基于NCP1337準(zhǔn)諧振電源的分析和設(shè)計(jì)
隨著全球業(yè)界對(duì)電源效率的要求越來(lái)越高,包括ATX電源、消費(fèi)類電子產(chǎn)品等在內(nèi)的電源需要更高的節(jié)能要求。傳統(tǒng)的電源設(shè)計(jì)都工作在固定頻率模式下,從而使得功率管在高壓接通,關(guān)斷過(guò)程中功率管上消耗的瞬時(shí)功率較大,同時(shí)還會(huì)引起一定的電磁干擾。而準(zhǔn)諧振技術(shù)和軟跳周期技術(shù)正好能解決這個(gè)問(wèn)題,安森美公司的NCPl337控制器就是用于準(zhǔn)諧振式開(kāi)關(guān)電源的優(yōu)秀代表。
l 準(zhǔn)諧振原理
準(zhǔn)諧振變換的原理是降低拓?fù)渲须娫撮_(kāi)關(guān)的導(dǎo)通損耗,一般的反激式開(kāi)關(guān)電源其MOSFET開(kāi)通/關(guān)斷時(shí)間固定,工作在固定頻率。如圖1所示,我們可以看到在磁復(fù)位的過(guò)程中,由于變壓器電感和功率管上寄生電容存在,使得開(kāi)關(guān)管上的壓降存在振蕩。但是可以發(fā)現(xiàn)電壓振蕩曲線中的A點(diǎn),就是MOSFET漏源電壓的第一個(gè)最小值(或稱谷值),如果我們?cè)谶@個(gè)時(shí)候讓MOSFET管開(kāi)通,那么導(dǎo)通的電流尖峰將會(huì)最小。在某些條件下,甚至可以獲得零電壓開(kāi)關(guān)(ZVS)。通過(guò)調(diào)節(jié)改變電源的工作頻率來(lái)進(jìn)行,不管當(dāng)時(shí)負(fù)載或線路電壓是多少,MOSFET始終保持在谷底的時(shí)候?qū)āEc反激式轉(zhuǎn)換器的不連續(xù)工作模式及連續(xù)工作模式相比,準(zhǔn)諧振開(kāi)關(guān)提供的導(dǎo)通損耗更低,因此能夠提高效率和降低器件溫度。
2 NCPl337簡(jiǎn)介
NCPl337是一款增強(qiáng)型的準(zhǔn)諧振脈沖寬度調(diào)制電流模式控制器,它結(jié)合了真正的電流模式調(diào)制器與去磁檢測(cè)器,確保電源在任何負(fù)載條件下均能工作在不連續(xù)的導(dǎo)電模式。它集成了組建嚴(yán)格可靠的開(kāi)關(guān)電源(SMPS)所有必要的元件和功能。圖2是管腳排布圖。
其主要特性:
1)自由運(yùn)行的邊界/臨界模式,準(zhǔn)諧振控制;
2)最小開(kāi)關(guān)頻率(25 kHz)跳周期模式;
3)獨(dú)立于輔助電壓的自恢復(fù)短路保護(hù);
4)內(nèi)置兩種外部失效模式觸發(fā)比較器(禁止和鎖定);
5)內(nèi)置4.0ms的軟啟動(dòng);
6)500mA峰值電流驅(qū)動(dòng)能力;
7)最高工作頻率130kHz;
8)內(nèi)部前端消隱,內(nèi)部過(guò)溫保護(hù);
9)12~10V問(wèn)的動(dòng)態(tài)自供電技術(shù)(DSS)。
在NCPl337中有兩個(gè)重要特征,其一、用軟跳周期技術(shù)來(lái)控制峰值電流并去除一些開(kāi)關(guān)脈沖,從而控制開(kāi)關(guān)損耗,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)空載、輕載狀態(tài)下的卓越高效性能。并能在變壓器進(jìn)入跳周期工作時(shí)有效去除噪聲。其二、為了保證任何時(shí)候都能在谷底值開(kāi)通,實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)諧振工作方式,使用了無(wú)線圈去磁檢測(cè)技術(shù)。
2.1 軟跳周期技術(shù)
在輕載下或待機(jī)工作模式時(shí),NCPl337進(jìn)入軟跳周期模式:當(dāng)FB設(shè)置點(diǎn)比最大峰值電流低20%時(shí)(Ucs在100mV),輸出脈沖停止。當(dāng)FB回路強(qiáng)制設(shè)置點(diǎn)高于25%(Ucs在130mV)時(shí),開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換又重新開(kāi)始,而且每次啟動(dòng)都內(nèi)部軟化,即軟啟動(dòng),使得頻率不會(huì)低于25kHz,當(dāng)這種情況出現(xiàn)在低峰值電流、軟啟動(dòng)、TOFF被鉗位時(shí),即使采用低成本的變壓器也能無(wú)噪聲工作。如圖3所示。
2.2 無(wú)線圈去磁檢測(cè)技術(shù)
為了得到準(zhǔn)諧振工作模式,最佳點(diǎn)應(yīng)對(duì)應(yīng)于漏極電壓的“谷點(diǎn)”,同時(shí)這也對(duì)應(yīng)于總漏極電容的最低能量存儲(chǔ)點(diǎn)。安森美半導(dǎo)體的特定功率MOSFET驅(qū)動(dòng)器,混合MOS與雙極機(jī)制檢測(cè)負(fù)門(mén)電流,使負(fù)門(mén)電流不通過(guò)底端傳導(dǎo),而通過(guò)正VCC電壓的路徑傳導(dǎo)。這樣,檢測(cè)到的電流會(huì)從VCC通過(guò)很簡(jiǎn)單的補(bǔ)償機(jī)制流向門(mén)極,形成了有源負(fù)電壓鉗位。因此,負(fù)門(mén)電流能轉(zhuǎn)化為便于處理的正電流。隨后,簡(jiǎn)單的比較器可檢測(cè)零電流門(mén)極交叉,進(jìn)而提供“谷點(diǎn)”信號(hào)。因此不需要變壓器輔助繞組電壓等任何外部信號(hào)就能自動(dòng)檢測(cè)功率開(kāi)關(guān)管漏極的谷底電壓,使電路設(shè)計(jì)更為簡(jiǎn)單。
評(píng)論