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          電源中的負(fù)載管理與負(fù)載開關(guān)設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

          作者: 時(shí)間:2010-01-13 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

            IC及組成的結(jié)構(gòu)

            在實(shí)際應(yīng)用中,往往由于電路復(fù)雜而采用IC及多個(gè)組成的系統(tǒng),如圖6所示。圖6中有3個(gè),輸出不同的電壓。電源1給負(fù)載1~3供電。為了控制負(fù)載1~3的通電或失電,在電源與負(fù)載之間設(shè)了3個(gè)負(fù)載。電源2、電源3則由電源管理IC來控制其負(fù)載的通電或失電。

            新型負(fù)載開關(guān)的特點(diǎn)

            近年來,隨著便攜式電子產(chǎn)品的發(fā)展,各種先進(jìn)的、多功能的(有的公司稱它為全能的或智能的)負(fù)載開關(guān)出現(xiàn)了。歸納起來,這些用于負(fù)載管理的負(fù)載開關(guān)具有下述特點(diǎn):

          增加保護(hù)功能

            負(fù)載開關(guān)是功率器件,大多數(shù)器件有過熱關(guān)閉保護(hù),有的負(fù)載開關(guān)內(nèi)部設(shè)有輸出電流限制電路(限制電流是固定的)或限制電流可設(shè)定的品種,可保證負(fù)載不過載受損,保證系統(tǒng)安全工作。另外,一般負(fù)載開關(guān)都設(shè)有輸入電壓過低時(shí),輸出鎖存(UVLO);有故障時(shí)給微處理器輸出故障信號(hào)。

            提高性能

            提高性能包括:減小導(dǎo)通電阻RDS(on),以減少損耗,目前可做到RDS(on)=30MΩ左右;降低靜態(tài)電流IQ,IQ最小的僅25nA;為防止開關(guān)導(dǎo)通瞬間有較大的沖擊電流,設(shè)有軟啟動(dòng)(有的負(fù)載開關(guān)有多種啟動(dòng)時(shí)間供用戶選擇或由用戶根據(jù)負(fù)載情況自行設(shè)定);負(fù)載開關(guān)關(guān)斷時(shí)增加了放電電路,加速關(guān)斷時(shí)間;有負(fù)載開關(guān)關(guān)斷時(shí)防止產(chǎn)生反向電流(由OUT端流向IN端,可將開關(guān)管中的二極管去掉);降低工作電壓以滿足供CPU核的需要,最低工作電壓為0.8V,工作電范圍寬,有的為1.2~5.5V,也有的為3~13.5V,以滿足不同工作電壓的需要;電流范圍為1~6A,可滿足各種便攜式的需要。

            封裝尺寸小

            為滿足便攜式體積小的要求,負(fù)載開關(guān)一般采用SOT-23封裝、2mm×2mm MLP或MLF封裝、SC-70封裝,最小的采用6焊球BGA封裝,其尺寸為1.5mm×1.0mm。

            這里簡單地介紹幾種較典型的負(fù)載開關(guān)。

            典型便攜式負(fù)載開關(guān)

            封裝最小的負(fù)載開關(guān)FPF1003/4

            FPF1003/4是飛兆公司于2007年4月推出的負(fù)載管理器件。其主要特點(diǎn)為:輸入電壓范圍1.2~5.5V;導(dǎo)通電阻RDS(on),在VIN=5.5V時(shí)為30MΩ,靜態(tài)電流IQ≤1μA;FPF1004內(nèi)部關(guān)斷時(shí)有放電電路,關(guān)斷時(shí)間為10μs;最大連續(xù)開關(guān)電流為2A;工作溫度范圍為-40℃~+85℃,小尺寸6焊球BGA封裝(1.5×1.0mm2);開關(guān)導(dǎo)通時(shí),有電壓上升率控制。

            該負(fù)載開關(guān)適用于現(xiàn)代超小型便攜式電子產(chǎn)品,如PDA、手機(jī)、GPS、MP3播放器、數(shù)碼相機(jī)等。

            該器件典型應(yīng)用電路如圖7所示,輸入電容一般為1μF,輸出電容為0.1μF(都采用多層陶瓷電容器)。如在ON端加邏輯高電平時(shí),開關(guān)導(dǎo)通(VIN=1.2V時(shí),VIH≥0.8V;VIN=2.7~5.5V時(shí),VIH≥2V);ON端加邏輯低電平時(shí),開關(guān)關(guān)斷(VIN=1.2V時(shí),VIL≤0.35V;VIN=2.7V~5.5V時(shí),VIL≤0.8V)。RDS(on)與VIN有關(guān):VIN=5.5V時(shí),RDS(on)≤30MΩ;VIN=1.2V時(shí),RDS(on)≤150MΩ。

            該器件最大的亮點(diǎn)是在這樣小的封裝時(shí)可連續(xù)供電2A,并且可工作于1.2V低壓,其不足之處是尺寸太小,無法再集成過熱關(guān)閉等保護(hù)電路。



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