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          一款高性能共源共柵運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)

          作者: 時(shí)間:2012-05-22 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          式中:fp1為運(yùn)放主極點(diǎn);fp2運(yùn)放非主極點(diǎn);fz為運(yùn)放零點(diǎn)。在復(fù)用型折疊式運(yùn)放中,主極點(diǎn)是由時(shí)間常數(shù)RORFC CL決定,非主極點(diǎn)由M5,M6源端寄生電容C2和該點(diǎn)的電阻R2的乘積決定。為了使運(yùn)放的相位裕度保持在60°以上,必須使得非主極點(diǎn)頻率大于2.2倍增益帶寬。在復(fù)用型折疊式中,M5,M4源端的寄生電容為:

          C2=CGS5+CSB5+CGD3a+CdB3a+CGD1a+CdB1a

          在圖3中,M1a的電流I1a與M5的電流I5都流過M3a,M3a必須要有足夠的柵寬以滿足在比較小的驅(qū)動(dòng)電壓下能傳導(dǎo)大電流,所以寄生電容CGD3a和CdB3a相當(dāng)大。f2=1/(C2R2),C2大,f2就會(huì)變小。要使f2大于2.2倍增益帶寬,必須推高f2。用減少流入M3a和M4a的電流的方法就可以達(dá)到目的。因?yàn)殡娏鳒p小,M3a和M4a的柵寬也相應(yīng)減小,從而C2也減小,f2便增大。

          j.JPG

          2 電路仿真結(jié)果

          圖2中各個(gè)MOS管的參數(shù)如表1所示。

          i.JPG

          所設(shè)計(jì)的電路仿真用Cadence公司的模擬仿真工具Spectre,仿真模型用CSMC0.5 μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝模型。電路交流仿真結(jié)果見圖3。由圖中增益曲線看出曲線在頻率10 kHz處開始下降,所以帶寬為10 kHz,增益為71.7 dB。頻率大于10 kHz,其增益開始降低,降低到0 dB處的頻率為增益帶寬,值為52.79 MHz。由圖中相位曲線看出,增益降為0 dB時(shí),相位為-119.55°,相位裕度就為60.45°。所以電路增益帶寬為52.79 MHz,低頻增益為71.7 dB,相位裕度為60.45°。與文獻(xiàn)中折疊式放大器的增益帶寬4.05 MHz,低頻開環(huán)增益43.5 dB,相位裕度59°相比,其在增益,帶寬和系統(tǒng)穩(wěn)定性上都有很大提高。

          3 結(jié)語

          本文在文獻(xiàn)中折疊共源共柵運(yùn)放和復(fù)用型折疊共源共柵運(yùn)放的分析基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了一種高折疊共源共柵單級(jí)運(yùn)放,具有高開環(huán)低頻增益、高增益帶寬。采用CSMC0.5μm標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝模型,Cadence公司的模擬仿真工具Spectre對(duì)電路進(jìn)行直流和交流仿真。結(jié)果表明:電路的增益帶寬為52.79 MHz,低頻開環(huán)增益為71.7 dB,相位裕度為60.45°,其各項(xiàng)指標(biāo)與均有較大提高,設(shè)計(jì)令人滿意。

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