工藝文章進(jìn)入工藝技術(shù)社區(qū)

不再執(zhí)著制造工藝華為：以系統(tǒng)設(shè)計(jì)工程建設(shè)消除芯片代差

多年來持續(xù)試跨越芯片制造工藝代差的華為公司29日表示，通過系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和工程建設(shè)能解決算力與分析能力的問題，從而消除在芯片上的代差。未來芯片創(chuàng)新不應(yīng)只在單點(diǎn)的芯片工藝上，而是應(yīng)該在系統(tǒng)架構(gòu)上，要用空間、帶寬、能源來換取芯片工藝上的缺陷。據(jù)《快科技》報(bào)導(dǎo)，在今天的數(shù)據(jù)大會(huì)上，華為常務(wù)董事張平安就芯片技術(shù)發(fā)展發(fā)言指出，「通過系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和工程建設(shè)可以解決我們整體數(shù)字中心的能力、算力和分析能力問題，可以消除我們在芯片上的代差。」張平安說，「在華為看來，AI數(shù)據(jù)中心耗能非常大，人工智能耗能更多，需要數(shù)能結(jié)合?！乖谶@之
關(guān)鍵字：工藝華為系統(tǒng)設(shè)計(jì) 芯片代差

臺積電高管張曉強(qiáng)：不在乎摩爾定律是死是活

近日，臺積電業(yè)務(wù)發(fā)展高級副總裁張曉強(qiáng)博士在接受采訪時(shí)被問到，如何看待“摩爾定律已死”的說法，而他的回答非常直接：“很簡單，不在乎。只要我們能繼續(xù)推動(dòng)工藝進(jìn)步，我就不在乎摩爾定律是活著，還是死了。”在張曉強(qiáng)看來，臺積電的優(yōu)勢在于，每年都能投產(chǎn)一種新的制程工藝，為客戶改進(jìn)性能、功耗和面積（PPA）指標(biāo)進(jìn)。比如說最近十年來，蘋果一直是臺積電的頭號客戶，而蘋果A/M系列處理器的演進(jìn)，正好反映了臺積電工藝的變化。此外，AMD Instinct MI300X / MI300A、NVIDIA H100/B200/GB
關(guān)鍵字：臺積電摩爾定律工藝

Intel 3 “3nm 級”工藝技術(shù)正在大批量生產(chǎn)

英特爾周三表示，其名為Intel 3的3nm級工藝技術(shù)已在兩個(gè)工廠進(jìn)入大批量生產(chǎn)，并提供了有關(guān)新生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)的一些額外細(xì)節(jié)。新工藝帶來了更高的性能和更高的晶體管密度，并支持1.2V的電壓，適用于超高性能應(yīng)用。該節(jié)點(diǎn)針對的是英特爾自己的產(chǎn)品以及代工客戶。它還將在未來幾年內(nèi)發(fā)展。英特爾代工技術(shù)開發(fā)副總裁Walid Hafez表示：“我們的英特爾3正在俄勒岡州和愛爾蘭的工廠進(jìn)行大批量生產(chǎn)，包括最近推出的Xeon 6'Sierra Forest'和'Granite Rapids'處理器
關(guān)鍵字： Intel 3 3nm 工藝

谷歌已經(jīng)與臺積電達(dá)成合作：首款芯片為Tensor G5，選擇3nm工藝制造

此前有報(bào)道稱，明年谷歌可能會(huì)改變策略，在用于Pixel 10系列的Tensor G5上更換代工廠，改用臺積電代工，至少在制造工藝上能與高通和聯(lián)發(fā)科的SoC處于同一水平線。為了更好地進(jìn)行過渡，谷歌將擴(kuò)大在中國臺灣地區(qū)的研發(fā)中心。隨后泄露的數(shù)據(jù)庫信息表明，谷歌已經(jīng)開始與臺積電展開合作，將Tensor G5的樣品發(fā)送出去做驗(yàn)證。據(jù)Wccftech報(bào)道，谷歌與臺積電已達(dá)成了一項(xiàng)協(xié)議，后者將為Pixel系列產(chǎn)品線生產(chǎn)完全定制的Tensor G系列芯片。谷歌希望新款SoC不再受到良品率的困擾，而Tenso
關(guān)鍵字：谷歌臺積電 Tensor G5 3nm 工藝

