Blackfin處理器低功耗設(shè)計(jì)
3 片內(nèi)外設(shè)控制
系統(tǒng)設(shè)計(jì)中不是所有外設(shè)都能用到,而系統(tǒng)具體運(yùn)行過(guò)程中,有些外設(shè)也不需要一直工作。所以,在適當(dāng)?shù)臅r(shí)候可以通過(guò)禁用不使用的外設(shè)來(lái)降低系統(tǒng)的功耗。Blackfin535有專門的外設(shè)時(shí)鐘寄存器(PLL_IOCK),統(tǒng)一控制所有外設(shè)的時(shí)鐘,禁用某外設(shè)只需要將PLL_IOCK中對(duì)應(yīng)位置0即可。Blackfin533/532/531沒有這種統(tǒng)一的時(shí)鐘控制寄存器,只能通過(guò)每個(gè)外設(shè)的控制寄存器來(lái)使能或禁用外設(shè)。
4 內(nèi)核電壓控制
Blackfin系列處理器通過(guò)片內(nèi)的調(diào)壓器可以將外部的2.2~3.6 V的供電電壓轉(zhuǎn)換成0.85~1.2 V,為內(nèi)核供電。由于功耗與電壓的平方成正比,降低內(nèi)核電壓可有效降低系統(tǒng)功耗。片內(nèi)的調(diào)壓器需要搭配一定的外部電路才能實(shí)現(xiàn)其調(diào)壓功能,外部電路圖3所示。
VDDEXT為I/O供電電壓,VDDINT為內(nèi)核供電電壓,VROUT為外部FET/BJT驅(qū)動(dòng),用于控制開關(guān)頻率。
通過(guò)調(diào)壓器控制寄存器(VR_CTL)的VLEV(4~7位)來(lái)設(shè)置內(nèi)核電壓值,VLEV與電壓值的對(duì)應(yīng)關(guān)系,如表5所示。
修改VR_CTL的VLEV值可將內(nèi)核電壓控制在0.8~1.2 V,也可以將內(nèi)核供電完全關(guān)閉,即將VR_CTL中的FREQ(O~1位)設(shè)置為00,此時(shí)內(nèi)核時(shí)鐘和系統(tǒng)時(shí)鐘都會(huì)停止工作,而內(nèi)核電壓為0。修改內(nèi)核工作電壓的程序段需要放在對(duì)PLL_CTL設(shè)置程序之后執(zhí)行。
評(píng)論