高性能片內(nèi)集成CMOS線性穩(wěn)壓器設計
0 引言
電源管理技術(shù)近幾年已大量應用于便攜式和手提電源中。電源管理系統(tǒng)包括線性穩(wěn)壓器、開關(guān)穩(wěn)壓器和控制邏輯等子系統(tǒng)。本文主要針對低壓差線性穩(wěn)壓器進行研究。低壓差線性穩(wěn)壓器是電源管理系統(tǒng)中的一個基本部分,用以提供穩(wěn)定的電壓源。它們屬于改進效率的線性穩(wěn)壓器。通過采用共漏功率管來替代常規(guī)線性穩(wěn)壓器的共源功率管,并以此來降低最小電壓降,改善電源效率。由于功率管上的較小壓降降低了功率消耗,從而使得低壓降線性穩(wěn)壓器在低電壓、片內(nèi)集成的電源管理系統(tǒng)中廣泛應用。
要滿足常規(guī)線性穩(wěn)壓器的穩(wěn)定性要求,通常需要一個微法量級的片外電容。而較大的微法級電容在現(xiàn)今設計工藝下還不能實現(xiàn),因此,每個線性穩(wěn)壓源都需要一個板級片外電容。為了解決這個問題,本文提出了一種無片外電容的線性穩(wěn)壓源方案。該設計移除了大的片外電容,同時在各種工作條件下都能保證系統(tǒng)的穩(wěn)定性。除去了大的片外電容不僅被降低板級封裝成本,同時也可降低整個設計的成本,還有利于片內(nèi)集成的設計。
1 電路原理
由于本電源轉(zhuǎn)換器無片外電容,因此設計有兩個主要難題:一是過沖電壓的瞬態(tài)響應,二是轉(zhuǎn)換器的穩(wěn)定性問題。為了解決這些問題,本文采用偽密勒電容來提高多級運放的穩(wěn)定性。
1.1 瞬態(tài)響應補償
在無片外電容電壓轉(zhuǎn)換器里,小的片內(nèi)輸出負載電容Cout就不能作為主極點,因而必須外推到高頻極點。因此,主極點必須在差分運放環(huán)路中,同時瞬態(tài)響應信號必須通過環(huán)路的主極點。圖1所示是線性穩(wěn)壓器和電路結(jié)構(gòu)。圖中,主極點的等效輸入電容為CG(≈CGS+ApassCGD+C1),差分運放的輸出阻抗R可使電流轉(zhuǎn)化為電壓。當輸出電流產(chǎn)生階躍時,只有在經(jīng)過一定的延遲時間tp之后,柵電壓Vg足夠接近它的穩(wěn)態(tài)電壓時,功率管才能提供所需的電流。差分運放的寄生極點必須外推到高頻(這樣可以降低這些極點對于時延的影響),線性穩(wěn)壓源的速度主要決定于gmerror/CG所影響的傳播延遲時間tp,其中,gmerror是差分運放輸人的小信號跨導。由于環(huán)路帶寬的限制,由差分運放反饋的環(huán)路不能很快的驅(qū)動功率管的柵級,因此,設計時需要一個環(huán)路來加速功率管柵級電流的注入。
圖1中的微分器是一個輔助的快通路,可以作為補償電路而成為本線性穩(wěn)壓源的核心組成部分。微分器不僅可提供一個快速瞬態(tài)檢測通路,而且還可作為交流穩(wěn)定性補償。實際上,可以簡單地把耦合網(wǎng)絡理解為一個單位增益電流緩沖器。Cf感應的輸出電壓變化可轉(zhuǎn)化為電流信號if,然后通過耦合網(wǎng)絡注入到功率管的柵電容。補償電路分離極點,類似于常規(guī)的密勒補償結(jié)構(gòu),也可以改善環(huán)路的速度。假設負載階躍電流為△ILOAD,那么,它將產(chǎn)生一個輸出電壓紋波△VOUT,同時Cf流過的電流對Cg進行沖放電,從而改變MP管的漏電流來補償△ILOAD,并最終使Vout回到其穩(wěn)定點。減小輸出紋波所需耦合電容的數(shù)值可以通過分析圖1中的電路得到。假設流過Rf1和Rf2的電流忽略不計,那么功率管柵電壓的變化所對應的補償電流為:
對于一個電流幅度為0~50 mA,最大輸出紋波電壓為100 mV的線性穩(wěn)壓器來說,假設Gmp=50 mA/V,CG=5 pF,補償電容Cf為10CG=50 pF;那么,耦合電容的取值就必須保證在無負載或者最小Gmp時都能保持最小的輸出紋波。因此,負載瞬態(tài)工作電流從低到高變化時,需要更多的耦合電容。
很明顯,所需的耦合電容太大不利于片內(nèi)集成。所以,需要一種減小Cf大小并保持有效耦合電容的技術(shù)。為了分析電路,圖2給出了一個簡單的開環(huán)等效電路圖。如果電阻的阻抗相比于電容要小的話,那么流過電容的電流通過電阻RZ將轉(zhuǎn)化為電壓,然后通過Gmf再轉(zhuǎn)化為電流。由偽微分電路構(gòu)成的輔助電路可通過以下方式來提高有效補償電容:
在上述表達式中,假設寄生極點1/RzCf位于高頻范圍。Gmf的作用將體現(xiàn)在兩個方面:第一是Cf可以通過GmfRz來減小其數(shù)量級,第二是可消除Cf容所引起的前饋通路的影響。
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