全新芯片技術(shù)亮相：不增加功耗 / 熱量提高 CPU 性能最高 100 倍

IT之家 6 月 19 日消息，名為 Flow Computing 的芬蘭公司宣布新的研究成果，成功研發(fā)出全新的芯片，可以讓 CPU 性能翻倍，而且可以通過軟件優(yōu)化性能提高最多 100 倍。Flow Computing 演示了全新的并行處理單元（PPU），該公司聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官 Timo Valtonen 認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)有著廣泛的應(yīng)用前景：“CPU 是計(jì)算中最薄弱的環(huán)節(jié)。它無法勝任自己的任務(wù)，這一點(diǎn)需要改變?！痹撔酒夹g(shù)涉及一個(gè)配套芯片，不產(chǎn)生額外功耗或者更多熱量的情況下，能實(shí)時(shí)優(yōu)化處理任務(wù)
關(guān)鍵字： CPU 工藝荷蘭

新型存儲技術(shù)迎制程突破

近日，三星電子對外表示，8nm版本的eMRAM開發(fā)已基本完成，正按計(jì)劃逐步推進(jìn)制程升級。資料顯示，eMRAM是一種基于磁性原理的、非易失性的新型存儲技術(shù)，屬于面向嵌入式領(lǐng)域的MRAM（磁阻存儲器）。與傳統(tǒng)DRAM相比，eMRAM具備更快存取速度與更高耐用性，不需要像DRAM一樣刷新數(shù)據(jù)，同時(shí)寫入速度是NAND的1000倍數(shù)?；谏鲜鎏匦?，業(yè)界看好eMRAM未來前景，尤其是在對性能、能效以及耐用性較高的場景中，eMRAM被寄予厚望。三星電子是eMRAM主要生產(chǎn)商之一，致力于推動(dòng)eMRAM在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用。三
關(guān)鍵字：存儲工藝三星

臺積電準(zhǔn)備推出基于12和5nm工藝節(jié)點(diǎn)的下一代HBM4基礎(chǔ)芯片

在 HBM4 內(nèi)存帶來的幾大變化中，最直接的變化之一就是內(nèi)存接口的寬度。隨著第四代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從已經(jīng)很寬的 1024 位接口升級到超寬的 2048 位接口，HBM4 內(nèi)存堆棧將不會(huì)像以前一樣正常工作；芯片制造商需要采用比現(xiàn)在更先進(jìn)的封裝方法，以適應(yīng)更寬的內(nèi)存。作為 2024 年歐洲技術(shù)研討會(huì)演講的一部分，臺積電提供了一些有關(guān)其將為 HBM4 制造的基礎(chǔ)模具的新細(xì)節(jié)，這些模具將使用邏輯工藝制造。由于臺積電計(jì)劃采用其 N12 和 N5 工藝的變體來完成這項(xiàng)任務(wù)，該公司有望在 HBM4 制造工藝中占據(jù)有
關(guān)鍵字：臺積電 12nm 5nm 工藝 HBM4 基礎(chǔ)芯片

三星 AI 推理芯片 Mach-1 即將原型試產(chǎn)，有望基于 4nm 工藝

5 月 10 日消息，韓媒 ZDNet Korea 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，三星電子的 AI 推理芯片 Mach-1 即將以 MPW（多項(xiàng)目晶圓）的方式進(jìn)行原型試產(chǎn)，有望基于三星自家的 4nm 工藝。這位業(yè)內(nèi)人士還表示，不排除 Mach-1 采用 5nm 工藝的可能。三星已為 Mach-1 定下了時(shí)間表：今年下半年量產(chǎn)、今年底交付芯片、明年一季度交付基于該芯片的推理服務(wù)器。同時(shí)三星也已獲得了 Naver 至高 1 萬億韓元（當(dāng)前約 52.8 億元人民幣）的預(yù)訂單。雖然三星電子目前能提供 3nm 代工，但在 M
關(guān)鍵字：三星 AI Mach-1 原型試產(chǎn) 4nm 工藝

