采用射頻功率MOSFET設計功率放大器

　　圖4為實際電路布局圖，該電路采用雙面覆銅板，直接固定在散熱器上。線路板背面均為表面貼元件。而開關管則通過板上的矩形孔直接固定在散熱器的底面。

　　圖5和圖6所示分別為C類功率放大器在50MHz頻率條件下，增益和效率與輸出功率之間的關系圖。從圖中可知，輸出功率為150W時的增益最大，高出設計值約4dB，這主要是因為C類功率放大器工作過程中需要進行壓縮，因此實際工作時還是能夠滿足設計要求的。而最大效率則出現(xiàn)在輸入和輸出之間實現(xiàn)共扼匹配的時候。

　　在對實際電路進行檢驗時，將Vdd以5V步長由110V增大到135V，實驗結果清楚地顯示增益和效率的最佳值出現(xiàn)在125V時。對電路重調后，將電壓范圍擴大到100V－150V，也能獲得滿意的效果，但是此時將可能出現(xiàn)峰值效率的情況。如果進一步擴大電壓范圍，L2和L3的值就需要作相應的改動。

　　負載冗余測試是在25:1的駐波比條件下進行的。用一根同軸電纜作衰減器，通過調諧電路改變反射系數(shù)的相位，結果并未發(fā)生不穩(wěn)定的現(xiàn)象。

　　3. 結論

　　前面介紹了50MHz/250W射頻功率放大器的設計方法，該方法可以推廣到其他高壓射頻功率放大器的設計過程中。利用APT公司的專用射頻功率MOSFET將極大的簡化射頻功率放大器的設計過程。