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          基于0.5 μm BCD工藝的欠壓鎖存電路設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2009-11-20 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
          隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展,對(duì)電源管理芯片的開關(guān)頻率、傳輸延遲、穩(wěn)定性、功耗等各種要求越來越高,以保證電源電壓在波動(dòng)的情況下能夠可靠的工作。
          一般的電源芯片上電啟動(dòng)時(shí),電源會(huì)通過輸入端的等效電阻和電容對(duì)其充電,使得電源芯片的電壓逐步上升,直到電壓上升到芯片的開啟電壓時(shí)電路正常工作。然而若系統(tǒng)的負(fù)載電流較大,有可能把電路的電壓拉低到開啟電壓以下,出現(xiàn)一開啟就關(guān)斷的情況。為了保證電路正常進(jìn)入啟動(dòng)狀態(tài)并且穩(wěn)定工作,同時(shí)也為了電路工作時(shí)電源電壓的波動(dòng)不會(huì)對(duì)整個(gè)電路和系統(tǒng)造成損害,一般使用所謂的欠壓鎖存(Under Voltage LockOut,UVLO)電路對(duì)電源電壓實(shí)時(shí)監(jiān)控和鎖存。
          傳統(tǒng)電源管理類集成電路的欠壓鎖存電路的設(shè)計(jì)思路都是由比較器、帶隙基準(zhǔn)參考電壓和一些邏輯部件構(gòu)成的,其存在響應(yīng)速度跟不上,功耗大,電路面積太大等問題。針對(duì)這些問題,設(shè)計(jì)一種新的欠壓鎖存電路,在不使用額外的基準(zhǔn)電壓源和比較器以及復(fù)雜的數(shù)字邏輯的情況下,能夠達(dá)到UVLO的各項(xiàng)指標(biāo)。它最主要的特點(diǎn)就是具有簡單的電路結(jié)構(gòu)、高的反應(yīng)速度、低的溫度敏感性和精準(zhǔn)的門限電壓,同時(shí)版圖面積節(jié)省、功耗較低。

          1 應(yīng)用框圖與傳統(tǒng)電路結(jié)構(gòu)
          圖1是DC-DC電源管理系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖。引腳Vstr直接與220 V交流整流器相連,最大耐壓650 V。只要芯片一上電,UVLO電路就實(shí)時(shí)地對(duì)電源電壓進(jìn)行監(jiān)控。芯片剛上電時(shí),電流通過引腳Vstr給引腳VCC外接電容充電,當(dāng)充電到芯片預(yù)置的開啟電壓Von時(shí),UVLO電路輸出電平發(fā)生翻轉(zhuǎn),芯片內(nèi)部電路開始工作,Vstr對(duì)地短路,芯片電源由輔助變壓器對(duì)VCC外接電容充電供給。正如上所述,UVLO電路同時(shí)設(shè)置了一個(gè)關(guān)閉電壓Voff(VoffVon),用于防止由于系統(tǒng)負(fù)載電流較大而引起的一上電就關(guān)斷的情況。同時(shí),由其他情況引起的電源電壓波動(dòng)導(dǎo)致芯片電壓下降到Voff時(shí),UVLO電平恢復(fù),芯片不產(chǎn)生參考電源,所有邏輯操作都將被終止。
          由此可見,UVLO電路實(shí)質(zhì)上是一個(gè)遲滯電壓比較器,它必須具備反應(yīng)速度靈敏,門限電壓穩(wěn)定,滯回區(qū)間合理,溫度漂移較低等特點(diǎn)。但是許多電源管理類集成電路的欠壓鎖存電路的設(shè)計(jì)思路都是由比較器、帶隙基準(zhǔn)參考電壓和一些邏輯部件構(gòu)成的,如圖2所示。不是響應(yīng)速度跟不上,就是功耗太大,更重要的是這種電路使用帶隙基準(zhǔn)參考電壓源和分壓電路,太過于復(fù)雜,使得電路面積太大而不利于降低成本。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/181176.htm

          在此提出一種0.5μm 的UVLO電路,在不使用額外基準(zhǔn)電壓源和比較器以及復(fù)雜數(shù)字邏輯的情況下,能夠達(dá)到UVLO的各項(xiàng)指標(biāo),其最主要的特點(diǎn)就是具有簡單的電路結(jié)構(gòu)、高反應(yīng)速度、低溫度敏感性和精準(zhǔn)的門限電壓,同時(shí)版圖面積節(jié)省、功耗較低。


          2 電路工作原理
          如圖3為所設(shè)計(jì)的UVLO電路圖。


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