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一種新型高精度CMOS帶隙基準源的設(shè)計

作者：時間：2010-09-30 來源：網(wǎng)絡(luò)

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3 仿真結(jié)果與分析
圖3說明了該基準源對電壓的抑制效果。根據(jù)仿真數(shù)據(jù)，在所取5～10 V的輸出電壓范圍經(jīng)計算基準電壓電源抑制比為82 dB。圖4為Cade-nce下的溫度仿真曲線，根據(jù)所要求取的溫度范圍在-25～+120℃，計算得溫度系數(shù)為：TCF=7．427 ppm／℃。圖5為整體電路的版圖設(shè)計，面積近似為0．022 mm2。

本文引用地址：http://www.ex-cimer.com/article/187781.htm

4 結(jié)語
本文通過對傳統(tǒng)帶隙基準源的基本原理分析，設(shè)計的基準電路工作電壓為5～10 V，通過飽和狀態(tài)MOS等效電阻對PTAT電流反饋補償，得到了82 dB的電源電壓抑制比和低于7．427 ppm／℃的溫度系數(shù)，版圖面積0．022 mm2。該電路產(chǎn)生的基準源電壓基本滿足普通應(yīng)用要求。

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關(guān)鍵詞： CMOS 高精度 帶隙基準源

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