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          基于航天器DC/DC變換器的可靠性設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2010-01-28 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            一般通過(guò)上述電路,MOSFET熱耗可以達(dá)到比較理想的結(jié)果。

            2變壓器熱耗控制

            變壓器熱耗主要來(lái)自磁滯損耗、渦流損耗和電阻損耗。磁滯損耗與變壓器繞組和工作方式有關(guān),可以由公式(3)表示。渦流損耗是由磁芯內(nèi)環(huán)流造成的;電阻損耗是由變壓器繞組電阻產(chǎn)生的,分直流電阻損耗和集膚效應(yīng)電阻損耗兩種。

            Peddy≈khVefSWB2MAX (3)

            式中,Kh――材料的磁滯損耗常數(shù);

            Ve――磁芯體積,單位為cm3;

            fSW――開(kāi)關(guān)頻率,單位為Hz;

            BMAX――工作磁通密度的最大偏移值,單位為G。

            對(duì)磁滯損耗的控制中主要有以下幾點(diǎn)。

           ?、?比較合適的工作頻率;

           ?、?合適的初級(jí)繞組匝數(shù);

           ?、?工作磁通密度的最大偏移值的降額設(shè)計(jì)。

            在電阻損耗的控制設(shè)計(jì)中,盡量采用多股線替代單根線,從而將變壓器磁芯繞滿。

            3 輸出整流電路熱耗控制

            輸出整流電路的熱耗主要由整流二極管產(chǎn)生,整流二極管熱耗主要來(lái)自導(dǎo)通損耗、開(kāi)關(guān)損耗兩部分。對(duì)于導(dǎo)通損耗的控制設(shè)計(jì)主要是根據(jù)輸出電流和工作頻率選擇合適的整流二極管,如快恢復(fù)二極管或肖特基二極管。

            對(duì)于開(kāi)關(guān)損耗的控制主要有以下幾點(diǎn)。

           ?、龠x擇反向恢復(fù)特性好的整流管;

           ?、谕ㄟ^(guò)吸收電路的設(shè)計(jì),控制整流管反向電壓尖峰。

            衛(wèi)星分析與計(jì)算

            產(chǎn)品的取決于產(chǎn)品的失效率,而失效率隨工作時(shí)間的變化具有不同的特點(diǎn)。根據(jù)長(zhǎng)期以來(lái)的理論研究和數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)可發(fā)現(xiàn),由許多元器件構(gòu)成的機(jī)器、設(shè)備或系統(tǒng),在不進(jìn)行預(yù)防性維修時(shí),或者不可修復(fù)的產(chǎn)品,其失效率曲線的典型形態(tài)相似于浴盆的剖面,所以又稱(chēng)為浴盆曲線(Bathtub-curve),如圖6所示。

            圖6 失效率浴盆曲線

            由圖6可見(jiàn),失效率明顯地分為三個(gè)不同的階段或時(shí)期。第一段曲線是元件的早期失效期,表明元件在開(kāi)始使用時(shí)的失效率很高,但隨著產(chǎn)品工作時(shí)間的增加,失效率迅速降低,屬于遞減型――DFR(Decreasing Failure Rate)型。其失效原因大多屬于設(shè)計(jì)缺陷、制造工藝缺陷和元器件固有缺陷一類(lèi)。為了縮短早期失效的時(shí)間,產(chǎn)品應(yīng)在投入運(yùn)行之前進(jìn)行試運(yùn)轉(zhuǎn),以便及早發(fā)現(xiàn)、修正和排除缺陷;或通過(guò)試驗(yàn)進(jìn)行篩選和淘汰次品,以便改善其技術(shù)狀態(tài)。

            第二階段曲線是元件的偶然(也稱(chēng)隨機(jī))失效期,特點(diǎn)是失效率低且穩(wěn)定,可近似看做常數(shù),失效屬于恒定期――CFR(Constant Failure Rate)型。產(chǎn)品的指標(biāo)所描述的就是這個(gè)時(shí)期,它是產(chǎn)品的良好使用階段。產(chǎn)品的壽命試驗(yàn)、可靠性試驗(yàn)一般都是在偶然失效期進(jìn)行的。

            產(chǎn)品的失效是由多種不太嚴(yán)重的偶然因素引起的,通常是產(chǎn)品設(shè)計(jì)余度不夠造成隨機(jī)失效。研究這一時(shí)期的失效原因,對(duì)提高產(chǎn)品的可靠性具有重要意義。因?yàn)樵谶@一階段中,產(chǎn)品失效率近似為一個(gè)常數(shù)。

            第三段曲線是元件的損耗失效期,失效率隨時(shí)間延長(zhǎng)而急速增加,元件的失效率屬于遞增型――IFR(Increasing failure Rate)型。到了此時(shí),元件損傷嚴(yán)重或已經(jīng)疲勞,壽命即將結(jié)束。

            一般在進(jìn)行可靠度預(yù)計(jì)時(shí),進(jìn)口元器件失效率數(shù)據(jù)參考MIL-HDBK-217F,國(guó)產(chǎn)元器件失效率數(shù)據(jù)參考GJB/Z 299C。

            結(jié)語(yǔ)

            本文從選擇合理的電路技術(shù)方案、設(shè)計(jì)過(guò)載保護(hù)電路、FMEA及冗余設(shè)計(jì)、降額設(shè)計(jì)、熱設(shè)計(jì)等不同角度闡述了提高可靠性的設(shè)計(jì)要求。其中尤為重要的思想是,可靠性的保證不能僅僅依賴于元器件的固有可靠性,而是上述諸多因素共同作用的結(jié)果。


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