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          IGBT在大功率斬波中問題的應(yīng)用

          作者: 時(shí)間:2012-11-08 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù),其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制,因其波形如同斬切般整齊、對(duì)稱,故名。在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位,它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能,而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和可靠性,因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。

          本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/185591.htm

          是近代新發(fā)展起來的全控型功率半導(dǎo)體器件,它是由MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)與GTR(達(dá)林頓晶體管)結(jié)合,并由前者擔(dān)任驅(qū)動(dòng),因此具有:驅(qū)動(dòng)功率小,通態(tài)壓降低,開關(guān)速度快等優(yōu)點(diǎn),目前已廣泛應(yīng)用于變頻調(diào)速、開關(guān)電源等電力電子領(lǐng)域。

          就全控性能而言,是最適合斬波應(yīng)用的器件,而且技術(shù)極為簡(jiǎn)單,幾乎器件本身就構(gòu)成了斬波電路。但是要把IGBT斬波形成產(chǎn)品,問題就沒有那么簡(jiǎn)單,特別是斬波,如果不面對(duì)現(xiàn)實(shí),認(rèn)真研究、發(fā)現(xiàn)和解決存在的問題,必將事與愿違,斬波設(shè)備的可靠性將遭受嚴(yán)重的破壞。不知道是出于技術(shù)認(rèn)識(shí)問題還是商務(wù)目的,近來發(fā)現(xiàn),某些企業(yè)對(duì)IGBT晶體管倍加推崇,而對(duì)晶閘管全面否定,顯然,這是不科學(xué)的。為了尊重科學(xué)和澄清事實(shí),本文就晶閘管和以IGBT為代表的晶體管的性能、特點(diǎn)加以分析和對(duì)比,希望能夠并引起討論,還科學(xué)以本來面目。

          一. IGBT的標(biāo)稱電流與過流能力

          1) IGBT的額定電流

          目前,IGBT的額定電流(元件標(biāo)稱的電流)是以器件的最大直流電流標(biāo)稱的,元件實(shí)際允許通過的電流受安全工作區(qū)的限制而減小,由圖1所示的IGBT安全工作區(qū)可見,影響通過電流的因素除了c-e電壓之外,還有工作頻率,頻率越低,導(dǎo)通時(shí)間越長(zhǎng),元件發(fā)熱越嚴(yán)重,導(dǎo)通電流越小。

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          圖1 IGBT的安全工作區(qū)

          顯然,為了安全,不可能讓元件工作在最大電流狀態(tài),必須降低電流使用,因此,IGBT上述的電流標(biāo)稱,實(shí)際上降低了元件的電流定額,形成標(biāo)稱虛高,而能力不足。根據(jù)圖1 的特性,當(dāng)IGBT導(dǎo)通時(shí)間較長(zhǎng)時(shí)(例如100us),UCE電壓將降低標(biāo)稱值的1/2左右;如果保持UCE不變,元件的最大集電極電流將降低額定值的2/3。因此,按照晶閘管的電流標(biāo)稱標(biāo)準(zhǔn),IGBT的標(biāo)稱電流實(shí)際僅為同等晶閘管的1/3左右。例如,標(biāo)稱為300A的IGBT只相當(dāng)于100A的SCR(晶閘管)。又如,直流工作電流為500A的斬波電路,如果選擇晶閘管,當(dāng)按:

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          式中的Ki為電流裕度系數(shù),取Ki=2,實(shí)際可以選擇630A標(biāo)稱的晶閘管。

          如果選擇IGBT,則為:

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          應(yīng)該選擇3000A的IGBT元件。

          IGBT這種沿襲普通晶體管的電流標(biāo)稱準(zhǔn)則,在功率開關(guān)應(yīng)用中是否合理,十分值得探討。但無論結(jié)果如何,IGBT的標(biāo)稱電流在應(yīng)用時(shí)必須大打折扣是不爭(zhēng)的事實(shí)。

          1) IGBT的過流能力

          半導(dǎo)體元件的過流能力通常用允許的峰值電流IM來衡量,IGBT目前還沒有國(guó)際通用的標(biāo)準(zhǔn),按德國(guó)EUPEC、日本三菱等公司的產(chǎn)品參數(shù),IGBT的峰值電流定為最大集電極電流(標(biāo)稱電流)的2倍,有

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          例如,標(biāo)稱電流為300A元件的峰值電流為600A;而標(biāo)稱800A元件的峰值電流為1600A。

          對(duì)比晶閘管,按國(guó)標(biāo),峰值電流為

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          峰值電流高達(dá)10倍額定有效值電流,而且,過流時(shí)間長(zhǎng)達(dá)10ms,而IGBT的允許峰值電流時(shí)間據(jù)有關(guān)資料介紹僅為10us,可見IGBT的過流能力太脆弱了。

          承受過流的能力強(qiáng)弱是衡量斬波工作可靠與否的關(guān)鍵,要使電路不發(fā)生過流幾乎是不可能的,負(fù)載的變化,工作狀態(tài)切換的過度過程,都將引發(fā)過流和過壓,而過流保護(hù)畢竟是被動(dòng)和有限的措施,要使器件安全工作,最終還是要提高器件自身的過流能力。

          另外,由于受晶體管制造工藝的限制,IGBT很難制成大電流容量的單管芯,較大電流的器件實(shí)際是內(nèi)部小元件的并聯(lián),例如,標(biāo)稱電流為600A的IGBT,解剖開是8只75A元件并聯(lián),由于元件并聯(lián)工藝(焊接)的可靠性較差,使器件較比單一管芯的晶閘管在可靠性方面明顯降低。

          二. IGBT的擎住效應(yīng)

          IGBT的簡(jiǎn)化等效電路如圖3所示:

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          圖3 IGBT的等效電路及晶閘管效應(yīng)


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