主動“ORing”方案降低了功率損耗和設(shè)備尺寸

主動“ORing”方案包括一個功率MOSFET和一個集成電路控制器。MOSFET的導通電阻RDS(on)會在其內(nèi)部產(chǎn)生功率損耗（通過器件的電流的平方與電阻的乘積）。

如果在肖特基二極管“ORing”方案中實現(xiàn)相等電流，該方案中的損耗將降低為原來的十分之一。這就說明，一個主動“ORing”方案可以比標準“ORing”二極管方案更小，由于它非常低的功率消耗，就充分降低了對散熱系統(tǒng)的依賴。

然而，主動“ORing”方案確實是一個折中的方案。當MOSFET打開的時候，電流的方向不受限制。正是由于這個特點，主動“ORing”方案可以非常準確和非常快速地檢測出由于反向電流而產(chǎn)生的故障。一旦檢測到故障，控制器就需要盡可能快地關(guān)閉MOSFET，并依次從冗余總線上隔離輸入故障，阻止反向電流的進一步增加。

合適的方案
當著手選擇合適的“ORing”方案時，關(guān)鍵的問題是理解特殊應(yīng)用的基本邊界條件，然后選擇哪種類型的“ORing”方案就非常清楚了。但這并非毫無遺漏，還存在一些典型的邊界條件，這些邊界條件如下所示：

● 系統(tǒng)所處的環(huán)境溫度上升到最高溫度，功率方案必須保持可靠工作。

● 系統(tǒng)位于特定不可動建筑物中時。

● 可獲得的散熱手段（風扇、散熱片、PCB 面積等）。

● 最壞故障條件（“ORing”方案的響應(yīng)時間和速度非常關(guān)鍵）。

在特殊應(yīng)用環(huán)境中分析典型二極管“ORing”方案與典型主動“ORing”方案的異同是非常有價值的。下面的分析示例是在環(huán)境溫度為70℃，負載電流為20A情況下的分析過程。

典型二極管功率消耗（PD(diode)）：VF×IF=～0.45V×20A=9W。

主動“ORing”方案的功率消耗（PDFET）：ID2×RDS(on)=(20A)2×1.5mΩ=0.6W。

此處1.5mΩ是Picor公司PI2121 Cool-ORing器件的典型RDS(on)。

如果器件工作的最大結(jié)點溫度保持在125℃，則需要的散熱條件為
TJ=Tamb+（PD×Rthj-a）
式中：

TJ=器件結(jié)點溫度。
Tamb=系統(tǒng)環(huán)境溫度。
PD=器件功率消耗。
Rthj-a=熱阻（結(jié)點-環(huán)境）。
Rthj-a需要維持二極管的125℃結(jié)點溫度大約是6℃/W。
Rthj-a需要維持MOSFET的125℃結(jié)點溫度大約是92℃/W。

Rthj-a數(shù)值越高，散熱的費用與總體擁有成本之間的依賴關(guān)系就越低，這就使“ORing”方案非常吸引人。主動“ORing”方案的好處表明，這是提供最小解決方案的最好辦法，如果不可動建筑的價值非常高。高密度單封裝系統(tǒng)（SiP：System-in-a-Package）產(chǎn)品是解決高密度問題的最好途徑，它所提供的IC-FET優(yōu)化可以增加電子性能的改進。使用工業(yè)標準封裝的分立解決方案具有先天的局限性，如器件尺寸、器件之間的PCB空間，以及隱藏在整體密度和電子性能后面的寄生偏移。

必須精確確定MOSFET兩端的電壓和極性，這代表流過整個器件的電流。在故障事件被觸發(fā)之前，反向門限將決定通過MOSFET的反向電流總和，而且控制器的柵極驅(qū)動特征將決定MOSFET的關(guān)斷時間，并因此產(chǎn)生了通過MOSFET的反向峰值電流。門限越低、柵極驅(qū)動越高，則將確保更早地檢測并降低總體反向峰值電流，并且最終降低任何冗余總線電壓降落的可能。

主動“ORing”方案
Picor公司有一個主動“ORing”方案（Cool-ORing系列），包括一個高速“ORing” MOSFET控制器和一個具有低導通電阻的MOSFET，采用高密度強化散熱的LGA(Land-Grid-Array）封裝。這個方案可以達到低至1.5mΩ的典型導通電阻，可以在整個比較寬的溫度范圍內(nèi)工作，并能夠提供高達24A的持續(xù)負載電流。

LGA封裝是非常小的5mm×7mm封裝形式，它提供了強化散熱，并能夠用于低壓、高邊（如圖1所示）主動“ORing”應(yīng)用中。Cool-ORing方案與常規(guī)主動“ORing”方案相比提供了超過50％的空間節(jié)省。

圖1 PI2121典型應(yīng)用：高邊主動“ORing”技術(shù)