路的二極管Ds向電容Cs充電。由于Cs上的電壓不能突變，因而降低了開關(guān)管關(guān)斷電壓上升的速率，并把開關(guān)管的關(guān)斷功率損耗轉(zhuǎn)移到了Snubber電路。如果Cs足夠大，開關(guān)管電壓的上升及其電流的下降所形成的交叉區(qū)域?qū)M(jìn)一步降低，可以進(jìn)一步降低開關(guān)管的關(guān)斷損耗。但是Cs的取值也不能過大，因?yàn)樵诿恳粋€關(guān)斷期間的起始點(diǎn)(也就是開通期間的結(jié)束點(diǎn))，Cs必須放盡電荷以對電壓上升率進(jìn)行有效的抑制;而在關(guān)斷期間的結(jié)束點(diǎn)，Cs雖然能降低開關(guān)管電壓的上升時間，但其端電壓最終會達(dá)到()(為忽略漏感時的電壓尖峰，為次級對初級的反射電壓)。

　　關(guān)管導(dǎo)通的瞬間，Cs將通過電阻Rs與M所形成的回路來放電。Snubber的放電電流將流過開關(guān)管，會產(chǎn)生電流突波，并且如果某個時刻占空比變窄，電容將不能放盡電荷而不能達(dá)到降低關(guān)斷損耗的目的。

　　可見，Snubber電路僅在開關(guān)過渡瞬間工作，降低了開關(guān)管的損耗，提高了電路的可靠性，電壓上升率的減慢也降低了高頻電磁干擾。

　　電壓鉗位模式

　　RCD Clamp不同于Snubber模式，其目的是限制開關(guān)管關(guān)斷瞬間其兩端的最大尖峰電壓，而開關(guān)管本身的損耗基本不變。在工作原理上電壓鉗位模式RC的放電時間常數(shù)比抑制電壓上升率模式更長。

　　以圖2為例分析電路的工作過程，并且使用工作于反激式變換器的變壓器模型。反激式變壓器主要由理想變壓器、激磁電感與漏感組成。

　　圖2反激式變換器的Clamp電路