一種V波段近距探測(cè)毫米波功率放大器設(shè)計(jì)

摘要 介紹了一種用于彈上近距探測(cè)系統(tǒng)，工作在非大氣窗口波段的功率放大器，該功放基于MMIC實(shí)現(xiàn)電路設(shè)計(jì)，采用端口駐波較好的兩路電橋，由多級(jí)級(jí)聯(lián)實(shí)現(xiàn)功率合成，波導(dǎo)到微帶采用兩路微帶探針經(jīng)波導(dǎo)E面插入，完成波導(dǎo)立體傳輸線與微帶集成傳輸線間的過渡轉(zhuǎn)換，同時(shí)又實(shí)現(xiàn)同相寬帶功率分配／合成。實(shí)際的測(cè)試表明，在工作帶寬內(nèi)，指標(biāo)滿足設(shè)計(jì)要求，實(shí)現(xiàn)了相對(duì)較大的功率輸出，為該波段的工程應(yīng)用提供了技術(shù)保證。
關(guān)鍵詞 V波段；功率放大器；功率分配／合成；波導(dǎo)-微帶過渡；近距探測(cè)

功率放大器是毫米波頻段發(fā)射機(jī)不可缺少的關(guān)鍵部件，輸出功率的大小決定了整個(gè)系統(tǒng)的作用距離和抗干擾能力。在毫米波系統(tǒng)中，隨著頻率的升高，單個(gè)MMIC芯片的輸出功率已經(jīng)不能滿足實(shí)際的使用要求，尤其是非大氣窗口頻段，由于該頻段電磁波的傳輸受氧分子和水蒸氣分子吸收而衰減嚴(yán)重。一般應(yīng)用于軍用保密工作及近距雷達(dá)探測(cè)、通訊系統(tǒng)中，相應(yīng)的器件輸出功率也較小，因此，多采用功率合成的方法，將多個(gè)放大器單元組合在一起實(shí)現(xiàn)較大的功率輸出。
放大器工作在V波段，用于一種彈上近距探測(cè)系統(tǒng)，充分利用非大氣窗口波段的衰減特性實(shí)現(xiàn)保密和抗干擾。

1 功率放大器的設(shè)計(jì)
1．1 技術(shù)指標(biāo)要求
按照系統(tǒng)的基本要求，放大器主要技術(shù)指標(biāo)：工作帶寬2 GHz；輸出功率≥200 mW；增益20～25 dBm；輸入輸出口WR15。
1．2 功率器件的選取
為滿足技術(shù)指標(biāo)的要求，選用工作頻帶較寬的三端FET功率放大器件。選取Eudyna Devices公司的FMM5715X作為功率合成單元，F(xiàn)MM5715X是端口阻抗內(nèi)匹配為50 Ω的多管合成功率單片。工作頻率為57～64 GHz；工作溫度范圍：-45～+85℃，存儲(chǔ)溫度范圍-55～+125℃；最大允許輸入功率3 dBm；可單電源工作，在直流偏置3 V／150 mA條件下，60 GHz頻率處典型性能P1 dB為16 dBm，飽和功率17 dBm，小信號(hào)增益17 dB。特性參數(shù)如圖1所示。

1．3 合成網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)
1．3．1 合成網(wǎng)絡(luò)總體方案
在V波段，單管輸出功率遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到功率輸出需求，即使是采用多管合成的MMIC功率器件，單器件也滿足不了技術(shù)指標(biāo)。于是，采用多器件的功率合成技術(shù)是完成本項(xiàng)目的必然選擇，目前比較成熟的功率合成技術(shù)是采用端口駐波較好的兩路電橋，由多級(jí)級(jí)聯(lián)實(shí)現(xiàn)多路合成。設(shè)計(jì)的放大器即采用基于波導(dǎo)低損耗傳輸線結(jié)構(gòu)的兩路二進(jìn)制多級(jí)功率合成技術(shù)，該合成網(wǎng)絡(luò)由兩部分組成，功率驅(qū)動(dòng)級(jí)和功率放大合成級(jí)，每部分包括3級(jí)二進(jìn)制網(wǎng)絡(luò)，由波導(dǎo)分支線電橋和波導(dǎo)-微帶過渡組成。合成網(wǎng)絡(luò)框圖如圖2所示。

8路功率分配時(shí)，每一級(jí)網(wǎng)絡(luò)損耗計(jì)為0．3 dB，路徑損耗計(jì)為0．5 dB；若要使得所有合成時(shí)功率器件飽和工作，F(xiàn)MM5715X輸入功率應(yīng)>2 dBm，計(jì)入以上損耗后，折算到功率分配網(wǎng)絡(luò)輸入端的功率為12．4 dBm，顯然，驅(qū)動(dòng)級(jí)由單路FMM5715X足以滿足這—要求。