燦芯半導體爭當設計服務業(yè)的排頭兵

　　10月10日“中國集成電路設計業(yè)2013年會暨合肥集成電路創(chuàng)新發(fā)展高峰論壇”在合肥盛大開幕,云集了眾多業(yè)界知名的晶圓代工廠、EDA、IP及IC設計產(chǎn)商，燦芯半導體仍然與投資方中芯國際聯(lián)袂參展，展示了其先進技術的最新進展和成功案例。

　　自從2010年中國大陸第一大芯片代工廠中芯國際投資燦芯半導體后，燦芯半導體所有工藝產(chǎn)品都是與其合作的。中芯國際擁有世界先進的制造工藝、穩(wěn)定的生產(chǎn)線、充足的產(chǎn)能和高品質的良率，再加上燦芯半導體的高端設計能力和定制化的IP，客戶在中國就可以享受到一站式的、高性價比的先進制程服務。

　　在展會現(xiàn)場可以看到燦芯半導體的先進工藝制程項目比重在逐年攀升，特別是在40納米工藝上的項目發(fā)展迅速，已成功tape out超過十個基于ARM Cortex Ax核的40納米項目，涵蓋了A5、A7、A9，單核、雙核到四核，積累了豐富的先進技術設計實踐經(jīng)驗。與Cadence在DDR上的合作極大地增強了燦芯半導體在IP上的核心競爭力，種類涉及DDR2、DDR3、LPDDR1、LPDDR2，支持中芯國際的130nm/110nm、65nm、55nm、和40nm工藝,可以為客戶提供客制化的軟核DDR PHY的固化IP及LPDDR2/DDR2/DDR3 combo硬核PHY。

　　除此之外，燦芯半導體在低功耗、高性能產(chǎn)品的設計上頗有建樹，擁有一系列完整的低功耗設計技術如clock gating、power gating、multi-Vt、DVFS、power-switch、voltage island等，能有效地降低客戶產(chǎn)品的靜態(tài)和動態(tài)功耗。配合高端芯片的封裝需求，燦芯半導體通過對KGD的選擇、相應SoC芯片設計、封裝與基板設計和測試方案的確定，可以提供一系列完整的SiP封裝服務。

　　燦芯半導體研發(fā)部副總裁楊展悌教授指出：“目前業(yè)界主流的Cortex A系列SoC解決方案將向更先進的40納米、28納米工藝節(jié)點和多核的方向發(fā)展，A7多核方案正逐漸取代A9核在智能手機SoC上的應用。燦芯半導體順應這一市場趨勢，在過去一年中和客戶密切合作成功開發(fā)多款40納米的ARM Cortex A系列的SoC芯片，性能達到國際領先水平，如雙核的Cortex A9測試結果達到1.5GHz。我們的目標是在2014年推出28納米四核解決方案。”

　　“燦芯半導體今年營收的主要增長點來自于中國大陸和美國，得益于我們與中芯國際的緊密合作關系以及高端技術領域項目比重的增加”，燦芯半導體市場與銷售副總裁徐滔先生表示，“燦芯半導體正處于一個健康成長的青春期，隨著對先進技術持續(xù)不斷地投入，我們希望能為中國半導體生態(tài)系統(tǒng)良性循環(huán)提供強有力的促進作用。”