臺積電準(zhǔn)備迎接“Angstrom 14 時(shí)代”啟動(dòng)尖端1.4納米工藝研發(fā)

幾個(gè)月前，臺積電發(fā)布了 2023 年年報(bào)，但顯然，文件中包含的關(guān)鍵信息被遺漏了。在深入探討之前，我們先來談?wù)勁_積電的 A14，或者說被許多分析師稱為技術(shù)革命的 A14。臺積電宣布，該公司終于進(jìn)入了"Angstrom 14 時(shí)代"，開始開發(fā)其最先進(jìn)的 A14 工藝。目前，臺積電的 3 納米工藝正處于開始廣泛采用的階段。因此，1.4 納米工藝在進(jìn)入市場之前還有很長的路要走，很可能會(huì)在 2 納米和 1.8 納米節(jié)點(diǎn)之后出現(xiàn)，這意味著你可以預(yù)期它至少會(huì)在未來五年甚至更長的時(shí)間內(nèi)出現(xiàn)。著
關(guān)鍵字：臺積電 Angstrom 14 1.4納米工藝

Meta 展示新款 MTIA 芯片：5nm 工藝、90W 功耗、1.35GHz

4 月 11 日消息，Meta 公司于 2023 年 5 月推出定制芯片 MTIA v1 芯片之后，近日發(fā)布新聞稿，介紹了新款 MTIA 芯片的細(xì)節(jié)。MTIA v1 芯片采用 7nm 工藝，而新款 MTIA 芯片采用 5nm 工藝，采用更大的物理設(shè)計(jì)（擁有更多的處理核心），功耗也從 25W 提升到了 90W，時(shí)鐘頻率也從 800MHz 提高到了 1.35GHz。Meta 公司表示目前已經(jīng)在 16 個(gè)數(shù)據(jù)中心使用新款 MTIA 芯片，與 MTIA v1 相比，整體性能提高了 3 倍。但 Meta 只主動(dòng)表示
關(guān)鍵字： Meta MTIA 芯片 5nm 工藝 90W 功耗 1.35GHz

iPhone 17 Pro將首發(fā)！曝臺積電2nm/1.4nm工藝量產(chǎn)時(shí)間敲定

4月11日消息，根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈消息，臺積電的2納米和1.4納米工藝已經(jīng)取得了新的進(jìn)展。據(jù)了解，臺積電的2納米和1.4納米芯片的量產(chǎn)時(shí)間已經(jīng)確定。2納米工藝的試產(chǎn)將于2024年下半年開始，而小規(guī)模量產(chǎn)將在2025年第二季度進(jìn)行。值得一提的是，臺積電在亞利桑那州的工廠也將參與2納米工藝的生產(chǎn)。到了2027年，臺積電將開始推進(jìn)1.4納米工藝節(jié)點(diǎn)，這一工藝被正式命名為"A14"。按照目前的情況，臺積電最新的工藝制程很可能會(huì)由蘋果率先采用。按照臺積電的量產(chǎn)時(shí)間表，iPhone 17 Pro將成為首批
關(guān)鍵字： iPhone 17 Pro 臺積電 2nm 1.4nm 工藝

英特爾重塑代工業(yè)務(wù)：按期推進(jìn) 4 年 5 個(gè)節(jié)點(diǎn)計(jì)劃、公布 Intel 14A 路線圖、2030 要成第二大代工廠

