基于TPS2301的熱插拔電路設(shè)計
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為了保證MOSFET在最壞條件下能安全工作，設(shè)計時還必須進行一定的降額設(shè)計。圖2中的MOSFET的SOA圖是在室溫25℃時的結(jié)果，而系統(tǒng)的實際工作溫度肯定不會一直維持在25℃。假設(shè)系統(tǒng)工作的最高環(huán)境溫度為50℃，那么，就必須重新測試出50℃情況下的SOA曲線。
首先，計算25℃下的功耗：
其中，RTHJC可從MOSFET數(shù)據(jù)手冊中查詢到?，F(xiàn)對環(huán)境溫度50℃下的功耗進行同樣的計算：
這樣，MOSFET的降額系數(shù)可通過下式計算：
為了反映調(diào)節(jié)過的額定功率，需要把表示施加最大功率的時間值的對角線向下平移?，F(xiàn)使用1 ms線來舉例說明其曲線原理。例如，在這條線上取一點，如(30 V，10 A)，這點的功率為300W，那么，在30 V，降額后的功率所對應的電流為7．14 A，這樣，在SOA圖上，這點將確定新的50℃降額后的l ms線。使用同樣的辦法可確定新的10 ms以及100μs線等。
3．4 定時電容的選取
在圖2中沿IMAX≈11 A畫一條水平線，再沿VMAX≈13．2V畫一條垂直線，并確定它們與黑色實線的交叉點。這些交叉點所指示出的1 ms與10ms之間的某個時間，也許是3 ms，就是應選擇的時間。在對數(shù)坐標圖的小范圍內(nèi)，一般很難獲取準確的數(shù)值，因此，要進行慎重的選擇，并要考慮到這些選擇對性能以及價格等其它標準的影響，同時要確保留有足夠的容差。
小于3ms的定時器足以保護MOSFET，如果選定的時間恒定為3 ms，則定時電容就可通過下公式獲得：
3．5 最終設(shè)計電路
根據(jù)上述分析，最終得到的基于TPS2301芯片的熱插拔控制電路如圖3所示。本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/180624.htm
4 結(jié)束語
該電路經(jīng)實際應用，在對故障電路板進行插拔時，設(shè)備中的其他電路板可以保持正常工作，設(shè)備性能不受影響，故可證明，該設(shè)計符合實際使用要求。
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