射頻E類功率放大器并聯(lián)電容技術(shù)研究
功率放大器的效率包括放大器件效率和輸出網(wǎng)絡(luò)的傳輸效率兩部分。功率放大器實質(zhì)上是一個能量轉(zhuǎn)換器,把電源供給的直流能量轉(zhuǎn)換為交流能量。晶體管轉(zhuǎn)換能量的能力常用集電極效率ηc來表示,定義為
本文引用地址:http://www.ex-cimer.com/article/188884.htm式中:PDC為電源供給的直流功率;Pout為交流輸出功率;Pc為消耗在集電極上的功率。表明要增大ηc就要盡量減小集電極耗散功率Pc。由于Pc是集電極瞬時電壓與集電極瞬時電流在一個周期內(nèi)的平均值。對于A、B、C類功率放大器來說,由于功率放大管工作于有源狀態(tài),集電極電流ic和集電極電壓vc都比較大,因而,晶體管的集電極耗散功率也比較大,放大器的效率也就難以繼續(xù)提高。功率放大器效率的提高,主要反映在放大器工作狀態(tài)的改進上。A、B、C功率放大器提高效率的途徑是以減小導(dǎo)通角和增大激勵功率為代價。
另一種提高效率的途徑是使晶體管工作在開關(guān)狀態(tài),即當(dāng)ic流通時口vc很小,甚至趨近于零;當(dāng)ic截止時,vc很大,從而達(dá)到減小集電極耗散功率Pc的目的。E類功率放大器就是按照“ic與vc不同時出現(xiàn)”的原理來設(shè)計的,使得在任一時刻ic與vc的乘積均為零,Pc亦為零。1975年N.O. Sokal和A.D.Sokal首次提出了E類功率放大器的電路結(jié)構(gòu)。經(jīng)過30多年的發(fā)展,E類放大器以其結(jié)構(gòu)簡單、效率高、可設(shè)計性強等優(yōu)點,得到了廣泛的應(yīng)用,其理論效率可達(dá)100%,實際效率達(dá)95%。
在E類功率放大電路中,并聯(lián)電容的作用十分重要,它主要用來保證在晶體管截止的時間里,使集電極電壓保持十分低的一個值,直到集電極電流減小到零為止。集電極電壓的延遲上升,是E類功率放大器高效率工作的必要條件。因此E類功率放大器并聯(lián)電容的研究成為國內(nèi)外的熱點問題。本文將分析E類功率放大器中的并聯(lián)電容及一些電路相關(guān)問題。
1 E類功率放大器電路結(jié)構(gòu)
典型的E類功率放大器電路原理如圖1所示,其中SW為等效晶體管開關(guān)(可以是BJT、HBT或MOSFET等器件),Cout為晶體管寄生輸出電容,Cext為附加電容,L1為高頻扼流圈,L2,C2為串聯(lián)諧振回路,但并不諧振于激勵信號的基頻,R為等效負(fù)載電阻。
2 并聯(lián)電容及分析
2.1 并聯(lián)電容
在E類功率放大器中,晶體管工作在開關(guān)狀態(tài),當(dāng)晶體管開關(guān)閉合時,集電極電壓理想情況下將為零,同時將產(chǎn)生較大的集電極電流;當(dāng)開關(guān)斷開時,沒有集電極電流流過晶體管,但是存在集電極電壓,從而避免了晶體管電流、電壓的同時存在,減小晶體管在全開、全閉狀態(tài)下的功率耗損。晶體管并聯(lián)電容(C1)的作用是在晶體管由閉合到斷開的瞬間保持在0 V狀態(tài)下的集電極電壓口vc。
2.2 并聯(lián)電容對電路的影響
低頻狀態(tài)下工作時,并聯(lián)電容假設(shè)為一個恒定不變的值。但是,隨著頻率的不斷增加,當(dāng)達(dá)到或超過900 MHz時,并聯(lián)電容大小將和晶體管集電極――襯底之間的寄生電容大小相比擬。因此,需要對高頻情況下的并聯(lián)電容進行分析。
并聯(lián)電容包括兩部分:一部分是非線性晶體管寄生輸出電容Cout(v),如式(2)所示,另一部分是線性附加電容Cext
式中:Cj0為零偏壓時的電容;Vbi是晶體管內(nèi)建電勢(通常為0.5~0.9 V);n為pn結(jié)的結(jié)漸變系數(shù)。
E類功率放大器中非線性電容的存在對電路產(chǎn)生了諸多不良影響,如增加流過晶體管的最大電壓、增加耗損、降低效率。并聯(lián)電容的電納會影響E類功率放大器效率能否達(dá)到100%。式(3)給出了放大器頻率和電容的函數(shù)關(guān)系。當(dāng)電納達(dá)到最大時能保證功率放大器理論效率為1
式中:y為功率放大器導(dǎo)通角;Bmax為最大電納;R為輸出負(fù)載。從上式可以看出,放大器最大頻率和線性并聯(lián)電容的函數(shù)關(guān)系。圖2為信號占空比為50%時,根據(jù)該函數(shù)關(guān)系的并聯(lián)電容與放大器最大頻率關(guān)系的曲線圖。
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