IT之家 2 月 22 日消息，英特爾于北京時(shí)間今天凌晨 0 點(diǎn) 30 分舉辦了 IFS Direct Connect 2024，在宣布 IFS 更名為 Intel Foundry 之外，還公布了未來十年的工藝路線圖，尤其提及了 1.4nm 的 Intel 14A 工藝。英特爾在本次活動(dòng)中宣布了大量的動(dòng)態(tài)信息，IT之家梳理匯總?cè)缦拢簣D源：IntelIFS 更名為 Intel Foundry英特爾首席執(zhí)行官帕特?基辛格（Pat Gelsinger）在本次活動(dòng)中，宣布 Intel Foundry S
關(guān)鍵字：英特爾 EDA 工藝

?2023年中國半導(dǎo)體行業(yè)格局：突破、挑戰(zhàn)和全球影響，行業(yè)邁向2024年

2023年，隨著美國技術(shù)制裁的升級，中國半導(dǎo)體行業(yè)面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)，美國對先進(jìn)芯片制造工具和人工智能處理器的限制更加嚴(yán)格。10月，美國擴(kuò)大了對半導(dǎo)體晶圓制造設(shè)備的出口管制，從戰(zhàn)略上限制了中國對較不先進(jìn)的英偉達(dá)數(shù)據(jù)中心芯片的獲取。此舉是遏制中國技術(shù)進(jìn)步的更廣泛努力的一部分，成功說服日本和荷蘭加入限制先進(jìn)半導(dǎo)體工具出口的行列。這些制裁暴露了中國芯片供應(yīng)鏈的脆弱性，促使中國加大力度實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體自給自足。國家資金支持國內(nèi)生產(chǎn)較不先進(jìn)的工具和零件的舉措，取得了顯著進(jìn)展。然而，在開發(fā)對先進(jìn)集成電路至關(guān)重要的高端光刻系統(tǒng)
關(guān)鍵字：中國半導(dǎo)體工藝

蘋果發(fā)布M3系列芯片：3nm工藝支持光追提升GPU性能

10月31日消息，蘋果舉行新品發(fā)布會(huì)，線上發(fā)布M3系列芯片（M3、M3 Pro以及M3 Max），除了芯片更新蘋果還帶來了搭載M3系列芯片的MacBook Pro以及24英寸版iMac。這是蘋果首次將Pro與Max首次與基礎(chǔ)款同時(shí)公布，蘋果官方在發(fā)布會(huì)中也表示：這一系列的芯片采用了最新的3nm工藝制程，意味著比當(dāng)前的M2系列將要「快得嚇人」。M3系列芯片信息：M3配備8核CPU，10核GPU，24GB統(tǒng)一內(nèi)存，速度最高比M2提升20%M3 Pro配備12核CPU，18核GPU，36GB統(tǒng)一內(nèi)存，速度最高比
關(guān)鍵字：蘋果 M3 芯片 3nm 工藝 GPU

“薄膜生長”國產(chǎn)實(shí)驗(yàn)裝置在武漢驗(yàn)收

據(jù)武漢市科技局官微消息，日前，半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)中的重要工藝設(shè)備——“薄膜生長”實(shí)驗(yàn)裝置在武漢通過驗(yàn)收，這項(xiàng)原創(chuàng)性突破可提升半導(dǎo)體芯片質(zhì)量。據(jù)悉，半導(dǎo)體薄膜生長是芯片生產(chǎn)的核心上游工藝。這套自主研制的“薄膜生長”國產(chǎn)實(shí)驗(yàn)裝置，由武漢大學(xué)劉勝教授牽頭，聯(lián)合華中科技大學(xué)、清華大學(xué)天津高端裝備研究院、華南理工大學(xué)、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、中國科學(xué)院微電子研究所等多家單位，歷時(shí)5年完成。這套“薄膜生長”國產(chǎn)實(shí)驗(yàn)裝置由“進(jìn)樣腔”、“高真空環(huán)形機(jī)械手傳樣腔”等多個(gè)腔體和“超快飛秒雙模成像系統(tǒng)”、“超快電子成像系統(tǒng)”等多個(gè)
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體薄膜生長工藝